女人荫蒂被添全过程13种图片,亚洲+欧美+在线,欧洲精品无码一区二区三区 ,在厨房拨开内裤进入毛片

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

50nm NOR Flash成本下降約15%-20%,廠商加速推進(jìn)國(guó)產(chǎn)替代!

Carol Li ? 來源:電子發(fā)燒友網(wǎng) ? 作者:李彎彎 ? 2020-06-09 09:24 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/李彎彎)近期,多家廠商推出50nm NOR Flash新品,武漢新芯宣布50nm XM25QWxxC系列產(chǎn)品全線量產(chǎn),東芯半導(dǎo)體48nm NOR Flash產(chǎn)品已經(jīng)開始給客戶送樣測(cè)試,預(yù)計(jì)下半年開始量產(chǎn)。恒爍半導(dǎo)體50nm128Mb NOR Flash芯片客戶驗(yàn)證已經(jīng)通過,預(yù)計(jì)Q3在很多應(yīng)用市場(chǎng)大量出貨。

目前,行業(yè)主流NOR Flash產(chǎn)品的工藝節(jié)點(diǎn)是65nm,其中Cypress和鎂光技術(shù)節(jié)點(diǎn)較為領(lǐng)先,到了45nm,旺宏目前最先進(jìn)的制程是48nm,華邦為58nm,國(guó)內(nèi)兆易創(chuàng)新有少量55nm工藝節(jié)點(diǎn)的產(chǎn)品。武漢新芯、恒爍50nm產(chǎn)品量產(chǎn)及東芯48nm上線,意味著國(guó)內(nèi)諸多NOR Flash廠商都在進(jìn)入新一代工藝節(jié)點(diǎn)。

50nm新品尺寸縮小約15%-30%,成本下降約15%-20%

因?yàn)椴捎昧斯δ芨鼜?fù)雜的芯片電路設(shè)計(jì)及不斷創(chuàng)新的工藝,東芯半導(dǎo)體新上線的48nm NOR Flash產(chǎn)品,與上一代65nm產(chǎn)品相比,具有更高密度的集成。東芯半導(dǎo)體副總經(jīng)理陳磊先生在接受電子發(fā)燒友記者采訪的時(shí)候表示,“對(duì)于同等容量的存儲(chǔ)芯片來說,Die size也就更小,大幅提高了成本優(yōu)勢(shì),相較65nm來說,成本有顯著的下降?!?/p>

東芯半導(dǎo)體在產(chǎn)品設(shè)計(jì)上不斷突破,從不同角度考慮不斷提升產(chǎn)品質(zhì)量及性能。陳磊先生強(qiáng)調(diào),此次推出的48nmNORFlash具有幾大優(yōu)勢(shì):1、通過有效刷新閃存單元數(shù)據(jù),提高數(shù)據(jù)留存周期;2、使用新型擦除操作算法,提高產(chǎn)品可靠性;3、增加頻率監(jiān)測(cè),減小溫度的波動(dòng)對(duì)產(chǎn)品的影響;4、增加電源驅(qū)動(dòng),減小供電電源波動(dòng)對(duì)產(chǎn)品的影響等等。

據(jù)陳磊先生介紹,新產(chǎn)品繼續(xù)支持標(biāo)準(zhǔn)SPI/Dual/Qual SPI及QPI的基礎(chǔ)上,增加了DTR傳輸模式,即在時(shí)鐘上升沿和下降沿都可以進(jìn)行數(shù)據(jù)輸出,相較于之前STR的單時(shí)鐘邊沿采樣,同樣的頻率下,有了雙倍的傳輸速率,進(jìn)一步提高了數(shù)據(jù)訪問的效率。東芯運(yùn)用領(lǐng)先的研發(fā)技術(shù)從不同角度考慮不斷提升產(chǎn)品質(zhì)量及性能。東芯半導(dǎo)體始終在為客戶應(yīng)用終端考慮,不斷進(jìn)行自主研發(fā)創(chuàng)新,升級(jí)優(yōu)化產(chǎn)品,堅(jiān)持做到根據(jù)客戶應(yīng)用終端給出高效、可靠的芯片設(shè)計(jì)方案。

