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NAND價(jià)格要觸底反彈了?

SSDFans ? 來(lái)源:YXQ ? 2019-07-26 16:40 ? 次閱讀
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先有日本東芝停電事故,影響東芝Memory和西數(shù)SANDISK的供應(yīng);再是7月1日,日本突然對(duì)韓國(guó)出手,限制三種半導(dǎo)體材料的出口(含氟聚醯亞胺用于OLED面板生產(chǎn)、光刻膠和高純氟化氫用于半導(dǎo)體晶圓生產(chǎn))——近期這些事端促生業(yè)內(nèi)朋友們一個(gè)不可缺少的話題:NAND價(jià)格要觸底反彈了

所謂的限制出口,一方面是出口手續(xù)從簡(jiǎn)化手續(xù)變?yōu)樯暾?qǐng)?jiān)S可,得到審批一般需要等待90天;另一方面,日本將可能把韓國(guó)從27國(guó)白名單中移除,這個(gè)白名單主要面向歐美國(guó)家,亞洲中韓國(guó)為唯一。白名單的作用在于放寬戰(zhàn)略性物資和技術(shù)出口管制,包括稀缺材料、高端作業(yè)設(shè)備等。緊接的是,韓日互相喊話后的7月12日,雙方課長(zhǎng)級(jí)官員5小時(shí)會(huì)晤,未達(dá)成任何協(xié)議。然后7月15日,在日本斡旋了一個(gè)星期的三星太子李在镕返回韓國(guó),宣布取得一定供應(yīng),部分消除了緊張情緒,但仍未得到長(zhǎng)期保障。

這一系列事實(shí)下來(lái),客觀上造成了市場(chǎng)的部分緊張,下半年的Memory供應(yīng)預(yù)期面臨改變,在需求并無(wú)較大利好的情況下,仍然有可能造成Memory的局部供應(yīng)短缺,短缺程度就很大依賴于韓日的妥協(xié)時(shí)間和妥協(xié)程度。根據(jù)來(lái)自閃存市場(chǎng)的報(bào)道,渠道市場(chǎng)的U盤、T卡、固態(tài)硬盤SSD等已經(jīng)有所反應(yīng),出現(xiàn)了不同輕微程度的上漲。那么,真的Memory要缺貨從而觸底反彈了嗎?如果真的缺貨,會(huì)缺到什么時(shí)候什么程度呢?

先說我個(gè)人的結(jié)論和判斷,個(gè)人是持謹(jǐn)慎樂觀態(tài)度的。

謹(jǐn)慎是指某種程度上Memory的供應(yīng)預(yù)期會(huì)被放大性的改變,從而改變持續(xù)跌價(jià)態(tài)勢(shì),DRAM不好說,但NAND價(jià)格走平或反彈是很有可能的;樂觀是基于需求端仍然較為低迷,隨著上游工藝的換代改進(jìn),長(zhǎng)期供應(yīng)充足趨勢(shì)不會(huì)改變,因此價(jià)格短暫(最長(zhǎng)至2020一季度)走平或反彈后仍會(huì)繼續(xù)向下。(DRAM方面庫(kù)存仍然過大,行業(yè)利潤(rùn)還比較客觀,需求低迷,因此大概率DRAM難于走平或反彈,以下我們聚焦NAND)

為什么呢?從以下幾個(gè)方面

1)東芝四日市工廠停電,沒有改變上游整體庫(kù)存過大,供過于求的局面;不好說上游實(shí)際庫(kù)存情況,但是大致的上游庫(kù)存仍然平均有2個(gè)月(8周)甚至更多,其中TMC和WDC因?yàn)閺娜ツ晁募径乳_始就有意放出庫(kù)存,一季度略微減少wafer in,所以庫(kù)存水平應(yīng)該比較正常;三星、海力士因?yàn)槿A為受美國(guó)制裁從而獲得向華為大力出貨的機(jī)會(huì),庫(kù)存壓力也不大;美光庫(kù)存壓力應(yīng)該最大,有傳言超過12周甚至達(dá)到18周的可能;東芝四日市的工廠停電恢復(fù)前后2周,實(shí)際情況應(yīng)該沒那么嚴(yán)重,對(duì)行業(yè)整體影響最多是3-5%,也就是低于1周水平,因此影響很小。

