8.1 電容觸摸簡介

8.1.1 電容觸摸概述

隨著科技的發(fā)展，傳統(tǒng)的機械按鍵正在逐步從設(shè)備上面消失，這個原因主要有機械按鍵由于是采用機械接觸的方式，壽命比較短，從用戶體驗上看，機械按鍵也顯得操作復雜，對比現(xiàn)在的電容按鍵，電容按鍵具有壽命長，因為不存在機械接觸，占用空間少，以前的機械按鍵在設(shè)計外殼的時候需要考慮尺寸，現(xiàn)在換成電容按鍵后這個問題不再需要考慮。

8.1.2 檢測原理

常規(guī)的檢測方式一般是通過計算電容放電時間來判斷是否有手指按下，這是因為手指會與線路板的銅箔接觸面上產(chǎn)生電容效應(yīng)，當手指沒有放在銅箔上的時候，銅箔與PCB之間存在雜散電容，這兩個狀態(tài)的電容值差別很大，檢測原理如下圖所示。

在檢測之前首先用開關(guān)將電容Cs里面的電荷放盡，然后此時CPU開始計算Cs的充電時間，這一部分是采用捕捉信號來測量，盡管單片機屬于數(shù)字電路，但是數(shù)字電路的邏輯電平也是有電壓限制的，比如在3.3V供電環(huán)境下，當電壓大于2.4V則被認為是邏輯電平1，當電壓小于0.4V則被認為是邏輯電平0，單片機的輸入捕獲功能來判斷輸入信號的電平是否為邏輯電平1，如果檢測到邏輯電平1，則認為電容此時充電達到了2.4V以上，將這個時間記錄下來，當手指放在銅箔上的時候，相當于增加了Cs的容值，此時我們繼續(xù)進行輸入捕獲采樣，將這個捕獲的時間記錄下來，兩個時間求差值，這個差值高于某個閾值的時候就可以認為此時手指按下了電容按鍵，用這種方式就可以實現(xiàn)虛擬按鍵的使用了。這種檢測原理實際是采用了在電路分析中學習到的RC電路的零狀態(tài)響應(yīng)來實現(xiàn)的。根據(jù)RC電路的零狀態(tài)響應(yīng)可以得出電容的充電公式為

其中Vc表示電容的充電電壓，VDD為RC電路的輸入電壓，R為電阻的阻值，C為充電電容的容值，通過這個公式我們可以反推得到充點電容的容值。也就是說我們可以利用這個公式實現(xiàn)電容的測量。

8.1.3 預(yù)備知識

首先我們在進行電容觸摸檢測的時候需要用到STM32的輸入捕獲功能，從這一章開始，關(guān)于寄存器文件的添加，驅(qū)動文件的添加不再作為重點，重點開始轉(zhuǎn)為程序的編寫及小算法的編寫。

輸入捕獲的工作原理如下圖所示。

首先設(shè)置定時器的輸入通道為上升沿捕獲，檢測到上升沿之后，將計數(shù)寄存器CNT中的數(shù)據(jù)存儲在CCRx1中并清空CNT的數(shù)據(jù)，然后設(shè)置定時器的輸入通道為下降沿捕獲，檢測到下降沿后將計數(shù)寄存器CNT中的數(shù)據(jù)存儲在CCRx2中并清空CNT的數(shù)據(jù)，此時將CCRx2的值與CCRx1的值做差值就可以得到1個波形中高電平的時間，由于這兩個數(shù)值獲取的過程中，會由于高電平時間過長導致定時器產(chǎn)生多次中斷，這個多次中斷的值記為N，此時高電平的時間計算公式如下所示：

其中M為定時器的計數(shù)周期，N為定時器的溢出次數(shù)，ARR為自動重裝載計數(shù)器的值，CCRx2為捕獲到的數(shù)據(jù)。

8.2 常用寄存器

8.2.1 捕獲/比較寄存器1：TIMx_CCMR1

ICxF[3:0]：輸入捕獲x濾波器（定義輸入采樣頻率及數(shù)字濾波器長度）

ICxPSC[1:0]：輸入/捕獲x預(yù)分頻器（一旦CCxE=0，則預(yù)分頻器復位）

00：每1個事件觸發(fā)一次捕獲

   01：每2個事件觸發(fā)一次捕獲

   10：每4個事件觸發(fā)一次捕獲

   11：每8個事件觸發(fā)一次捕獲

CCxS[1:0]：捕獲/比較x選擇（用于定義通道x輸入還是輸出）

00：輸出模式

   01：輸入模式，映射在TI1上

   10：輸入模式，映射在TI2上

   11：輸入模式，映射在TRC上，此模式引用于內(nèi)部觸發(fā)器輸入被選中時

8.2.2 捕獲/比較使能寄存器：TIMx_CCER

CCxP：輸入/捕獲x輸入/輸出極性

通道在輸出模式下

0：高電平有效

   1：低電平有效

通道在輸入模式下

0：不反相，上升沿觸發(fā)

   1：反相，下降沿觸發(fā)

CCxE：輸入/捕獲x輸入/輸出使能

通道在輸出模式下

0：關(guān)閉輸出

   1：開啟輸出

通道在輸入模式下

0：禁止捕獲

   1：使能捕獲