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納芯微推出基于“ADAPTIVE OOK”技術(shù)的增強(qiáng)型數(shù)字隔離芯片

皇華ameya ? 來源:年輕是一場旅行 ? 作者:年輕是一場旅行 ? 2022-09-26 15:21 ? 次閱讀
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國內(nèi)領(lǐng)先的信號鏈芯片及其解決方案提供商蘇州納芯微電子股份有限公司(以下簡稱“納芯微”)宣布推出基于其特有的“Adaptive OOK”技術(shù)的新一代增強(qiáng)型數(shù)字隔離芯片NSi82xx系列。該產(chǎn)品滿足VDE加強(qiáng)絕緣標(biāo)準(zhǔn),并符合AEC-Q100汽車級規(guī)范,在浪涌耐壓能力、ESD能力以及抗共模瞬態(tài)干擾度等技術(shù)指標(biāo)上均有大幅度提升,可應(yīng)用于各類高隔離耐壓及需要加強(qiáng)絕緣認(rèn)證的復(fù)雜系統(tǒng)中。

NSi82xx系列采用創(chuàng)新性的“Adaptive OOK”技術(shù),將抗共模瞬態(tài)干擾能力提升至200kV/us以上,使得該產(chǎn)品具有更強(qiáng)的可靠性和穩(wěn)定度,更加符合GaN、MOSFE等高速開關(guān)場合對快速瞬態(tài)干擾免疫的嚴(yán)苛要求。基于滿足加強(qiáng)絕緣標(biāo)準(zhǔn)的隔離工藝,NSi82xx的內(nèi)部隔離層耐壓提升至12kVrms 以上,浪涌耐壓提升至10kV以上,并使其達(dá)到雙邊ESD耐壓超過15kV、絕緣工作電壓超過1500Vrms的能力。該隔離工藝已經(jīng)過充分的可靠性驗證,滿足批量產(chǎn)品化要求。

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相較于前一代NSi81xx系列數(shù)字隔離芯片,NSi82xx在隔離層耐壓、浪涌耐壓、最小抗共模瞬態(tài)干擾度及抗電源噪聲能力等性能上均有較大幅度提升。此外,其型號覆蓋單通道至六通道,產(chǎn)品系列更加豐富。

NSi82xx系列數(shù)字隔離芯片可應(yīng)用在通信數(shù)字電源、工控、光伏、新能源汽車等系統(tǒng)中,特別適合于對隔離耐壓要求較高、需要加強(qiáng)絕緣的各類嚴(yán)苛應(yīng)用環(huán)境。

審核編輯 黃昊宇

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