電源工程師們都知道開(kāi)關(guān)MOS在整個(gè)電源系統(tǒng)里面的損耗占比是不小的，開(kāi)關(guān)mos的的損耗我們談及最多的就是開(kāi)通損耗和關(guān)斷損耗，由于這兩個(gè)損耗不像導(dǎo)通損耗或驅(qū)動(dòng)損耗一樣那么直觀，所有有部分人對(duì)于它計(jì)算還有些迷茫。

我們今天以反激CCM模式的開(kāi)通損耗和關(guān)斷損耗來(lái)把公式推導(dǎo)一番，希望能夠給各位有所啟發(fā)。

我們知道這個(gè)損耗是由于開(kāi)通或者關(guān)斷的那一個(gè)極短的時(shí)刻有電壓和電流的交叉而引起的交越損耗，所以我們先得把交越波形得畫(huà)出來(lái)，然后根據(jù)波形來(lái)一步步推導(dǎo)它的計(jì)算公式。

我們一起來(lái)看圖

下圖為電流與電壓在開(kāi)關(guān)時(shí)交疊的過(guò)程，這個(gè)圖中描述的是其實(shí)是最惡劣的情況，開(kāi)通時(shí)等mos管電流上升到I1之后mos管電壓才開(kāi)始下降，關(guān)斷時(shí)等mos管電壓上升到Vds后mos管電流才開(kāi)始下降。

最惡劣的情況分析：

mos管開(kāi)通過(guò)程

階段一：電壓不變電流上升（電壓為Vds不變，電流由0上升到Ip1）

mos開(kāi)通瞬間，電流從零快速開(kāi)始上升到Ip1，此過(guò)程MOS的DS電壓不變?yōu)閂ds；

階段二：電流不變電壓下降（電流為Ip1不變，電壓由Vds下降到0）

電流上升到Ip1后，此時(shí)電流的上升斜率（Ip1-Ip2段）相對(duì)0-Ip1這一瞬間是非常緩慢的，我們可以近似把上升到Ip1之后繼續(xù)上升的斜率認(rèn)為是0，把電流基本認(rèn)為是Ip1不變，此時(shí)MOS管的DS電壓開(kāi)始快速下降到0V。

mos管關(guān)斷過(guò)程

階段一：電流不變電壓上升（電流為Ip2不變，電壓由0上升到Vds）

電壓從0快速開(kāi)始上升到最高電壓Vds，與開(kāi)通同理此過(guò)程MOS的電流基本不變?yōu)镮p2；

階段二：電壓不變電流下降（點(diǎn)壓為Vds不變，電流由Ip2下降到0）

電壓此時(shí)為Vds不變，電流迅速?gòu)腎p2以很大的下降斜率降到0。

上面對(duì)最惡劣的開(kāi)關(guān)情況做了分析，但是我根據(jù)個(gè)人的經(jīng)驗(yàn)這只是一場(chǎng)誤會(huì)，本人沒(méi)發(fā)現(xiàn)有這種情況，所以我一般不用這種情況來(lái)計(jì)算開(kāi)關(guān)損耗。

由于本人不用，所以對(duì)上述情況不做詳細(xì)推導(dǎo)，下面直接給出最惡劣的情況的開(kāi)通關(guān)斷損耗的計(jì)算公式

至于關(guān)斷和開(kāi)通的交越時(shí)間t下面會(huì)給出估算過(guò)程。

個(gè)人認(rèn)為更符合實(shí)際情況的分析與推導(dǎo)

請(qǐng)看圖

這種情況跟上一種情況的不同之處就在于：

開(kāi)通時(shí)：電流0-Ip1上升的過(guò)程與電壓Vds-0下降的過(guò)程同時(shí)發(fā)生。

關(guān)段時(shí)：電壓0-Vds的上升過(guò)程與電流從Ip2-0的下降過(guò)程同時(shí)發(fā)生。

開(kāi)通時(shí)的損耗推導(dǎo)