恒爍半導(dǎo)體CEO呂向東先生對(duì)電子發(fā)燒友網(wǎng)記者表示,公司50nm NOR Flash芯片因?yàn)椴捎昧诵碌碾娐凡季?,?duì)電路進(jìn)行優(yōu)化,新推出的50nm產(chǎn)品能夠達(dá)到更低的能耗和更快的速度,相比較而言,50nm制程比65nm芯片尺寸小約15%-30%,成本下降15%-20%。

恒爍半導(dǎo)體50nm NOR Flash芯片產(chǎn)品專注AIOT、工業(yè)控制、PC等多項(xiàng)應(yīng)用,呂向東先生介紹,該款芯片是目前同類產(chǎn)品中尺寸最小的,待機(jī)電流和讀寫功耗也達(dá)到世界先進(jìn)水平,同時(shí)還具有優(yōu)異的性價(jià)比和可靠性。

50nmNORFlash更適用于未來小型化、智能化終端設(shè)備

眾所周知,NOR Flash有讀取速度快、數(shù)據(jù)穩(wěn)定、運(yùn)行代碼等特性,適用于代碼存儲(chǔ)、快速系統(tǒng)啟動(dòng)與運(yùn)行等場(chǎng)景。據(jù)陳磊先生介紹,東芯半導(dǎo)體新制程48nm NOR Flash產(chǎn)品,具有更低功耗、更小芯片空間等特點(diǎn),將會(huì)更加適用于穿戴類設(shè)備,包括TWS耳機(jī)、智能手環(huán)、手表、頭戴設(shè)備等。

東芯新產(chǎn)品48nm NOR Flash還將快速擴(kuò)展應(yīng)用于更多4G物聯(lián)網(wǎng)的設(shè)備,也會(huì)加快和物聯(lián)網(wǎng)基帶芯片合作,將應(yīng)用擴(kuò)展到共享經(jīng)濟(jì)、智慧農(nóng)業(yè)、智慧物料等領(lǐng)域。東芯也希望用更高的產(chǎn)品性能,切入到更廣泛、更嚴(yán)格的應(yīng)用領(lǐng)域之中去。

陳磊先生告訴電子發(fā)燒友記者,“在低功耗1.8V的產(chǎn)品規(guī)劃上,目前公司已經(jīng)有了從64Mb到256Mb的產(chǎn)品,下一步將會(huì)向更高容量的512Mb產(chǎn)品延續(xù),包括1Gb的SPI NOR FLASH?!?/p>

恒爍半導(dǎo)體50nm NOR Flash產(chǎn)品是上一代產(chǎn)品的迭代更新,尺寸更小、功耗更低、讀取速率更高,呂向東先生表示,“未來終端設(shè)備會(huì)向更小巧、更智能的方向發(fā)展,這些特性使得該芯片的應(yīng)用空間更大,目前公司產(chǎn)品普遍應(yīng)用在AIOT智能穿戴設(shè)備中,如TWS耳機(jī)、智能手環(huán)手表、無人機(jī)、門禁鎖、機(jī)頂盒等?!?/p>

“128Mb的產(chǎn)品是公司在50nm工藝下量產(chǎn)的第一款產(chǎn)品,今年年底也計(jì)劃推出256Mb、64Mb的產(chǎn)品,明年會(huì)將全線產(chǎn)品都切入50nm技術(shù)工藝下。”呂向東先生向電子發(fā)燒友記者介紹到。

積極投入技術(shù)研發(fā),幫助國(guó)內(nèi)客戶實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)替代

存儲(chǔ)芯片在集成電路中具有非常重要的戰(zhàn)略地位,在信息安全上升為國(guó)家戰(zhàn)略之后,我國(guó)正在加快推進(jìn)國(guó)產(chǎn)自主可控替代計(jì)劃,努力構(gòu)建安全可控的信息技術(shù)體系。

