DRAM 存儲器是任何計(jì)算設(shè)備的“心臟”，例如智能手機(jī)、筆記本電腦、服務(wù)器等。LPDDR4 主要用于提高智能手機(jī)、平板電腦和超薄筆記本電腦等移動(dòng)計(jì)算設(shè)備的內(nèi)存速度和效率。它支持高達(dá) 4267Mbps 的速度（是 LPDDR3 速度的兩倍）和 1.1 V 輸入/輸出緩沖功率，以及與前代產(chǎn)品 （LPDDR3/LPDDR2） 相比的許多其他改進(jìn)。以下是所有三代 LPDDR 之間主要功能的比較。

雙通道架構(gòu)

LPDDR4 的內(nèi)存架構(gòu)經(jīng)過修改，以實(shí)現(xiàn)更高的帶寬和更低的功耗，這是當(dāng)前一代計(jì)算設(shè)備的主要要求。它通過降低電源電壓來降低功耗，同時(shí)增加帶寬。

LPDRR4內(nèi)存的架構(gòu)支持雙通道，而LPDDR3/LPDDR2僅支持單通道設(shè)備。在單通道中，數(shù)據(jù)信號需要在存儲器陣列和I/O焊盤之間傳輸更長的距離，因此傳輸數(shù)據(jù)會(huì)消耗更多的功率。雙通道有助于提供更短的數(shù)據(jù)路徑，從而減少延遲和功耗，從而提供輸出數(shù)據(jù)，從而以低功耗實(shí)現(xiàn)更高的帶寬。命令地址 （CA） 引腳也從 10 個(gè)減少到 6 個(gè)，其中包含命令、地址和庫信息。雙通道架構(gòu)可容納 32 個(gè)數(shù)據(jù)位 （16×2），每通道 16 個(gè)數(shù)據(jù)位。

LPDDR4 具有切換頻率點(diǎn)的能力，為快速切換提供了靈活性。它包含兩個(gè)頻率設(shè)定點(diǎn)（FSP），以便首先將工作頻率相關(guān)信息存儲在FSP（所有DRAM寄存器的副本）中，然后在存儲的工作頻率之間切換，并進(jìn)行單模式寄存器寫入更改。這意味著開關(guān)工作頻率的延遲顯著減少，從而降低了功耗。

LPDDR4X

除了LPDDR4，市場上還有一種名為LPDDR4X的變體。該變體旨在進(jìn)一步降低功耗，尤其是在智能手機(jī)中。它與 LPDDR4 相同，只是消耗的功率更少（LPDDR4X：0.6 伏與 LPDDR4：1.1 伏）。

LPDDR4 包裝

LPDDR4 支持三種不同的封裝組合：

標(biāo)準(zhǔn)封裝：僅包含具有標(biāo)準(zhǔn) （4x） 雙通道的 LPDDR32 芯片。

字節(jié)模式封裝：僅包含字節(jié)模式 LPDDR4 芯片，其 DQ 連接到較低字節(jié) （DQ [7：0]） 或較高字節(jié) （DQ [15：8]）。

混合模式封裝：包含標(biāo)準(zhǔn)和字節(jié)模式 LPDDR4 芯片，其中一些列僅包含標(biāo)準(zhǔn)芯片，一些僅包含字節(jié)模式芯片。

審核編輯：郭婷