DRAM和SRAM元器件原理
元器件原理＜DRAM＞
數(shù)據(jù)的寫(xiě)入方法
＜“1” 時(shí)＞
Word線電位為 high
Bit線電位為 high
Word線電位為 low
元器件原理＜SRAM＞
存儲(chǔ)單元構(gòu)成
由6個(gè)晶體管單元構(gòu)成
由4個(gè)晶體管單元（高電阻負(fù)載型單元）構(gòu)成
數(shù)據(jù)的寫(xiě)入方法
＜“1” 時(shí)＞
Word線電位為 high
給予Bit線的電位（D=low， D=high） → 確定觸發(fā)器的狀態(tài)
Word線電位為 low
數(shù)據(jù)的讀取方法
＜“1” 時(shí)＞
使Word線電位 off
對(duì)Bit線預(yù)充電（D， D與D相同的電位）
Word線電位為 high
Bit線變?yōu)?low、high的狀態(tài)
用感測(cè)放大器進(jìn)行增幅
通過(guò)觸發(fā)器電路存儲(chǔ)“1”、“0”
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
半導(dǎo)體
+關(guān)注
關(guān)注
335文章
28828瀏覽量
236196 -
DRAM
+關(guān)注
關(guān)注
40文章
2345瀏覽量
185432 -
存儲(chǔ)器
+關(guān)注
關(guān)注
38文章
7644瀏覽量
167033
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
愛(ài)上半導(dǎo)體之SRAM與DRAM#深度學(xué)習(xí) #電子元器件 #單片機(jī)開(kāi)發(fā)
DRAMsram存儲(chǔ)技術(shù)半導(dǎo)體存儲(chǔ)
從0到1
發(fā)布于 :2022年08月15日 00:04:59
DRAM,SRAM,SDRAM的關(guān)系與區(qū)別
。SRAM內(nèi)部采用的是雙穩(wěn)態(tài)電路的形式來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。所以SRAM的電路結(jié)構(gòu)非常復(fù)雜。制造相同容量的SRAM比DRAM的成本高的多。正因?yàn)槿绱耍攀蛊浒l(fā)展受到了限制。因此目前
發(fā)表于 08-15 17:11
EEPROM、EPROM、FLASH、SRAM、DRAM、SDRAM的區(qū)別.
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:01 編輯
EEPROM、EPROM、FLASH、SRAM、DRAM、SDRAM的區(qū)別.
發(fā)表于 12-20 15:19
DRAM，SRAM，F(xiàn)LASH和新型NVRAM：有何區(qū)別？
。盡管本文絕不是對(duì)所有內(nèi)存技術(shù)的全面討論，但在討論所提出的內(nèi)存技術(shù)時(shí)，DRAM，SRAM和FLASH可以為我們提供有用的比較點(diǎn)。DRAM盡管有各種各樣的可用RAM類型（具有不同的速度），但它們幾乎總是
發(fā)表于 09-25 08:01
導(dǎo)致DRAM比SRAM慢的原因有哪些
哈弗結(jié)構(gòu)是什么意思？加劇CPU和主存之間速度差異的原因有哪些？導(dǎo)致DRAM比SRAM慢的原因有哪些？虛擬存儲(chǔ)器的最大容量是由什么原因決定的？
發(fā)表于 08-11 08:07
SRAM與DRAM及其SDRAM有哪些區(qū)別呢
靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器SRAM是什么？有何優(yōu)缺點(diǎn)？動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器DRAM是什么？有何優(yōu)缺點(diǎn)？
發(fā)表于 12-24 07:04
基于SRAM和DRAM結(jié)構(gòu)的大容量FIFO的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)
基于SRAM 和DRAM 結(jié)構(gòu)的大容量FIFO 的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)作者：楊奇 楊瑩摘要：本文分別針對(duì)Hynix 公司的兩款SRAM 和DRAM 器件
發(fā)表于 02-06 10:41
?45次下載
DRAM SRAM SDRAM內(nèi)存精華問(wèn)題匯總
問(wèn)題1：什么是DRAM、SRAM、SDRAM？ 答：名詞解釋如下 DRAM--------動(dòng)態(tài)隨即存取器，需要不斷的刷新，才能保存數(shù)據(jù)，而且是行列地址復(fù)用的，許多都有頁(yè)模式 SRAM-
發(fā)表于 11-13 15:08
?4043次閱讀
DRAM、SRAM和Flash原理解析
DRAM、SRAM和Flash都屬于存儲(chǔ)器，DRAM通常被稱為內(nèi)存，也有些朋友會(huì)把手機(jī)中的Flash閃存誤會(huì)成內(nèi)存。SRAM的存在感相對(duì)較弱，但他卻是CPU性能發(fā)揮的關(guān)鍵。
發(fā)表于 07-29 11:14
?1.3w次閱讀
SRAM和DRAM的區(qū)別
SRAM的S是Static的縮寫(xiě)，全稱是靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。而DRAM的D是Dynamic的縮寫(xiě)，全稱是動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。這兩者有什么區(qū)別呢？首先我們看看SRAM的結(jié)構(gòu)，你可以網(wǎng)上搜索一下有很多資料介紹
SRAM和DRAM的介紹，它們的原理以及特點(diǎn)是怎樣的
SRAM不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。SRAM具有較高的性能，功耗較小。SRAM主要用于二級(jí)高速緩存。它利用晶體管來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。但是SRAM也有它的缺點(diǎn)，集成度較低，相同容量的
發(fā)表于 01-11 16:48
?2.2w次閱讀
SRAM和DRAM有什么區(qū)別
靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（Static Random Access Memory，簡(jiǎn)稱SRAM）和動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（Dynamic Random Access Memory，簡(jiǎn)稱DRAM）是兩種不同類
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論