陳磊告訴電子發(fā)燒友記者,“隨著高容量SPINORFLASH產(chǎn)品的豐富,東芯半導(dǎo)體的存儲(chǔ)器也將進(jìn)入到高容量、高毛利的應(yīng)用領(lǐng)域,包括工業(yè)、汽車和宏基站。東芯可以為國(guó)內(nèi)的客戶提供高可靠性的SPI NOR FLASH,預(yù)計(jì)未來國(guó)產(chǎn)化的產(chǎn)品會(huì)越來越受到國(guó)內(nèi)用戶的歡迎?!?/p>

存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)目前仍然被國(guó)外公司壟斷,但是近年來國(guó)內(nèi)一些優(yōu)秀企業(yè)發(fā)展非常迅速,比如兆易創(chuàng)新已經(jīng)逐漸晉升到全球行業(yè)前三,呂向東先生表示,“作為NORFlash的后起之秀,恒爍半導(dǎo)體將憑借在設(shè)計(jì)、工藝、產(chǎn)品完整性和可靠性等多方面的長(zhǎng)期積累,努力幫助國(guó)內(nèi)客戶實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)替代?!?/p>

疫情對(duì)NORFlash影響較小,長(zhǎng)期看好2020后續(xù)市場(chǎng)

今年年初,突如其來的疫情給半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)帶來了不少影響,陳磊先生談到,雖然今年Q1疫情爆發(fā),但對(duì)NOR的需求不減反增,隨著海外疫情的緩解,需求也會(huì)慢慢回暖,加上國(guó)內(nèi)市場(chǎng)的增長(zhǎng)穩(wěn)定,今年48nm NOR Flash的需求必然是從點(diǎn)到面的曲線式增長(zhǎng)。

呂向東先生對(duì)電子發(fā)燒友記者表示,疫情對(duì)恒爍的目前客戶影響不大,恒爍Q1和Q2的出貨量比去年同期有很大的增幅,仍然看好2020年后續(xù)的 NOR Flash市場(chǎng)。

本文由電子發(fā)燒友網(wǎng)原創(chuàng),未經(jīng)授權(quán)禁止轉(zhuǎn)載。如需轉(zhuǎn)載,請(qǐng)?zhí)砑游?a target="_blank">信號(hào)elecfans999.

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 存儲(chǔ)芯片
    +關(guān)注

    關(guān)注

    11

    文章

    932

    瀏覽量

    44079
  • 東芯半導(dǎo)體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    30

    瀏覽量

    4754
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    Nor flash芯片低溫?zé)o法啟動(dòng)

    關(guān)于針對(duì)NOR Flash芯片在低溫環(huán)境下無法啟動(dòng)的問題,詳細(xì)分析與解決方案如下所述: 1. 低溫失效原因分析 1.1 半導(dǎo)體物理特性變化 閾值電壓(Vth)漂移:低溫下MOSFET閾值電壓升高(
    的頭像 發(fā)表于 06-30 17:23 ?109次閱讀
    <b class='flag-5'>Nor</b> <b class='flag-5'>flash</b>芯片低溫?zé)o法啟動(dòng)

    【技術(shù)分享】國(guó)產(chǎn) DCDC 芯片 AWK6943ABTER 替代 MP9943GQ 的兼容性實(shí)測(cè)與應(yīng)用經(jīng)驗(yàn)

    響應(yīng)快,適合對(duì)成本和交付周期敏感的項(xiàng)目。待驗(yàn)證點(diǎn) :在高頻開關(guān)(如 2MHz)場(chǎng)景下的效率表現(xiàn),以及汽車電子 AEC-Q100 認(rèn)證進(jìn)度(原廠反饋正在推進(jìn)中)。 有沒有用過這款芯片或類似替代方案的工程師
    發(fā)表于 06-17 10:13

    LWH04T240WAD替代PTH04T240WAD的優(yōu)勢(shì)

    ℃,適用于高溫工業(yè)環(huán)境。l 國(guó)產(chǎn)供應(yīng)鏈優(yōu)勢(shì):成本降低20%-30%,交貨周期更穩(wěn)定,避開國(guó)際供應(yīng)鏈風(fēng)險(xiǎn)。l 能效簡(jiǎn)易化:效率高達(dá)94%,滿足絕大多數(shù)應(yīng)用場(chǎng)景。l 封裝兼容:11-DI
    發(fā)表于 06-17 09:24

