? ? 引言 ? 在半導體制造領域,光刻膠剝離工藝是關鍵環(huán)節(jié),但其可能對器件性能產生負面影響。同時,光刻圖形的精確測量對于保證芯片制造質量至關重要。本文將探討減少光刻膠剝離工藝影響的方法,并介紹白光
發(fā)表于 06-14 09:42
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引言 在半導體制造與微納加工領域,光刻膠剝離液是光刻膠剝離環(huán)節(jié)的核心材料,其性能優(yōu)劣直接影響光刻膠去除效果與基片質量。同時,精準測量光刻圖形對把控工藝質量意義重大,白光干涉儀為此提供了
發(fā)表于 05-29 09:38
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光刻膠類型及特性光刻膠(Photoresist),又稱光致抗蝕劑,是芯片制造中光刻工藝的核心材料。其性能直接影響芯片制造的精度、效率和可靠性。本文介紹了光刻膠類型和
發(fā)表于 04-29 13:59
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光刻膠是半導體制造等領域的一種重要材料,在整個電子元器件加工產業(yè)有著舉足輕重的地位。 它主要由感光樹脂、增感劑和溶劑等成分組成。其中,感光樹脂決定了光刻膠的感光度和分辨率等關鍵性能,增感劑有助于提高
發(fā)表于 12-19 13:57
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光刻膠作為掩模進行干法刻蝕或是濕法腐蝕后,一般都是需要及時的去除清洗,而一些高溫或者其他操作往往會導致光刻膠碳化難以去除。
發(fā)表于 11-11 17:06
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共讀好書關于常用光刻膠型號也可以查看這篇文章:收藏!常用光刻膠型號資料大全,幾乎包含所有芯片用光刻膠歡迎掃碼添加小編微信掃碼加入知識星球,領取公眾號資料
發(fā)表于 11-01 11:08
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本文介紹了光刻膠的使用過程與原理。
發(fā)表于 10-31 15:59
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在微流控PDMS芯片加工的過程中,需要使用烘膠臺或者烤膠設備對SU-8光刻膠或PDMS聚合物進行烘烤。SU-8光刻膠的烘烤通常需要進行2-3次。本文簡要介紹SU-8
發(fā)表于 08-27 15:54
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存儲時間 正膠和圖形反轉膠在存儲數月后會變暗,而且隨著儲存溫度升高而加速。因為該類型光刻膠含有的光活性化合物形成偶氮染料,在 可見光譜的部分具有很強的吸收能力,對紫外靈敏度沒有任何影響。這種變色過程
發(fā)表于 07-11 16:07
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為了確保光刻工藝的可重復性、可靠性和可接受性,必須在基板表面上均勻涂覆光刻膠。光刻膠通常分散在溶劑或水溶液中,是一種高粘度材料。根據工藝要求,有許多工藝可用于涂覆光刻膠。 旋涂是用
發(fā)表于 07-11 15:46
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根據光刻膠的應用工藝,我們可以采用適當的方法對已顯影的光刻膠結構進行處理以提高其化學或物理穩(wěn)定性。通常我們可以采用烘烤步驟來實現(xiàn)整個光刻膠結構的熱交聯(lián),稱為硬烘烤或者堅膜。或通過低劑量紫外線輻照
發(fā)表于 07-10 13:46
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評價一款光刻膠是否適合某種應用需要綜合看這款光刻膠的特定性能,這里給出光刻膠一般特性的介紹。 1. 靈敏度 靈敏度(sensitivity)是衡量曝光速度的指標。光刻膠的靈敏度越高,所
發(fā)表于 07-10 13:43
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后烘是指(post exposure bake-PEB)是指在曝光之后的光刻膠膜的烘烤過程。由于光刻膠膜還未顯影,也就是說還未閉合,PEB也可以在高于光刻膠軟化溫度的情況下進行。前面的文章中我們在
發(fā)表于 07-09 16:08
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圖形反轉膠是比較常見的一種紫外光刻膠,它既可以當正膠使用又可以作為負膠使用。相比而言,負膠工藝更被人們所熟知。本文重點介紹其負
發(fā)表于 07-09 16:06
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我們在使用光刻膠的時候往往關注的重點是光刻膠的性能,但是有時候我們會忽略光刻膠的保存和壽命問題,其實這個問題應該在我們購買光刻膠前就應該提出并規(guī)劃好。并且,在
發(fā)表于 07-08 14:57
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