女人荫蒂被添全过程13种图片,亚洲+欧美+在线,欧洲精品无码一区二区三区 ,在厨房拨开内裤进入毛片

0
  • 聊天消息
  • 系統消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發帖/加入社區
會員中心
創作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

受疫情影響 三星3nm工藝量產或延期

半導體動態 ? 來源:快科技 ? 作者:小淳 ? 2020-04-07 08:39 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

近日,DigiTimes在一份報告中稱,三星3nm工藝量產時間可能已經延期至2022年。

三星原計劃2021年初量產3nm,但受疫情影響,三星預期時間可能已經延期至2022年,業內消息人士指出,這并非工藝制造上的延遲,而是因為EUV光刻機等關鍵設備在物流上的延遲所致。

三星早在去年就宣布了3nm GAE工藝,將在3nm節點放棄FinFET晶體管,轉向GAA環繞柵極晶體管工藝,比7nm工藝,3nm GAE工藝號稱可將核心面積減少45%,功耗降低50%,性能提升35%。

而三星最大對手臺積電也因為疫情原因半導體裝備及安裝人員都無法按期完成,原計劃在6月份風險試產的3nm FinFET工藝,試產時間將延期到10月份。

相應地,臺積電南科18廠的3nm生產線也會順延一個季度,原本在10月份安裝設備,現在也要到2021年初了。

責任編輯:wv

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
  • 三星電子
    +關注

    關注

    34

    文章

    15885

    瀏覽量

    182275
  • 臺積電
    +關注

    關注

    44

    文章

    5747

    瀏覽量

    169422
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    三星代工大變革:2nm全力沖刺,1.4nm量產延遲至2029年

    在全球半導體代工領域的激烈競爭中,三星電子的戰略動向一直備受矚目。近期,有消息傳出,三星代工業務在制程技術推進方面做出重大調整,原本計劃于2027年量產的1.4nm制程
    的頭像 發表于 07-03 15:56 ?116次閱讀

    三星在4nm邏輯芯片上實現40%以上的測試良率

    似乎遇到了一些問題 。 另一家韓媒《DealSite》當地時間17日報道稱,自 1z nm 時期開始出現的電容漏電問題正對三星 1c nm DRAM 的開發量產造成明顯影響。
    發表于 04-18 10:52

    千億美元打水漂,傳三星取消1.4nm晶圓代工工藝

    在先進制程領域目前面臨重重困難。三星?3nm(SF3)GAA?工藝自?2023?年量產以來,由于良率未達預期,至今尚未
    的頭像 發表于 03-23 11:17 ?1347次閱讀

    千億美元打水漂,傳三星取消1.4nm晶圓代工工藝?

    在先進制程領域目前面臨重重困難。三星 3nm(SF3)GAA 工藝自 2023 年量產以來,由于良率未達預期,至今尚未獲得大客戶訂單。
    的頭像 發表于 03-22 00:02 ?1872次閱讀

    三星量產第四代4nm芯片

    據外媒曝料稱三星量產第四代4nm芯片。報道中稱三星自從2021年首次量產4nm芯片以來,每年都
    的頭像 發表于 03-12 16:07 ?1.2w次閱讀

    三星2025年晶圓代工投資減半

    工廠和華城S3工廠。盡管投資規模有所縮減,但三星在這兩大工廠的項目推進上并未止步。 平澤P2工廠方面,三星計劃將部分3nm生產線轉換到更為先進的2n
    的頭像 發表于 01-23 11:32 ?594次閱讀

    三星電子1c nm內存開發良率里程碑推遲

    據韓媒報道,三星電子已將其1c nm DRAM內存開發的良率里程碑時間推遲了半年。原本,三星計劃在2024年底將1c nm制程DRAM的良率提升至70%,以達到結束開發工作、順利進入
    的頭像 發表于 01-22 15:54 ?548次閱讀

    三星1c nm DRAM開發良率里程碑延期

    。然而,盡管三星在去年底已經成功制得1c nm DRAM的良品晶粒,但整體良率并未達到預期要求,導致原定的量產計劃受阻。 此次良率里程碑的延期,反映出
    的頭像 發表于 01-22 14:27 ?597次閱讀

    三星重啟1b nm DRAM設計,應對良率與性能挑戰

    近日,據韓媒最新報道,三星電子在面對其12nm級DRAM內存產品的良率和性能雙重困境時,已于2024年底作出了重要決策。為了改善現狀,三星決定在優化現有1b nm
    的頭像 發表于 01-22 14:04 ?785次閱讀

    蘋果iPhone 17沿用3nm技術,2nm得等到2026年了!

    有消息稱iPhone17還是繼續沿用3nm技術,而此前熱議的2nm工藝得等到2026年了……
    的頭像 發表于 12-02 11:29 ?949次閱讀

    臺積電產能爆棚:3nm與5nm工藝供不應求

    臺積電近期成為了高性能芯片代工領域的明星企業,其產能被各大科技巨頭瘋搶。據最新消息,臺積電的3nm和5nm工藝產能利用率均達到了極高水平,其中3nm將達到100%,而5
    的頭像 發表于 11-14 14:20 ?924次閱讀

    三星電子:18FDS將成為物聯網和MCU領域的重要工藝

    電子發燒友網報道(文/吳子鵬)今年上半年,三星在FD-SOI工藝上面再進一步。3月份,意法半導體(STMicroelectronics)宣布與三星聯合推出18
    發表于 10-23 11:53 ?613次閱讀
    <b class='flag-5'>三星</b>電子:18FDS將成為物聯網和MCU領域的重要<b class='flag-5'>工藝</b>

    三星電子發布為可穿戴設備設計的首款3納米工藝芯片

    近日,三星電子震撼發布了其專為可穿戴設備設計的首款3納米工藝芯片——Exynos W1000,標志著該公司在微型芯片技術領域的又一重大突破。這款尖端芯片采用了三星獨有的
    的頭像 發表于 07-05 16:07 ?1926次閱讀

    三星首款3nm可穿戴設備芯片Exynos W1000發布

    在科技日新月異的今天,三星再次以其卓越的創新能力震撼業界,于7月3日正式揭曉了其首款采用頂尖3nm GAA(Gate-All-Around)先進工藝制程的可穿戴設備系統級芯片(SoC
    的頭像 發表于 07-05 15:22 ?2150次閱讀

    消息稱臺積電3nm/5nm將漲價,終端產品受影響

    據業內手機晶片領域的資深人士透露,臺積電計劃在明年1月1日起對旗下的先進工藝制程進行價格調整,特別是針對3nm和5nm工藝制程,而其他工藝
    的頭像 發表于 07-04 09:22 ?1051次閱讀
    主站蜘蛛池模板: 舒兰市| 马鞍山市| 鄱阳县| 安福县| 德保县| 贵州省| 青铜峡市| 旅游| 双辽市| 长治市| 左权县| 通辽市| 石楼县| 多伦县| 兴海县| 玛纳斯县| 乐亭县| 车险| 阿合奇县| 图木舒克市| 永安市| 四平市| 福海县| 尖扎县| 紫金县| 上饶市| 北票市| 紫云| 玉溪市| 谷城县| 泗洪县| 武安市| 浦县| 吉安县| 余姚市| 思南县| 武穴市| 葫芦岛市| 广南县| 高安市| 双柏县|