    2025存儲(chǔ)國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程加速:存儲(chǔ)芯片主要廠商介紹

    在全球供應(yīng)鏈緊張和國(guó)產(chǎn)替代需求推動(dòng)下,國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展,形成設(shè)計(jì)到封測(cè)一體化的完整生態(tài)。北京君正、兆易創(chuàng)新、紫光國(guó)芯、東芯股份、普冉股份和佰維存儲(chǔ)等六大上市公司在NOR/NAN
    的頭像 發(fā)表于 05-12 16:01 ?1465次閱讀
    2025存儲(chǔ)<b class='flag-5'>國(guó)產(chǎn)</b>化進(jìn)程<b class='flag-5'>加速</b>:存儲(chǔ)芯片主要<b class='flag-5'>廠商</b>介紹

    深度對(duì)比:全國(guó)產(chǎn)電腦替代方案VS進(jìn)口設(shè)備,性能差距縮小至15%的真相

    在工業(yè)、金融、能源等領(lǐng)域,進(jìn)口電腦設(shè)備長(zhǎng)期占據(jù)主導(dǎo)地位,但高昂的成本和技術(shù)依賴風(fēng)險(xiǎn)成為企業(yè)痛點(diǎn)。如今,以華頡工控機(jī)為代表的全國(guó)產(chǎn)電腦替代方案,通過CPU、操作系統(tǒng)、芯片組的全面國(guó)產(chǎn)化,
    的頭像 發(fā)表于 03-27 13:43 ?1082次閱讀
    深度對(duì)比:全<b class='flag-5'>國(guó)產(chǎn)</b>電腦<b class='flag-5'>替代</b>方案VS進(jìn)口設(shè)備,性能差距縮小至<b class='flag-5'>15</b>%的真相

    存儲(chǔ)技術(shù)探秘 NAND Flash vs NOR Flash:藏在芯片里的&quot;門道之爭(zhēng)&quot;

    門電路玄機(jī) NOR Flash:Intel 1988 年革命性突破,終結(jié) EPROM/EEPROM 壟斷時(shí)代 NAND Flash:東芝 1989 年發(fā)布,開創(chuàng) "低成本比特" 存儲(chǔ)新
    的頭像 發(fā)表于 03-18 12:06 ?468次閱讀

    一個(gè)人形機(jī)器人需要近50臺(tái)電機(jī),人形機(jī)器人成本高的原因在哪里

    人形機(jī)器人中,大電機(jī)(100~150瓦)約占機(jī)器人用的電機(jī)總值的25%,中大型電機(jī)(50~100瓦)約占電機(jī)總值的30%,中型電機(jī)(20~50瓦)約占電機(jī)總值的30%,小型電機(jī)(5~20
    的頭像 發(fā)表于 03-14 09:55 ?1362次閱讀

    芯??萍?2位MCU加速工業(yè)芯片國(guó)產(chǎn)替代

    隨著國(guó)產(chǎn)高性能32位MCU的崛起,芯??萍紤{借其在產(chǎn)品性能、可靠性、安全性和低功耗方面的優(yōu)勢(shì),以及不斷完善的開發(fā)生態(tài),正逐步打破國(guó)際廠商的壟斷地位。CS32系列MCU的多樣化產(chǎn)品線,將進(jìn)一步滿足工業(yè)客戶的差異化需求,提供更具性價(jià)比的產(chǎn)品和服務(wù),助力工業(yè)‘芯’
    的頭像 發(fā)表于 11-14 15:00 ?1010次閱讀
    芯??萍?2位MCU<b class='flag-5'>加速</b>工業(yè)芯片<b class='flag-5'>國(guó)產(chǎn)</b><b class='flag-5'>替代</b>

    長(zhǎng)江存儲(chǔ)正加速轉(zhuǎn)向國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備

