概述
之前我們介紹了基于思睿達主推CR5149TJ的18W電源適配器解決方案。在本文,我們將介紹基于思睿達主推的CR5159TN+CR85V25RS_27W電源適配器方案。
01
樣機介紹
該測試報告是基于一個能適用于寬輸入電壓范圍,輸出功率27W方案,輸出9V3A 的工程樣機,控制IC采用了思睿達主推的CR5159TN和CR85V25RS。

CR5159TN
CR5159TN是一款采用內置高壓功率MOSFET的高集成度、低待機功耗CCM+PFM混合電流模式PWM控制開關。CR5159TN輕載時會降低頻率,最低頻率22kHz可避免音頻噪聲。CR5159TN提供了完整的保護功能,如OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等。軟啟動功能可以減少系統啟動時MOSFET的應力,前沿消隱時間簡化了系統應用。通過頻率抖動和軟驅動電路的設計,降低開關噪聲,簡化了EMI設計。CR5159TN提供DIP-8L的封裝。CR5159TN 芯片特性:● CR5159TN是采用內置650V 高壓功率MOSFET,反激式PWM 功率開關;●較低的啟動電流 (大約3μA)●滿足六級能效標準● 內置軟啟動,減小MOSFET 的應力;● 內置同步斜坡補償電路,消除次諧波振蕩;● 65kHz 開關頻率,具有頻率抖動功能,使其具有良好的EMI 特性;●輕載降低工作頻率● 全電壓輸入范圍,待機功耗:< 75mW;● 具有“軟啟動、OCP、SCP、OTP、OVP 自動恢復等保護功能;● 電路結構簡單、較少的外圍元器件,適用于小功率AC/DC 電源適配器、充電器;● CR5159TN還提供VDD電壓從8.5V至36.5V更寬的工作范圍。●內置前沿消隱電路●逐周期過流保護典型應用


CR85V25RS芯片特性:
● 支持CCM&QR&DCM 工作模式;● 內置85V 功率MOS 管;● 可自供電,支持正端/負端應用;● 精確的外圍電路;● VCC欠壓保護;● 最大支持150kHz 工作頻率。該樣機大小73.8mm×36.8mm,AC264V輸入待機功耗<75mW,平均效率>87.3%,能夠滿足“能源之星V2.0 VI級能效”與歐洲COCT2標準;具有“OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO ”等多種保護功能;軟啟動功能可以減少系統啟動時MOSFET的應力,前沿消隱時間簡化了系統應用。通過頻率抖動和軟驅動電路的設計,降低開關噪聲,簡化了EMI設計,CR5159TN還提供VDD電壓從8.5V至36.5V更寬的工作范圍。樣機的變壓器,采用了EE22加寬磁芯(PC95材質),變壓器繞制工藝部分,請見后文詳細說明。02
樣機特性
以下表格為工程樣機的主要特性,具體測試方法在第4章節中有詳細說明。2.1、輸入特性:

2.3、整機參數:




03
樣機結構信息
本小節展示了工程樣機的電路、版圖結構,變壓器結構及工藝。3.1、電路原理圖及PCB 版圖:(1)原理圖:






04
性能測評
樣機性能主要是針對工程樣機的輸入部分、輸出部分、各種保護以及一些時序進行了測試,以下詳解了測試方法及結果。從測試結果來看,以下各項測試均合格,能夠滿足大部分客戶的要求。4.1、輸入特性:本樣機經過在不同的輸入電壓(從90VAC 到264VAC)和不同負載條件(空載和滿載)下測試,得到待機功耗、效率及平均效率。表1 、無負載待機功耗






















05
其它重要波形測試:
DRAIN(綠)端、CS(藍色)端波形圖:





06
溫度測試
測試條件:40℃環境下滿載測試。
07
EMI 評估測試
7.1、測試條件:輸入:230VAC50Hz;輸出:9V3A;負載類型:電阻,限值標準參考:EN55013、EN55022B





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