2)整個(gè)MEMORY行業(yè)需求仍然低迷,這是事實(shí)。手機(jī)端總量需求下降,配置到頂,5G的到來(lái)不會(huì)改變配置,要延續(xù)到2020年下半年才會(huì)有需求端的大變化;數(shù)據(jù)中心建設(shè)有所恢復(fù),但仍然緩慢;PC端SSD需求總量大為增加,但增速即將進(jìn)入下降階段,因?yàn)?56G/512G已經(jīng)夠用了,現(xiàn)在是量增加,但因?yàn)镾SD的數(shù)據(jù)保持時(shí)間是硬的缺陷,有些場(chǎng)景硬盤不可替代,單位量的增加即將減速。

3)日本對(duì)韓國(guó)出手,政治原因大于經(jīng)貿(mào)競(jìng)爭(zhēng)

因?yàn)槲脑谝品瓨汩然菡c日本達(dá)成的二戰(zhàn)賠償和慰安婦問題協(xié)議,安倍政府剛剛當(dāng)選,為了強(qiáng)化對(duì)選民的回饋與安撫,安倍政府有意采取強(qiáng)硬態(tài)度。當(dāng)然這個(gè)強(qiáng)硬態(tài)度也是受特朗普的啟發(fā),特朗普談判基本技巧就是先強(qiáng)硬要條件,然后戰(zhàn)而勝之,所以強(qiáng)硬是為了談判,不是為了打擊報(bào)復(fù),這是第一個(gè)政治目的;

第二個(gè)政治目的是安倍政府為了強(qiáng)化美日關(guān)系,在美日韓三角關(guān)系中取得主動(dòng)地位。美國(guó)一直推動(dòng)美日韓關(guān)系制衡中俄朝,但自從特朗普上臺(tái),金三胖大轉(zhuǎn)彎之后,韓國(guó)在美朝之間越發(fā)得心應(yīng)手,相反日本一直希望和普京搞好關(guān)系,并一再的向金三胖拋媚眼,但一直沒有得到正向回應(yīng);

中日之間近期雖然有明顯改善,但日本作為美國(guó)在亞洲三大駐軍基地的最大一個(gè),唯有不斷強(qiáng)化美日關(guān)系,方能在地緣政治政治中有所保障,其國(guó)內(nèi)也方能逐步推進(jìn)修憲和國(guó)家正常化。因此日本對(duì)美國(guó)向來(lái)是無(wú)所保留的。此次韓日經(jīng)貿(mào)和政治沖突,韓國(guó)拿不到三大材料的供應(yīng),三星、海力士和LG顯示受重創(chuàng),最大的受益者是誰(shuí)?是日本自己?jiǎn)幔渴侵袊?guó)京東方、中芯國(guó)際、合肥長(zhǎng)鑫、武漢長(zhǎng)江存儲(chǔ)嗎?是***臺(tái)積電、南亞和華邦嗎?是日本東芝和日本半導(dǎo)體材料廠商嗎?也許京東方、長(zhǎng)存、東芝會(huì)有一定程度的受益,但都不是最大的受益方,最大的受益方是美光、intel

而日本自己,恰恰相反,恐怕無(wú)論短期還是長(zhǎng)期都是受害者,短期日本材料廠商不得不降價(jià)賣給美國(guó)、***;長(zhǎng)期韓國(guó)自己、中國(guó)都會(huì)發(fā)展半導(dǎo)體材料行業(yè)。所以安倍政府可能有所考量向特朗普政府送大禮包,從而換取美日更加牢靠的關(guān)系。別忘了,G20之前,特朗普政府對(duì)美日續(xù)簽協(xié)定是頗有微詞的,但協(xié)定還是很順利的簽訂了,而G20后,日本就馬上出手了,這是巧合嗎?我們不知道。但是結(jié)論很清晰,政治原因大于經(jīng)貿(mào)競(jìng)爭(zhēng),因?yàn)榘脖对倌萌毡镜慕?jīng)濟(jì)利益換取政治利益!

