10.1.5 負柵電容晶體管∈《集成電路產業全書》
Negative Capative MOSFET(NC-MOSFET)
審稿人：北京大學 蔡一茂 喻志臻
https://www.pku.edu.cn
審稿人：北京大學 張興
10.1 非傳統新結構器件
第10章 集成電路基礎研究與前沿技術發展
《集成電路產業全書》下冊
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規問題，請聯系本站處理。
舉報投訴
-
晶體管
+關注
關注
77文章
10009瀏覽量
141370
發布評論請先 登錄
相關推薦
熱點推薦
下一代高速芯片晶體管解制造問題解決了！
大多數電路中，兩種晶體管共用一個柵極，但壁會阻擋這種連接，除非柵極延伸到其上方，這會增加不必要的電容。
最后，內壁叉柵僅覆蓋溝道的三面，與 GAA 設計相比，其控制能力有所減弱，尤其是
發表于 06-20 10:40
低功耗熱發射極晶體管的工作原理與制備方法
集成電路是現代信息技術的基石，而晶體管則是集成電路的基本單元。沿著摩爾定律發展，現代集成電路的集成度不斷提升，目前單個芯片上已經可以
無結場效應晶體管詳解
當代所有的集成電路芯片都是由PN結或肖特基勢壘結所構成：雙極結型晶體管（BJT）包含兩個背靠背的PN 結，MOSFET也是如此。結型場效應晶體管（JFET） 垂直于溝道方向有一個 PN結，隧道穿透
集成雙極晶體管的MOSFET驅動電路以及外圍器件選型設計講解
前言
在MOSFET驅動電路中，經常會遇到使用集成雙極晶體管BJT作為柵極驅動器的情況。這種設計在PWM控制或電機驅動中非常常見，尤其是在需要快速開關和高效率時。下面是一個典型的帶有BJT的柵極驅動
發表于 03-11 11:14
集成電路制造工藝中的偽柵去除技術介紹
本文介紹了集成電路制造工藝中的偽柵去除技術，分別討論了高介電常數柵極工藝、先柵極工藝和后柵極工藝對比，并詳解了偽柵去除工藝。 高介電常數金屬柵極工藝 隨著CMOS集成電路特征尺寸的持續
集成電路的引腳識別及故障檢測
一、集成電路的引腳識別 集成電路是在同一塊半導體材料上，利用各種不同的加工方法同時制作出許多極其微小的電阻、電容及晶體管等電路元器件，并將它
晶體管故障診斷與維修技巧 晶體管在數字電路中的作用
晶體管是現代電子設備中不可或缺的組件，它們在數字電路中扮演著至關重要的角色。了解如何診斷和維修晶體管故障對于電子工程師和技術人員來說是一項基本技能。 一、晶體管在數字
浮柵晶體管的組成結構以及原理
浮柵晶體管主要是應用于于非易失性存儲器之中，比如nand flash中的基本單元，本文介紹了浮柵晶體管的組成結構以及原理。 ? ? 上圖就是浮柵
達林頓晶體管概述和作用
達林頓晶體管（Darlington Transistor），或稱達林頓對（Darlington Pair），是電子學中一種由兩個（甚至多個）雙極性晶體管（或其他類似的集成電路或分立元件）組成的復合
基于鐵電晶體管科研，共探集成電路的創新之路
局限性，這促使學術界和產業界開始探索新的計算架構和信息器件。在后摩爾時代，鐵電晶體管（FeFET）作為一種新型的信息器件，因其在存儲和計算領域的潛在應用而備受關注。 泰克科技 與 北京大學集成電路學院唐克超課題組 聯合舉辦
單片集成電路和混合集成電路的區別
設計、制造、應用和性能方面有著顯著的差異。 單片集成電路（IC） 定義 單片集成電路是指在一個單一的半導體芯片（如硅片）上集成了多個電子元件（如晶體管、電阻、
CMOS晶體管的工作原理和結構
CMOS晶體管，全稱為互補金屬氧化物半導體晶體管，是現代電子設備中不可或缺的組成部分，尤其在計算機處理器和集成電路制造中扮演著核心角色。
芯片晶體管的深度和寬度有關系嗎
一、引言 有關系。隨著集成電路技術的飛速發展，芯片晶體管作為電子設備的核心元件，其性能的優化和制造技術的提升成為了行業關注的焦點。在晶體管的眾多設計參數中，深度和寬度是兩個至關重要的因素。它們不僅
工商網監
評論