4月6日，深圳丹邦科技股份有限公司（以下簡稱“丹邦科技”）發(fā)布2020年非公開發(fā)行股票預(yù)案公告，擬非公開發(fā)行募資17.8億元。

公告顯示，丹邦科技本次非公開發(fā)行的股票數(shù)量不超過本次非公開發(fā)行前公司總股本的30%，即發(fā)行數(shù)量合計(jì)不超過164，376，000 股（含本數(shù)）。

募資17.8億

公告顯示，丹邦科技本次非公開發(fā)行股票募集資金總額不超過17.8億元，主要用于量子碳化合物厚膜產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目、新型透明PI膜中試項(xiàng)目、量子碳化合物半導(dǎo)體膜研發(fā)項(xiàng)目、以及補(bǔ)充流動(dòng)資金，三個(gè)項(xiàng)目建設(shè)周期均為2.5年，建設(shè)地點(diǎn)位于廣東省東莞市松山湖科技產(chǎn)業(yè)園工業(yè)西三路廣東丹邦工業(yè)園。

其中，量子碳化合物厚膜產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目投資總額為12.31億元，擬使用募集資金10.3億元；新型透明PI膜中試項(xiàng)目投資總額為4.65億元；量子碳化合物半導(dǎo)體膜研發(fā)項(xiàng)目投資總額為1.21億元。

資料顯示，丹邦科技經(jīng)營范圍包括開發(fā)、生產(chǎn)經(jīng)營柔性覆合銅板、液晶聚合導(dǎo)體材料，高頻柔性電路、柔性電路封裝基板、高精密集成電路、新型電子元器件、二維半導(dǎo)體材料、聚酰亞胺薄膜、量子碳基膜、多層石墨烯膜、屏蔽隱身膜等。

公司主要產(chǎn)品包括柔性FCCL、高密度FPC、芯片封裝COF基板、芯片及器件封裝產(chǎn)品及柔性封裝相關(guān)功能熱固化膠、微粘性膠膜等，主要應(yīng)用于空間狹小，可移動(dòng)折疊的高精尖智能終端產(chǎn)品，在消費(fèi)電子、醫(yī)療器械、特種計(jì)算機(jī)、智能顯示、高端裝備產(chǎn)業(yè)等所有微電子領(lǐng)域都得到廣泛應(yīng)用。

丹邦科技表示，本次募集資金投資項(xiàng)目的總體目標(biāo)即：大批量生產(chǎn)量子碳化合物厚膜、中試新型透明PI膜、研發(fā)量子碳化合物半導(dǎo)體膜，為實(shí)現(xiàn)公司成為國際領(lǐng)先的新型半導(dǎo)體材料企業(yè)的發(fā)展愿景打下堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。

研發(fā)量子碳化合物半導(dǎo)體膜

當(dāng)前，半導(dǎo)體新材料的突破將成為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)未來發(fā)展的關(guān)鍵。傳統(tǒng)硅基半導(dǎo)體性能已接近極限，而量子碳化合物半導(dǎo)體膜有望成為綜合性能更好的新型化合物半導(dǎo)體材料。

量子碳化合物半導(dǎo)體膜作為一種新型的化合物半導(dǎo)體材料，與GaAs、GaN以及SiC等其他化合物半導(dǎo)體材料相比，具有高頻、高效率、抗輻射、耐高低溫、耐高壓、低功耗、高熱導(dǎo)等化合物半導(dǎo)體材料的特性。

公告顯示，丹邦科技此次投資項(xiàng)目之一量子碳化合物半導(dǎo)體膜研發(fā)項(xiàng)目投資總額為1.21億元，擬使用募集資金1.2億元，主要建設(shè)內(nèi)容為利用公司現(xiàn)有廠房進(jìn)行改造并引進(jìn)設(shè)備開展新型化合物半導(dǎo)體材料——量子碳化合物半導(dǎo)體膜的研發(fā)。

從金額上看，在四個(gè)擬募投項(xiàng)目中，盡管“量子碳化合物半導(dǎo)體膜研發(fā)項(xiàng)目”的投資額最少，但該項(xiàng)目對于丹邦科技在新材料領(lǐng)域由高分子材料拓展至化合物半導(dǎo)體材料，具有重大戰(zhàn)略意義。

丹邦科技在PI膜分子結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、成膜及燒結(jié)工藝的研發(fā)過程中，通過納米金屬材料的摻雜、雜化，并進(jìn)行離子交換和離子注入，使薄膜表面形成分布均勻的納米量子點(diǎn)，實(shí)現(xiàn)了薄膜帶隙的開啟與調(diào)控，使其具備二維半導(dǎo)體性能。

丹邦科技將以此為基礎(chǔ)，切入化合物半導(dǎo)體材料領(lǐng)域，開展量子碳化合物半導(dǎo)體膜研發(fā)項(xiàng)目，擬研制耐高低溫、高壓、高頻性能、大寬幅、超柔韌、超薄層微結(jié)構(gòu)的化合物半導(dǎo)體材料。

丹邦科技表示，本次量子碳化合物半導(dǎo)體膜研發(fā)項(xiàng)目得以實(shí)施后，公司有望在化合物半導(dǎo)體材料領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)重大技術(shù)突破，提升公司的技術(shù)領(lǐng)先地位，亦有助于提升我國在化合物半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的自主創(chuàng)新能力與競爭力。
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