NP60P02G 20V p通道增強模式MOSFET
描述
NP60P02G采用了先進的溝槽技術
提供卓越的RDS(ON)
一般特征
較低的門
電荷。它可以用于各種各樣的應用。
?VDS = -20v id
R
= -60
DS(上)(Typ) = 4.8Ω@VGS
R
= -4.5 v
DS(上)(Typ) = 5.6Ω@VGS
?為超低R設計的高密度電池
= -2.5 v
?充分描述雪崩電壓和電流
DS(上)
?穩定性好，均勻性好，E值高
?優秀的包裝，良好的散熱
作為
應用程序
?負荷開關
包
?- 252 - 2 - l
訂購信息
絕對最大額定值(除非另有說明，TA=25℃)
電特性(除非另有說明，TA=25℃)
注:1:脈沖測試;脈沖寬度≦300ns，占空比≦2%。
2:設計保證，不經生產檢驗。
熱特性
審核編輯 黃昊宇
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