下一代氮化鎵帶來MHz級性能，減少超過60%元件數量及電路尺寸

2022年9月7日——加利福尼亞州埃爾塞貢多訊，唯一全面專注的下一代功率半導體公司及氮化鎵功率芯片行業領導者——納微半導體（納斯達克股票代碼：NVTS），今日發布了半導體行業首個GaNSense半橋氮化鎵功率芯片。相比于現有的分立式方案，半橋功率芯片可實現MHz級的開關頻率，將有效降低系統損耗和復雜度。

GaNSense半橋氮化鎵功率芯片集成了兩個GaN FETs 和驅動器，以及控制、電平轉換、傳感和保護功能，為電子元件創建了一個易于使用的系統構建塊。相較分立式方案，革命性的單片集成方案能有效減少60%的元件數量及布局結構，進而減少系統成本、尺寸、重量與復雜性。

集成的GaNSense技術實現了前所未有的自動保護，提升了系統可靠性和穩定性，并結合了無損電流感測，達到更高層級的效率和節能水平。

高度的集成解決了電路寄生和延遲問題，使得廣泛的AC-DC電源拓撲包括LLC諧振、非對稱半橋（AHB）、有源鉗位反激（ACF）在MHz頻率下的運行成為了可能。GaNSense半橋氮化鎵功率芯片同時還完美適配圖騰柱PFC以及其他電機驅動的應用。

GaNSense半橋芯片預計會對納微半導體所有的目標市場產生重大影響，如手機移動快充、消費電子電源、數據中心電源供應、太陽能逆變器、能源儲存以及電動汽車應用。

“在70年代末80年代初，雙極晶體管被硅MOSFET取代。而納微半導體氮化鎵技術的問世，代表了第二次電源革命——開關頻率和效率極大提高，系統尺寸和成本大幅銳減。我們早期的GaNFast氮化鎵功率芯片已經實現了從50-60kHz到200-500kHz的跨越，如今，GaNSense半橋芯片更是將這些優勢帶到了MHz的級別。氮化鎵的革命仍在持續！”

——納微半導體首席執行官兼聯合創始人

Gene Sheridan

初代GaNSense半橋氮化鎵功率芯片系列產品，包括了NV6247（2×160mΩ），額定電壓為650V，以及NV6245C（2×275mΩ），二者均采用工業標準、薄型、低電感的6 x 8mm PQFN封裝。

其中，NV6247將立刻進入量產，交付周期為16周；NV6245C目前將對部分客戶發送樣品，預計將在2022年的第四季度面向所有客戶進行量產。接下來的幾個季度，我們將陸續推出采用更多封裝方式和更廣功率級別的GaNSense半橋氮化鎵功率芯片。更多細節，歡迎您參考納微半導體的AN018應用手冊。