深圳市融智興科技有限公司憑借在物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的卓越表現(xiàn)和持續(xù)創(chuàng)新,榮獲“中國(guó)物聯(lián)網(wǎng)企業(yè)投資價(jià)值榜”榮譽(yù)證書。
發(fā)表于 02-21 14:36
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1月16日,高企認(rèn)定官網(wǎng)披露對(duì)深圳市認(rèn)定機(jī)構(gòu)2024年認(rèn)定報(bào)備的第一批高新技術(shù)企業(yè)進(jìn)行備案的公告,深圳市遠(yuǎn)景達(dá)物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)有限公司在列,證書編號(hào)GR202444203937,發(fā)證日期為2025年1月
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場(chǎng)效應(yīng)管代換手冊(cè)
發(fā)表于 01-08 13:44
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在設(shè)計(jì)場(chǎng)效應(yīng)管驅(qū)動(dòng)電路時(shí),降低場(chǎng)效應(yīng)管的噪聲是至關(guān)重要的。以下是一些有效的措施來(lái)降低場(chǎng)效應(yīng)管的噪聲: 一、電源噪聲的抑制 選擇穩(wěn)定的電源 : 使用低噪聲、穩(wěn)定的電源為場(chǎng)效應(yīng)管供電,可以
發(fā)表于 12-09 16:17
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場(chǎng)效應(yīng)管(Field-Effect Transistor,簡(jiǎn)稱FET)是一種電壓控制型半導(dǎo)體器件,主要通過(guò)改變輸入端的電壓來(lái)控制輸出端的電流。場(chǎng)效應(yīng)管廣泛應(yīng)用于放大、開關(guān)、電源管理等領(lǐng)域。 場(chǎng)效應(yīng)管
發(fā)表于 12-09 16:02
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場(chǎng)效應(yīng)管的優(yōu)勢(shì) 高輸入阻抗 :場(chǎng)效應(yīng)管的輸入阻抗非常高,這意味著它們需要的驅(qū)動(dòng)電流非常小,這對(duì)于低功耗應(yīng)用非常有利。 低噪聲 :場(chǎng)效應(yīng)管由于其高輸入阻抗和低導(dǎo)通電阻,通常比雙極型晶體管
發(fā)表于 12-09 15:58
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場(chǎng)效應(yīng)管常見問(wèn)題及解決方案 1. 場(chǎng)效應(yīng)管的基本原理 場(chǎng)效應(yīng)管是一種電壓控制型器件,其工作原理是通過(guò)改變柵極電壓來(lái)控制源極和漏極之間的電流。場(chǎng)效應(yīng)管有兩種主要類型:結(jié)型
發(fā)表于 12-09 15:57
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場(chǎng)效應(yīng)管(Field-Effect Transistor,簡(jiǎn)稱FET)是一種電壓控制型半導(dǎo)體器件,它利用電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制電流的流動(dòng)。場(chǎng)效應(yīng)管的主要類型有結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(JFET)、金屬氧化
發(fā)表于 12-09 15:52
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場(chǎng)效應(yīng)管(Field Effect Transistor,簡(jiǎn)稱FET)是一種通過(guò)改變電場(chǎng)來(lái)控制半導(dǎo)體材料導(dǎo)電性能的電子器件。根據(jù)導(dǎo)電溝道中載流子的類型,場(chǎng)效應(yīng)管可以分為N溝道場(chǎng)效應(yīng)管和P溝道場(chǎng)
發(fā)表于 09-23 16:41
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N溝道場(chǎng)效應(yīng)管(N-Channel Field Effect Transistor, N-Channel FET)和P溝道場(chǎng)效應(yīng)管(P-Channel Field Effect Transistor
發(fā)表于 09-23 16:38
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場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor,簡(jiǎn)稱FET),又稱場(chǎng)效應(yīng)管,是一種利用電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制半導(dǎo)體材料導(dǎo)電性能的電壓控制型半導(dǎo)體器件。它主要由柵極(G)、源極(S)和漏極(D
發(fā)表于 08-15 15:25
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場(chǎng)效應(yīng)管(Field-Effect Transistor,簡(jiǎn)稱FET)是一種廣泛應(yīng)用于電子電路中的半導(dǎo)體器件,其工作原理是通過(guò)改變柵極電壓來(lái)控制漏極和源極之間的電流。場(chǎng)效應(yīng)管具有輸入阻抗高、驅(qū)動(dòng)功率
發(fā)表于 08-01 09:18
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場(chǎng)效應(yīng)管(Field-Effect Transistor,F(xiàn)ET)和絕緣柵雙極型晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)是兩種不同類型的半導(dǎo)體器件,它們
發(fā)表于 07-25 11:07
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芯盾時(shí)代中標(biāo)深圳市重大產(chǎn)業(yè)投資集團(tuán)有限公司(簡(jiǎn)稱“深重投集團(tuán)”),運(yùn)用統(tǒng)一終端安全,零信任網(wǎng)絡(luò)訪問(wèn)和智能決策大腦等技術(shù),結(jié)合芯盾時(shí)代豐富的身份安全項(xiàng)目經(jīng)驗(yàn),幫助企業(yè)構(gòu)建智能、動(dòng)態(tài)、高效
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場(chǎng)效應(yīng)管(Field-Effect Transistor,簡(jiǎn)稱FET)是一種半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于電子電路中。它具有三個(gè)主要的引腳:源極(Source)、漏極(Drain)和柵極(Gate)。正確
發(fā)表于 07-14 09:14
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評(píng)論