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關(guān)于On-chip ESD在物聯(lián)網(wǎng)中的應(yīng)用和介紹

弘模半導(dǎo)體 ? 來源:djl ? 2019-09-08 11:07 ? 次閱讀
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隨著互聯(lián)網(wǎng)的蓬勃發(fā)展,越來越多視頻,圖像(包括AR/VR)以及物聯(lián)網(wǎng)傳感器數(shù)據(jù)流在互聯(lián)網(wǎng)及數(shù)據(jù)中心中洶涌流動(dòng)。互聯(lián)網(wǎng)數(shù)據(jù)在今天需要海量的帶寬,從目前發(fā)展來看,硅基光電子會(huì)對(duì)數(shù)據(jù)中心的架構(gòu)產(chǎn)生深遠(yuǎn)影響。

然而,對(duì)于設(shè)計(jì)人員來說,硅基光電的IO設(shè)計(jì)會(huì)碰到很多潛在的問題:

1. 高速傳輸不允許有任何信號(hào)干擾

2. 高速傳輸界面需要客戶定制的模擬I/O

3. SOC 設(shè)計(jì)基于先進(jìn)節(jié)點(diǎn),比如28nm, 16nm, 7nm

關(guān)于On-chip ESD在物聯(lián)網(wǎng)中的應(yīng)用和介紹

針對(duì)于上述的問題, 作為在on-chip ESD 領(lǐng)域耕耘了近20年的Sofics, 提出了很多Si-Proven的完美解決方案,也得到了歐美客戶的認(rèn)可。這主要體現(xiàn)在我們已經(jīng)成功為客戶解決了56Gbps 高速傳輸界面對(duì)ESD的要求,有些項(xiàng)目的寄生電容做到了10fF。除了28nm, 16nm的成熟經(jīng)驗(yàn),我們也在積極拓展和客戶在12nm,7nm 項(xiàng)目的合作。回顧2017,在硅基光電的項(xiàng)目來看,支持的TSMC硅基光電工藝覆蓋了 180nm 到 16nm,還有鍺硅工藝。

關(guān)于On-chip ESD在物聯(lián)網(wǎng)中的應(yīng)用和介紹

除了硅基光電IO設(shè)計(jì)方面有ESD的特殊需求, 如果你對(duì) 超低功耗,超高壓(HBM,MM,CDM特殊需求),SOI, 汽車電子,醫(yī)療電路,防輻射等電路方面的ESD需求,請(qǐng)聯(lián)系:info@xmodtech.cn

On-chip ESD IP list:

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    的頭像 發(fā)表于 10-25 09:22 ?1151次閱讀

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    的概念最早可以追溯到1999年,由凱文·阿什頓寶潔公司提出,并用作新傳感器項(xiàng)目的演講標(biāo)題。隨著技術(shù)的不斷發(fā)展,聯(lián)網(wǎng)逐漸成為信息科技產(chǎn)業(yè)的重要組成部分。
    發(fā)表于 08-19 14:08
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