4)對(duì)市場(chǎng)真正有影響的是三星、海力士會(huì)不會(huì)部分或者全面停產(chǎn),但很難發(fā)展到那個(gè)程度。我們做最壞的打算,就是日本會(huì)把韓國(guó)從白名單拿掉,也就是除了三大半導(dǎo)體材料、還涉及到一些設(shè)備。三種材料中,含氟聚醯亞胺用于OLED可折疊屏制造,光刻膠和高純氟化氫(也稱作氫氟酸)用于3D NAND晶圓制造

先易后難,先說說高純氟化氫,這是一種腐蝕性氣體,用于制造蝕刻藥水,是半導(dǎo)體蝕刻工藝的必要材料。高純氟化氫,日本大概也就是40-50%的市場(chǎng)份額,從2005年后中國(guó)在化學(xué)材料領(lǐng)域發(fā)展是很快的(這一點(diǎn)不得不贊嘆中國(guó)的發(fā)展,中國(guó)太大了,人口太多了,任何一個(gè)產(chǎn)業(yè)都不能放過,否則就養(yǎng)不起這么多人口了),另外***也是一大產(chǎn)地,因此氟化氫的可獲得資源相對(duì)是比較充分的,韓國(guó)企業(yè)可以通過本土、大陸和***取得。由于高純氟化氫具有極強(qiáng)的腐蝕性,因此儲(chǔ)存是有特殊要求的,通常是專用罐子,本身也是很貴的,這種罐子都要周轉(zhuǎn)使用,因此高純氟化氫確實(shí)無(wú)法大量?jī)?chǔ)存,通常有個(gè)兩三周庫(kù)存,進(jìn)進(jìn)出出很快,但是好在可獲得性并不差。關(guān)鍵的是光刻膠,光刻膠是感光物質(zhì),利用光照反應(yīng),感應(yīng)不同波長(zhǎng)的光線,將掩模圖形轉(zhuǎn)移至基板襯底上。不同的工藝使用不同的光刻膠,根據(jù)精度不同對(duì)應(yīng)不同波長(zhǎng)。確確實(shí)實(shí),光刻膠日本廠商占據(jù)絕對(duì)市場(chǎng)地位,超過70%市場(chǎng)份額全世界從日本出口;但是,據(jù)了解,高端芯片晶圓生產(chǎn)使用的光刻膠如三星最新工藝EUV(14/10nm邏輯目前使用,Memory暫時(shí)還未使用,未來(lái)Memory肯定會(huì)使用,尤其是DRAM即將進(jìn)入16NM以下;而2D NAND到了15NM就停止了,3D NAND目前還是基于3XNM的64/96L工藝)使用的光刻膠極度依賴于日本。日本光刻膠生產(chǎn)廠家如JSR、信越其生產(chǎn)基地既有日本本土也有海外,高端光刻膠在日本生產(chǎn),而中低端光刻膠大量分布在海外。據(jù)了解3D NAND和DRAM使用的光刻膠大部分供應(yīng)來(lái)自于日本廠家的海外工廠,基本是不受日本出口管制的,另外光刻膠也比較容易保存。因而真正有影響的三星的手機(jī)AP CPU,這估計(jì)也是太子李在镕真正著急的主要原因。

綜合這兩種材料來(lái)看,對(duì)Memory而言尤其是對(duì)大容量3D NAND而言,這兩種材料的出口管制并不會(huì)有太大的影響,除非日本政府進(jìn)一步干涉日本企業(yè),不僅僅是出口管制,而是像美國(guó)一樣把韓國(guó)企業(yè)列入黑名單之類的。因而我們說三星、海力士的Memory部分很難部分停產(chǎn)或全面停產(chǎn)。

