輸出電容對(duì)低頻特性的影響
小川今天給大家介紹的是輸出電容對(duì)低頻特性的影響的Multisim仿真及分析。希望大家能夠多多支持。
上一篇文章說到了兩種電容，也講到了其中的一種電容，這次將輸出電容對(duì)低頻特性的影響。
仿真前
仿真中
波特圖
有心的同學(xué)可以去我前兩篇文章觀察電路的區(qū)別，能從中領(lǐng)悟到一些東西。
本例測量輸出電容的影響。保持其他元件參數(shù)不變，僅輸出電容由10μF減為1μF。波特圖儀可以測量放大電路的頻率響應(yīng)分幅頻特性和相頻特性。雙擊波特圖儀圖標(biāo)，按下述要求調(diào)節(jié)：Mode區(qū)，選擇Magnitude；Horizontal區(qū)，選擇Log，F(xiàn)值為100MHz，I值為1Hz；Vertical區(qū)，選擇Log，F(xiàn)值為40dB，I值為-20dB。打開電源開關(guān)，就觀察到完整的幅頻特性曲線。拖動(dòng)讀數(shù)指針在曲線中間部位，測量出中頻時(shí)的增益，再分別求出高、低端的-3db頻率點(diǎn)，測得 f（L）=35Hz。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
電容
+關(guān)注
關(guān)注
100文章
6241瀏覽量
153541 -
仿真
+關(guān)注
關(guān)注
51文章
4250瀏覽量
135450 -
Multisim
+關(guān)注
關(guān)注
135文章
760瀏覽量
117104 -
低頻特性
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
4瀏覽量
6263 -
輸出電容
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
116瀏覽量
8652
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
射極旁路電容對(duì)低頻特性的影響
小川今天給大家介紹的是射極旁路電容對(duì)低頻特性的影響的Multisim仿真及分析。希望大家能夠多多支持。
發(fā)表于 02-25 10:22
?1716次閱讀
為什么電容通高頻阻低頻？
為什么電容通高頻阻低頻？解釋一：電容器有一個(gè)充放電的時(shí)間問題。當(dāng)交流電的正半周，給電容器充電的瞬間，電路是有電流流過的，相當(dāng)于通路，一旦電容
發(fā)表于 11-01 10:04
怎么判斷一個(gè)電容是高頻電容還是低頻電容？
不是產(chǎn)生高頻或低頻，而是電容器適用于高頻或低頻電路。獨(dú)石電容、紙介電容、電解電容、
發(fā)表于 11-26 09:38
?9.9w次閱讀
輸入電容對(duì)低頻特性的影響
小川今天給大家介紹的是輸入電容對(duì)低頻特性的影響的Multisim仿真及分析。希望大家能夠多多支持。
極間電容影響的是高頻還是低頻
極間電容主要影響的是 高頻信號(hào) ，而非低頻信號(hào)。這一結(jié)論可以從以下幾個(gè)方面進(jìn)行解釋： 1. 阻抗特性 極間電容的阻抗（Z）與其容值（C）和信號(hào)頻率（f）成反比，即Z = 1/(2πfC
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論