芯片制作完整過程包括:芯片設(shè)計(jì)、晶片制作、封裝制作、成本測試等幾個(gè)環(huán)節(jié),其中晶片片制作過程尤為的復(fù)雜。下面圖示讓我們共同來了解一下芯片制作的過程,尤其是晶片制作部分。
小編將為大家介紹一下芯片制造流程:
- 首先是芯片設(shè)計(jì),根據(jù)設(shè)計(jì)的需求,生成的“圖樣”。
- 制作晶圓。使用晶圓切片機(jī)將硅晶棒切割出所需厚度的晶圓。
- 晶圓涂膜。在晶圓表面涂上光阻薄膜,該薄膜能提升晶圓的抗氧化以及耐溫能力。
- 晶圓光刻顯影、蝕刻。使用紫外光通過光罩和凸透鏡后照射到晶圓涂膜上,使其軟化,然后使用溶劑將其溶解沖走,使薄膜下的硅暴露出來。
- 離子注入。使用刻蝕機(jī)在裸露出的硅上刻蝕出N阱和P阱,并注入離子,形成PN結(jié)(邏輯閘門);然后通過化學(xué)和物理氣象沉淀做出上層金屬連接電路。
- 晶圓測試。經(jīng)過上面的幾道工藝之后,晶圓上會(huì)形成一個(gè)個(gè)格狀的晶粒。通過針測的方式對(duì)每個(gè)晶粒進(jìn)行電氣特性檢測。
- 封裝。將制造完成的晶圓固定,綁定引腳,然后根據(jù)用戶的應(yīng)用習(xí)慣、應(yīng)用環(huán)境、市場形式等外在因素采用各種不同的封裝形式;同種芯片內(nèi)核可以有不同的封裝形式。
文章整合自:上海海思技術(shù)、百度經(jīng)驗(yàn)、39度
編輯:ymf
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1 目的
希望以簡短的篇幅,將公司目前設(shè)計(jì)的流程做介紹,若有介紹不當(dāng)之處,請(qǐng)不吝指教。
2 設(shè)計(jì)步驟:
2.1 繪線路圖、PCB Layout.
2.2 變壓器計(jì)算.
2.3 零件選用.
2.4 設(shè)計(jì)驗(yàn)證.
3設(shè)計(jì)流程介紹(以 DA-14B33 為例):
3.1線路圖、PCB Layout 請(qǐng)參考資識(shí)庫中說明.
3.2變壓器計(jì)算:
變壓器是整個(gè)電源供應(yīng)器的重要核心,所以變壓器的計(jì)算及驗(yàn)證是很重要的,以下即就 DA-14B33 變壓器做介紹.
3.2.1
決定變壓器的材質(zhì)及尺寸:
依據(jù)變壓器計(jì)算公式
B(max) =鐵心飽合的磁通密度(Gauss)
Lp =一次側(cè)電感值(uH)
Ip =一次側(cè)峰值電流(A)
Np =一次側(cè)(主線圈)圈數(shù)
Ae =鐵心截面積(cm2)
B(max) 依鐵心的材質(zhì)及本身的溫度來決定,以 TDK Ferrite Core PC40 為例,100℃時(shí)的 B(max)為3900 Gauss,設(shè)計(jì)時(shí)應(yīng)考慮零件誤差,所以一般取 3000~3500 Gauss 之間,若所設(shè)計(jì)的 power 為Adapter(有外殼)則應(yīng)取 3000 Gauss 左右,以避免鐵心因高溫而飽合,一般而言鐵心的尺寸越大,Ae 越高,所以可以做較大瓦數(shù)的 Power。
文件過大,需要完整版資料可下載附件查看哦!
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