5)政治問題終將通過政治談判解決。由于日本政府刻意的像TRUMP學(xué)習(xí)的行為,事實(shí)上日本企業(yè)界對(duì)政府一定是有很大的壓力和巨大的游說動(dòng)力,因?yàn)檫@種在經(jīng)貿(mào)環(huán)節(jié)制造障礙的政治行為,一定會(huì)帶來(lái)其他國(guó)家大力發(fā)展本國(guó)產(chǎn)業(yè),對(duì)日本企業(yè)來(lái)說長(zhǎng)期傷害不可估量。另外三星、海力士和LG目前一定也是多管齊下,該去要貨的要貨,同時(shí)推動(dòng)日本企業(yè)準(zhǔn)備申請(qǐng)書,暗中股東日本企業(yè)向日本政府施壓等等,那么韓日的政治談判就會(huì)在經(jīng)貿(mào)界的推動(dòng)下,長(zhǎng)則一年,短則半年終將解決分歧,否則誰(shuí)都受不了。就短期來(lái)看,從政治上韓國(guó)明顯理虧勢(shì)弱(慰安婦協(xié)議確實(shí)不公平,但那是樸槿惠政府的愚蠢,文在寅政府再翻舊賬,一方面是目前韓國(guó)經(jīng)濟(jì)并不理想,出口下降情況下,同時(shí)韓幣還大幅貶值,唯一算得上政績(jī)的就是推動(dòng)美朝談判但也一度因?yàn)樘乩势盏娜涡远萑虢┚种敝磷罱胖匦罗D(zhuǎn)機(jī),因此文在寅政府從政治上把慰安婦協(xié)議翻出來(lái)也是對(duì)國(guó)內(nèi)支持率的挽回;另一方面,韓國(guó)政府眼看日本受朝冷落,東亞地緣政治對(duì)日有一定優(yōu)勢(shì),因此也是一種政治投機(jī)行為),再加上,如果日本政府真的有意對(duì)韓國(guó)經(jīng)濟(jì)命脈半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進(jìn)行壓制,那么真到痛的時(shí)候,韓國(guó)政府妥協(xié)的可能性是很大的。不要忘了三星產(chǎn)值占韓國(guó)約20%的GDP比重,加上海力士和LG,這個(gè)影響力不可謂不大。那么什么時(shí)候是痛的時(shí)候呢?如果減產(chǎn)20%以內(nèi)算痛而可以忍受,那么超過20%是痛而不可忍受。真正要緊的EUV光刻膠對(duì)三星手機(jī)的影響,假設(shè)成品庫(kù)存4-6周,耗損材料庫(kù)存3-4周,李在镕又解決了一部分供應(yīng)問題,那么支撐3-6個(gè)月估計(jì)是有可能的,因此估計(jì)到11-12月份兩國(guó)政府達(dá)成妥協(xié)的概率是非常大的。

盡管客觀上分析,韓日事件對(duì)MEMORY的影響非常有限,但是后續(xù)發(fā)展仍然不可控,目前的國(guó)際貿(mào)易環(huán)境在特朗普效應(yīng)下很是不穩(wěn)定

有三種情況,一種是維持目前的制裁(即僅僅出口管制),一種是據(jù)說7月底前會(huì)把韓國(guó)從白名單移除(影響日本設(shè)備和其他軍用敏感材料,設(shè)備方面半導(dǎo)體晶圓制造設(shè)備主要還是荷蘭和美國(guó),影響不大,日本在封裝設(shè)備上比較牛13,但目前已有封裝產(chǎn)能非常充足。敏感材料如碳纖維對(duì)半導(dǎo)體沒有影響),這兩種可能性都很大,而且二合一的可能性也很大,但對(duì)Memory的影響都很有限,我們后面再來(lái)猜測(cè)和模擬。第三種情況是日本再度加大制裁,采取黑名單制度要求日本企業(yè)全面禁止對(duì)韓國(guó)企業(yè)的供應(yīng)行為,如果出現(xiàn)這種情況,那真的要出大事,不過就如前面我們說的,可能性不大,真要出現(xiàn)這種情況,韓國(guó)人得跪求了。

