并聯晶體振蕩器等效電路

并聯晶體振蕩器又分c-b（集電極-基極）型晶體振蕩器（也叫皮爾斯振蕩器）和b-e（基極-發射極）型晶體振蕩器（也叫密勒振蕩器）兩種。下面以c-b型晶體振蕩器為例進行介紹。

典型的c-b型晶體振蕩器如圖6-23所示。在該電路中，晶體X作為反饋元件并聯在VT的c、b極之間，R1、R2是VT的b極偏置電阻，R3是VT的c極電阻，R4是e極電阻，C1是濾波電容。因此，該電路的交流等效電路如圖6-24所示。

參見圖6-24，晶體X代替三點式振蕩器的一個電感構成電容三點式振蕩器。X與電容C2、C3構成并聯諧振回路，它們的參數共同決定振蕩器的頻率。

聯晶體振蕩器等效電路

典型的串聯晶體振蕩器如圖6-25所示。VT1、VT2構成兩級阻容耦合放大器，R1、R3分別是VT1、VT2的基極偏置電阻，R2、R4分別是VT1、VT2的集電極電阻，晶體X和C2串聯后構成正反饋網絡。該電路的等效電路如圖6-26所示。

參見圖6-26，由于VT2的輸出電壓與VT1的輸入電壓同相，所以晶體X可以等效為一個電阻與C2為VT1的基極提供正反饋電壓，使該電路進入振蕩狀態。該電路的振蕩頻率就是X的固有頻率。