中芯國際公布“半導體結(jié)構(gòu)及其形成方法”專利
最近，中芯國際有許多新的專利信息，其中發(fā)明專利名稱為“半導體結(jié)構(gòu)及形成方法”，公開編號為cn116508133a。
根據(jù)專利要點，具體的形成方法是提供包括目標層的基礎(chǔ)（base）， base包括用于形成目標圖像層的目標區(qū)域和與截斷位置相對應(yīng)的截斷區(qū)域。
基底上形成口罩側(cè)壁。以面罩側(cè)壁為面罩，圖形花木表層形成分立的初期圖形層，初期圖形層橫向延長，橫向和垂直方向縱向，靠近縱向的初期圖形層之間形成凹槽。在目標區(qū)域和截斷區(qū)域的邊界上形成貫穿初期圖像層的邊界槽。
在槽和邊界槽中形成間隔層。以位于邊界定義槽上的圖層和槽間隔的間隔圖層分別應(yīng)對橫向及縱向的靜止層疊，切割領(lǐng)域的初期圖片圖層和剩下的初期圖形對象領(lǐng)域的目標圖形對象的層疊。
據(jù)悉，上述發(fā)明專利有利于增加大刻蝕切割區(qū)早期圖像層的技術(shù)窗口。
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