    面對(duì)國(guó)際環(huán)境的變化,中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)展現(xiàn)出強(qiáng)大的韌性與決心。自2022年美國(guó)實(shí)施對(duì)華先進(jìn)半導(dǎo)體設(shè)備出口限制,并將3D NAND Flash領(lǐng)軍企業(yè)長(zhǎng)江存儲(chǔ)納入實(shí)體清單以來,長(zhǎng)江存儲(chǔ)非但沒有止步不前,反而加速推進(jìn)
    的頭像 發(fā)表于 09-24 14:40 ?1236次閱讀

    物聯(lián)網(wǎng)行業(yè)存儲(chǔ)方案詳解_SPI NOR Flash

    物聯(lián)網(wǎng)系統(tǒng)中為什么要使用SPI NOR FLASH 物聯(lián)網(wǎng)系統(tǒng)中使用SPI NOR FLASH的原因主要基于其獨(dú)特的性能特點(diǎn)和在嵌入式系統(tǒng)中的廣泛應(yīng)用。以下是詳細(xì)的分析: 1、高可靠性
    的頭像 發(fā)表于 09-24 14:39 ?1065次閱讀
    物聯(lián)網(wǎng)行業(yè)存儲(chǔ)方案詳解_SPI <b class='flag-5'>NOR</b> <b class='flag-5'>Flash</b>

    替代FM25V20A,國(guó)產(chǎn)FRAM SF25C20在整車VCU中的應(yīng)用

    替代FM25V20A,國(guó)產(chǎn)FRAM SF25C20在整車VCU中的應(yīng)用
    的頭像 發(fā)表于 09-06 09:53 ?671次閱讀
    <b class='flag-5'>替代</b>FM25V<b class='flag-5'>20</b>A,<b class='flag-5'>國(guó)產(chǎn)</b>FRAM SF25C<b class='flag-5'>20</b>在整車VCU中的應(yīng)用

    使用AD620和IOS124采集電流,工作1分鐘后幅值開始下降,為什么?

    使用AD620和IOS124采集電流,輸入電流范圍+-50mA,采樣電阻100歐,增益為2倍,+-15V供電。 現(xiàn)象為:輸入50mA電流,AD620剛上電輸出正常9.95V,工作1
    發(fā)表于 08-16 07:06

    國(guó)產(chǎn)FPGA的發(fā)展前景是什么?

    國(guó)產(chǎn)替代加速 政策支持:近年來,國(guó)家對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的支持力度不斷加大,為國(guó)產(chǎn)FPGA的發(fā)展提供了有力保障。政府補(bǔ)助、稅收優(yōu)惠等政策措施促進(jìn)了國(guó)產(chǎn)
    發(fā)表于 07-29 17:04

    NAND FlashNOR Flash哪個(gè)更好

    在討論NAND FlashNOR Flash哪個(gè)更好時(shí),我們需要從多個(gè)維度進(jìn)行深入分析,包括它們的技術(shù)特性、應(yīng)用場(chǎng)景、成本效益以及未來發(fā)展趨勢(shì)等。
    的頭像 發(fā)表于 07-29 16:59 ?2493次閱讀

    NAND FlashNOR Flash:壞塊管理需求的差異解析

    NOR Flash和NAND Flash是兩種不同類型的閃存技術(shù),它們?cè)诖鎯?chǔ)單元的連接方式、耐用性、壞塊管理等方面存在差異。
    的頭像 發(fā)表于 07-10 14:25 ?3259次閱讀
    NAND <b class='flag-5'>Flash</b>與<b class='flag-5'>NOR</b> <b class='flag-5'>Flash</b>:壞塊管理需求的差異解析
    主站蜘蛛池模板: 宝坻区| 封开县| 潮州市| 故城县| 怀安县| 梁河县| 海伦市| 桓台县| 商洛市| 平南县| 太谷县| 胶南市| 化州市| 南开区| 潜山县| 沙坪坝区| 潞城市| 漳州市| 新乡市| 南华县| 永德县| 股票| 明光市| 定南县| 肥城市| 桐乡市| 常山县| 长子县| 玉树县| 攀枝花市| 呼图壁县| 乳源| 宁强县| 武山县| 镇巴县| 大新县| 资兴市| 淮滨县| 呼和浩特市| 吉隆县| 兴文县|