一、Mate40旗艦機(jī)搭載長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層3D NAND

11月20日消息2020年北京微電子國(guó)際研討會(huì)暨ICWORLD學(xué)術(shù)會(huì)議本周在京舉行，長(zhǎng)江存儲(chǔ)首席執(zhí)行官楊士寧出席發(fā)表講話。 楊士寧表示：雖然長(zhǎng)江存儲(chǔ)的64層3D NAND只是我們第一個(gè)產(chǎn)品，但是這顆產(chǎn)品已經(jīng)做到了Mate40的旗艦機(jī)里面，在這里面我們看到了國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈彼此協(xié)同合作和未來(lái)長(zhǎng)遠(yuǎn)的發(fā)展機(jī)會(huì)。

此外，楊士寧還展示了Xtacking技術(shù)，表示：在這一方面，長(zhǎng)江存儲(chǔ)也是走在國(guó)際最前沿的；長(zhǎng)江存儲(chǔ)的技術(shù)也是非常先進(jìn)的，以后可以委托給中芯國(guó)際；同時(shí)也要感謝國(guó)產(chǎn)同行的支持。他還表示，目前只有帶有Xtacking標(biāo)簽的終端產(chǎn)品才擁有真正國(guó)產(chǎn)閃存芯片。

此外，長(zhǎng)江存儲(chǔ)也公布了自己的路線圖，“長(zhǎng)江存儲(chǔ)3年走了其他人6年走過(guò)的路”長(zhǎng)江存儲(chǔ)的128層存儲(chǔ)（TLC/QLC）正在推進(jìn)。楊士寧表示“我說(shuō)我們不做最后一名，我們肯定不做最后一名，但我跟我們比的都是有三四十年歷史的。雖然我還沒(méi)有宣布，但下一代，爭(zhēng)取在下一代走到最前沿，爭(zhēng)取做第一第二名。”

二、多廠商使用長(zhǎng)江存儲(chǔ)NAND芯片

臺(tái)電 臺(tái)電很早以前就推出固態(tài)硬盤(pán)了，并且一直在推出新品，比如在M.2市場(chǎng)有極光系列，在2.5英寸市場(chǎng)有幻影系列。在有了國(guó)產(chǎn)主控和長(zhǎng)江存儲(chǔ)3D NAND支持之后，聯(lián)蕓MS0902A成為一款成熟的產(chǎn)品。

產(chǎn)品規(guī)格上，臺(tái)電騰龍系列有256GB、512GB和1TB版本，最大讀取速度550MB/s，最大寫(xiě)入速度490MB/s，這是1TB版本的數(shù)據(jù)，512GB和256GB會(huì)略有下降，比如512GB版寫(xiě)入和讀取就變成了520MB/s和480MB/s，從實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)來(lái)看已經(jīng)比較接近標(biāo)稱值了。 光威 光威弈Pro SSD采用基于Xtacking架構(gòu)創(chuàng)新研發(fā)的長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層TLC 3D NAND原廠顆粒，這也是首次純國(guó)產(chǎn)經(jīng)過(guò)了嚴(yán)苛的生產(chǎn)流程管控和品質(zhì)檢驗(yàn)的，非常可靠的原廠顆粒。這種由獨(dú)立的晶圓上分開(kāi)加工負(fù)責(zé)I/O傳輸記憶單元的電路，并通過(guò)成熟的Xtacking工藝進(jìn)行晶圓鍵合，可以讓NAND獲得更高的I/O傳輸速度，達(dá)到更高的密度，提升整體性能。 新華三 新華三SE005 SSD基于長(zhǎng)江存儲(chǔ)業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的Xtacking閃存架構(gòu)，可以提供更高的I/O速度、更高的存儲(chǔ)密度，標(biāo)準(zhǔn)的2.5英寸硬盤(pán)規(guī)格下，容量達(dá)1920GB，持續(xù)讀取速度可以穩(wěn)定保持在530MB/s，同時(shí)支持智能功耗管理，具備高效可靠、智能管控、堅(jiān)固耐用等優(yōu)點(diǎn)。新華三表示，SE005 SSD可輕松滿足企業(yè)內(nèi)部對(duì)高數(shù)據(jù)吞吐的應(yīng)用需求，如該公司的服務(wù)器和存儲(chǔ)在證券行業(yè)極速交易場(chǎng)景的應(yīng)用，而在多場(chǎng)景企業(yè)級(jí)計(jì)算中，SE005可應(yīng)用于高密計(jì)算、大數(shù)據(jù)場(chǎng)景、關(guān)鍵業(yè)務(wù)服務(wù)器。

三、長(zhǎng)江存儲(chǔ)產(chǎn)品得到市場(chǎng)認(rèn)可

市場(chǎng)研究公司預(yù)測(cè)，基于固態(tài)硬盤(pán)(SSD)密度和性能提升，全球NAND閃存需求將增加，人工智能、深度學(xué)習(xí)和虛擬現(xiàn)實(shí)將引領(lǐng)明年全球DRAM和NAND閃存市場(chǎng)的增長(zhǎng)。今年作為5G爆發(fā)元年，5G設(shè)備的存儲(chǔ)芯片也急需升級(jí)，市場(chǎng)對(duì)于存儲(chǔ)芯片的需要也很大。 憑借著獨(dú)立創(chuàng)新的Xtacking 3D NAND 技術(shù)， 長(zhǎng)存也成為為數(shù)不多擁有原廠NAND顆粒的廠家，這將會(huì)成為一個(gè)巨大優(yōu)勢(shì)。在當(dāng)前芯片國(guó)產(chǎn)化的大勢(shì)下，長(zhǎng)江存儲(chǔ)產(chǎn)品得到市場(chǎng)認(rèn)可，也給了存儲(chǔ)行業(yè)國(guó)產(chǎn)化極大信心， 相信隨著長(zhǎng)存在技術(shù)上的持續(xù)打磨，一定能克服國(guó)外技術(shù)封鎖。

責(zé)任編輯：lq