我們先把開(kāi)通交越時(shí)間定位t1

我們大致看上去用平均法來(lái)計(jì)算好像直接可以看出來(lái)，Ip1/2 × Vds/2 *t1*fs，實(shí)際上這是不對(duì)的，這個(gè)過(guò)程實(shí)際上準(zhǔn)確的計(jì)算是，在時(shí)間t內(nèi)每一個(gè)瞬時(shí)的都對(duì)應(yīng)一個(gè)功率，然后把這段時(shí)間內(nèi)所有的瞬時(shí)功率累加然后再除以開(kāi)關(guān)周期T或者乘以開(kāi)關(guān)頻率fs。好了思想有了就只剩下數(shù)學(xué)問(wèn)題了，我們一起來(lái)看下。

下面我來(lái)說(shuō)一下t1的估算方法

思路是根據(jù)MOS管datasheet給出的柵極總電荷量來(lái)計(jì)算時(shí)間t1

用公式Qg=i*t來(lái)計(jì)算

我們來(lái)看看上圖是驅(qū)動(dòng)的過(guò)程，Vth為MOS管的開(kāi)通閾值，Vsp為MOS管的米勒平臺(tái)，實(shí)際上MOS管從開(kāi)始導(dǎo)通到飽和導(dǎo)通的過(guò)程是從驅(qū)動(dòng)電壓a點(diǎn)到b點(diǎn)這個(gè)區(qū)間。

其中柵極總電荷Gg是可以在mos管的datasheet中可以查詢到的

然后就是要求這段時(shí)間的驅(qū)動(dòng)電流，我們看下圖，這個(gè)電流結(jié)合你的實(shí)際驅(qū)動(dòng)電路來(lái)取值的。

根據(jù)你的驅(qū)動(dòng)電阻R1的值和米勒平臺(tái)電壓可以把電流i計(jì)算出來(lái)。

米勒平臺(tái)電壓Vsp也可以在MOS管的datasheet中可以查到。

然后再根據(jù)你的實(shí)際驅(qū)動(dòng)電壓（實(shí)際上就是近似等于芯片Vcc供電電壓），實(shí)物電壓做出來(lái)之前，在理論估算階段可以自己先預(yù)設(shè)定一個(gè)，比如預(yù)設(shè)15V。

我們計(jì)算時(shí)把Vth到Vsp這一段把它近似看成都等于Vsp，然后就很好計(jì)算出i了。

i=（Vcc-Vsp）/R1

此刻驅(qū)動(dòng)電流i已經(jīng)求出，接下來(lái)計(jì)算平臺(tái)時(shí)間（a點(diǎn)到b點(diǎn)）t1.

Qg=i*t1

t1=Qg/i

到此時(shí)基本差不多了

好了我們來(lái)總結(jié)一下開(kāi)關(guān)MOS開(kāi)通時(shí)的損耗計(jì)算公式

i=（Vcc-Vsp）/R1 計(jì)算平臺(tái)處驅(qū)動(dòng)電流

t1=Qg/i 計(jì)算平臺(tái)的持續(xù)時(shí)間（也就是mos開(kāi)通時(shí)，電壓電流的交越時(shí)間）

Pon=1/6*Vds*Ip1*t1*fs

關(guān)斷時(shí)的損耗

對(duì)于關(guān)斷時(shí)的損耗計(jì)算跟開(kāi)通時(shí)的損耗就算推導(dǎo)方式?jīng)]什么區(qū)別，我在這里就不在贅述了，我給出一個(gè)簡(jiǎn)單的結(jié)果。

i=（Vsp）/R2 計(jì)算平臺(tái)處驅(qū)動(dòng)電流

t1=Qg/i 計(jì)算平臺(tái)的持續(xù)時(shí)間（也就是mos關(guān)斷時(shí)，電壓電流的交越時(shí)間）

Ptoff=1/6*Vds*Ip1*t1*fs

上文是針對(duì)反激CCM，對(duì)于DCM的計(jì)算方法是一樣的，不過(guò)DCM下Ip1為0，開(kāi)通損耗是可以忽略不計(jì)的，關(guān)斷損耗計(jì)算方法一樣。

責(zé)任編輯：haq