在前兩種情況下,一個(gè)實(shí)實(shí)在在的影響就是供應(yīng)緊張情緒被營(yíng)造了出來(lái)。目前NAND是什么市場(chǎng)環(huán)境?上游除了三星之外是虧損的,營(yíng)運(yùn)利潤(rùn)率普遍在-20%~-10%左右,即使是三星營(yíng)運(yùn)利潤(rùn)率也低于10%,實(shí)在虧損邊緣的。上游廠商中,美光重新獲得許可可以向華為出貨,其他廠家?guī)齑嫠骄兴陆担掳肽暧质切枨髠鹘y(tǒng)旺季;中美目前暫時(shí)還處于溫和而沒有加劇的階段,需求的悲觀情緒有所緩解,對(duì)市場(chǎng)來(lái)說,這就是供需兩側(cè)的情緒和預(yù)期都有微妙的改變,那么各個(gè)環(huán)節(jié)的行為都會(huì)改變。對(duì)于下游端來(lái)說,采購(gòu)行為就不能向以前一樣單向的控制庫(kù)存壓低買貨,適當(dāng)?shù)募哟蟀踩珟?kù)存就非常有必要性。中間的通路商必然會(huì)有一定的賭博行為,悄悄囤貨行為也會(huì)出現(xiàn)。對(duì)上游來(lái)說,除了三星之外,正好順勢(shì)而為。最大的變數(shù)仍然是三星,如果沒有這些意外的發(fā)生,三星的最好策略是繼續(xù)壓低價(jià)格或者控制價(jià)位不讓它漲起來(lái),因?yàn)殡S著其他廠家的持續(xù)失血,TMC的上市計(jì)劃也會(huì)被迫延緩,即使上市也籌不到可觀的錢。對(duì)于INTEL來(lái)說就真的有必要考慮和HYNIX或者中國(guó)廠家進(jìn)行戰(zhàn)略合作或重組。對(duì)于海力士而言,技術(shù)演進(jìn)必然受挫,那么總有一天上游格局會(huì)收縮,對(duì)于三星來(lái)說太有利了。只是,隨著意外事件的發(fā)生,三星就不得不考慮促使行業(yè)整合所要付出的代價(jià),萬(wàn)一惹得美國(guó)人和日本人繼續(xù)聯(lián)手政治韓國(guó)人,那就是大件事了。所以大概率三星也會(huì)順?biāo)浦郏葤挈c(diǎn)錢再說。因此大概率NAND價(jià)格觸底并有所反彈。

因此總的來(lái)說,NAND真的是會(huì)在下半年有所反彈。

鑒于需求并不如預(yù)期的好,起碼在2020年下半年之前,需求不振會(huì)使得此次反彈僅僅是小反彈而已,不可能再像16-17年的全行業(yè)大緊缺,到目前為止供應(yīng)端的96L仍然即將順利量產(chǎn),11月的需求旺季后,明年一季度和二季度仍將經(jīng)歷一波下行周期。這是大家要理性看待的。

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原文標(biāo)題:專家:NAND價(jià)格要觸底反彈了嗎?

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    存儲(chǔ)大廠鎧俠近日宣布,計(jì)劃在2024年12月實(shí)施減產(chǎn)措施。此舉旨在應(yīng)對(duì)當(dāng)前NAND Flash市場(chǎng)的嚴(yán)峻挑戰(zhàn),并有望促使價(jià)格止跌回升。
    的頭像 發(fā)表于 12-03 17:36 ?798次閱讀

    大摩:面板行業(yè)觸底反彈

    行業(yè)芯事行業(yè)資訊
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    發(fā)布于 :2024年11月12日 11:28:34

    半導(dǎo)體迎來(lái)觸底反彈,半導(dǎo)體時(shí)代即將綻放光彩

    在經(jīng)歷了波濤洶涌的市場(chǎng)調(diào)整和周期性低谷后,全球半導(dǎo)體行業(yè)終于迎來(lái)了曙光,一場(chǎng)觸底反彈的盛宴正在悄然拉開序幕。這不僅僅是數(shù)字的躍動(dòng),更是技術(shù)、市場(chǎng)與政策三重奏下的華麗轉(zhuǎn)身,預(yù)示著一個(gè)新的半導(dǎo)體時(shí)代即將綻放光彩。
    的頭像 發(fā)表于 11-09 09:17 ?4351次閱讀

    DRAM與NAND閃存價(jià)格大幅下跌

    近期,DRAM和NAND存儲(chǔ)行業(yè)再次遭遇消費(fèi)者需求下滑的沖擊,導(dǎo)致存儲(chǔ)合約價(jià)格在短短一個(gè)月內(nèi)出現(xiàn)大幅下跌。據(jù)分析公司DRAMeXchange的數(shù)據(jù)顯示,DRAM價(jià)格尤其受到重創(chuàng),近一個(gè)月內(nèi)下跌近20%。
    的頭像 發(fā)表于 10-09 17:08 ?877次閱讀

    NAND閃存是什么意思

    NAND閃存,又稱之為“NAND Flash”,是一種基于Flash存儲(chǔ)技術(shù)的非易失性閃存芯片。下面將從NAND閃存的定義、工作原理、特點(diǎn)、應(yīng)用領(lǐng)域以及未來(lái)發(fā)展等幾個(gè)方面進(jìn)行詳細(xì)闡述。
    的頭像 發(fā)表于 08-10 15:57 ?8320次閱讀
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