當下，DDR5內(nèi)存還遠未到要主流普及的程度。不過，DRAM內(nèi)存芯片的頭部廠商們已經(jīng)著手DDR6研制了。

日前在韓國水原舉辦的一場研討會上，三星測試與系統(tǒng)封裝副總裁Younggwan Ko表示，為適配半導體存儲產(chǎn)品的性能的增長，封裝技術(shù)必須不斷進步。

會上，他明確，在DDR6內(nèi)存芯片的開發(fā)中，三星將使用MSAP，也就是改良型半加成工藝（Modified semi-additive process）。

資料顯示，MSAP起初應用于IC載板高精密線路制作，技法是首先在附有超薄底銅的基板上貼合干膜使用正片進行圖形轉(zhuǎn)移，再通過圖形電鍍加成形成線路，最后去除干膜和底銅完成高精密布線，以實現(xiàn)提升PCB的高頻高速性能。

和當前三星使用的隆起法相比，MSAP在空白部分也要鍍層。

Ko指出，DDR6的存儲容量和處理速度將大幅增加，需要更多的堆疊層數(shù)，對封裝技術(shù)來說既是機遇也是挑戰(zhàn)。

另外，Ko也坦言，友商（SK海力士）已經(jīng)先于自己在DDR5顆粒上使用MSAP技術(shù)了。

事實上，雖然出貨上仍舊是DRAM龍頭老大，但三星在技術(shù)開發(fā)上的確出現(xiàn)落后，拋開上文的MSAP，1a DRAM芯片量產(chǎn)進度也不及SK海力士和美光。

事實上，這不是三星第一次提到DDR6內(nèi)存，實際上去年底三星就公布了DDR6內(nèi)存的路線圖，相比DDR5內(nèi)存來說會進一步提升內(nèi)存頻率、容量。

具體來說，三星之前提到DDR6會比DDR5頻率再次翻倍，達到了12.8GHz（或者12.8Gbps），超頻頻率則可以達到17GHz，是DDR5的2倍、DDR4的4倍。

不過這顯然不是極限，實際上現(xiàn)在的DDR5內(nèi)存頻率已經(jīng)沖到了12.6GHz，DDR6未來的頻率上限超過20GHz也不是沒可能。

除了頻率之外，DDR6的內(nèi)存容量也有大漲，每個內(nèi)存條內(nèi)的通道數(shù)翻倍到4通道，bank容量從16提升到64，這些都會數(shù)倍提升DDR6的內(nèi)存容量，考慮到現(xiàn)在都可以制造出單條256GB的內(nèi)存，未來單條1TB的DDR6內(nèi)存不是夢。

按照三星的計劃，DDR6預計會在2024年完成設計，不過2025年之前是不可能見到產(chǎn)品的，未來普及的話可能更遠，畢竟DDR5現(xiàn)在也就是剛剛商用階段。