聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
電源
+關(guān)注
關(guān)注
185文章
18329瀏覽量
255670 -
碳化硅
+關(guān)注
關(guān)注
25文章
3050瀏覽量
50263
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
基本半導(dǎo)體碳化硅 MOSFET 的 Eoff 特性及其在電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用
。其中,關(guān)斷損耗(Eoff)作為衡量器件開關(guān)性能的重要指標(biāo),直接影響著系統(tǒng)的效率、發(fā)熱和可靠性。本文將聚焦于基本半導(dǎo)體碳化硅 MOSFET 的 Eoff 特性,深入探討其技術(shù)優(yōu)勢及在

碳化硅功率器件有哪些特點(diǎn)
隨著全球?qū)G色能源和高效能電子設(shè)備的需求不斷增加,寬禁帶半導(dǎo)體材料逐漸進(jìn)入了人們的視野。其中,碳化硅(SiC)因其出色的性能而受到廣泛關(guān)注。碳化硅功率器件在
碳化硅功率器件的封裝技術(shù)解析
碳化硅(SiC)功率器件因其低內(nèi)阻、高耐壓、高頻率和高結(jié)溫等優(yōu)異特性,在電力電子系統(tǒng)中得到了廣泛關(guān)注和應(yīng)用。然而,要充分發(fā)揮SiC器件的性能
什么是MOSFET柵極氧化層?如何測試SiC碳化硅MOSFET的柵氧可靠性?
隨著電力電子技術(shù)的不斷進(jìn)步,碳化硅MOSFET因其高效的開關(guān)特性和低導(dǎo)通損耗而備受青睞,成為高功率、高頻應(yīng)用中的首選。作為碳化硅MOSFET
發(fā)表于 01-04 12:37
8英寸單片高溫碳化硅外延生長室結(jié)構(gòu)
隨著碳化硅(SiC)材料在電力電子、航空航天、新能源汽車等領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用,高質(zhì)量、大面積的SiC外延生長技術(shù)變得尤為重要。8英寸SiC晶圓作

碳化硅功率器件在能源轉(zhuǎn)換中的應(yīng)用
碳化硅(SiC)功率器件作為一種新興的能源轉(zhuǎn)換技術(shù),因其優(yōu)異的性能在能源領(lǐng)域受到了廣泛的關(guān)注。本文將介紹碳化硅功率器件的
碳化硅功率器件的優(yōu)勢和應(yīng)用領(lǐng)域
在電力電子領(lǐng)域,碳化硅(SiC)功率器件正以其獨(dú)特的性能和優(yōu)勢,逐步成為行業(yè)的新寵。碳化硅作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有高擊穿電場、高熱導(dǎo)率

碳化硅功率器件的原理簡述
隨著科技的飛速發(fā)展,電力電子領(lǐng)域也迎來了前所未有的變革。在這場變革中,碳化硅(SiC)功率器件憑借其獨(dú)特的性能優(yōu)勢,逐漸成為業(yè)界關(guān)注的焦點(diǎn)。本文將深入探討

碳化硅功率器件的優(yōu)點(diǎn)和應(yīng)用
碳化硅(SiliconCarbide,簡稱SiC)功率器件是近年來電力電子領(lǐng)域的一項(xiàng)革命性技術(shù)。與傳統(tǒng)的硅基功率

碳化硅功率器件的技術(shù)優(yōu)勢
隨著電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展,傳統(tǒng)的硅基功率器件因其物理特性的限制,已經(jīng)逐漸難以滿足日益增長的高性能、高效率、高可靠性的應(yīng)用需求。在這一背景下,碳化硅(SiC)功率
碳化硅功率器件的發(fā)展趨勢
隨著全球能源結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)型和電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展,碳化硅(SiC)功率器件作為新一代半導(dǎo)體材料,正逐漸成為電力
碳化硅功率器件的優(yōu)勢和分類
碳化硅(SiC)功率器件是利用碳化硅材料制造的半導(dǎo)體器件,主要用于高頻、高溫、高壓和高功率的電子應(yīng)用。相比傳統(tǒng)的硅(Si)基功率

評論