在完成了AEC Q100 F組的兩項(xiàng)內(nèi)容介紹后，關(guān)于AEC文件中測(cè)試方法和統(tǒng)計(jì)指導(dǎo)的幾個(gè)內(nèi)容都已經(jīng)完成，這幾個(gè)內(nèi)容對(duì)于剛接觸AEC認(rèn)證和車規(guī)體系的朋友們理解起來(lái)可能有些吃力，所以在此進(jìn)行一下總結(jié)和對(duì)比。

實(shí)際上縱觀整個(gè)AEC相關(guān)附件和AEC Q100的內(nèi)容，除了對(duì)認(rèn)證的樣品測(cè)試有著嚴(yán)格的要求，也對(duì)生產(chǎn)測(cè)試數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)和監(jiān)控有著嚴(yán)格的要求和定義，但是維度缺少了對(duì)測(cè)試設(shè)備穩(wěn)定性的要求，雖然這在E組第5項(xiàng)ED電分配中有所提及，但是并沒有具體的測(cè)試設(shè)備驗(yàn)收指導(dǎo)方案，不過(guò)我相信各個(gè)車規(guī)零部件生產(chǎn)企業(yè)，都具備16949的質(zhì)量體系，那么自然也就知道測(cè)試設(shè)備如何Release，我也寫了一個(gè)關(guān)于MSA的文章進(jìn)行了深入的介紹和解讀，在此就不詳細(xì)展開，我們還是回到AEC Q100文件本身。

首先我們?cè)倩貞浺幌逻@幾項(xiàng)驗(yàn)證內(nèi)容在AEC Q100圖2中的位置。

如圖中所示，此5項(xiàng)內(nèi)容分布在E和F組，分別屬于E組電性能驗(yàn)證測(cè)試的E5-ED、E6-FG、E7-CHAR，和F組缺陷篩查測(cè)試的F1-PAT和F2-SBA。實(shí)際上PAT、SBA、CHAR又分別對(duì)應(yīng)是AEC Q001、002、003三個(gè)附件文件，是AEC認(rèn)證的通用指導(dǎo)文件。FG對(duì)應(yīng)AEC Q100-007，ED對(duì)應(yīng)AEC Q100-009兩個(gè)AEC Q100的附件。包含的信息量很大。

閱讀過(guò)程會(huì)發(fā)現(xiàn)5個(gè)文件內(nèi)容互相提及并引用，導(dǎo)致朋友們不把5個(gè)文件都看完似乎都很難理解其中某一項(xiàng)的內(nèi)容。

還是先逐項(xiàng)解讀下對(duì)應(yīng)的內(nèi)容，按照比較容易理解的前后順序進(jìn)行介紹：

E6 - FG 故障分級(jí)

FG的題目與翻譯們，不太容易明白，其實(shí)FG項(xiàng)目就是芯片規(guī)劃測(cè)試方法以及相應(yīng)測(cè)試覆蓋率即芯片制造過(guò)程測(cè)試程序的評(píng)價(jià)，能否模擬芯片在實(shí)際運(yùn)行時(shí)的各種狀態(tài)，能否完整地測(cè)試芯片輸入與輸出，F(xiàn)G只面向數(shù)字信號(hào)及數(shù)模混合信號(hào)中數(shù)字部分。（模擬輸出部分在原則上要求100%檢測(cè)，因此不需要通過(guò)此分級(jí)）

FG主要研究輸入和輸出出現(xiàn)卡滯現(xiàn)象、信號(hào)無(wú)法正常響應(yīng)但又無(wú)法檢測(cè)出的可能性。

E7 - CHAR 特征特性

CHAR內(nèi)容，目的是告訴大家如何確定一個(gè)產(chǎn)品的規(guī)格書參數(shù)和規(guī)格書上下限的制定，要在確保產(chǎn)品工藝制程穩(wěn)定性的前提下（Cpk>1.67），根據(jù)對(duì)多批次產(chǎn)品的實(shí)際測(cè)試結(jié)果給出一個(gè)適當(dāng)?shù)囊?guī)格書參數(shù)及范圍。（有朋友會(huì)有疑問，把上下限放大，Cpk自然就好，這個(gè)說(shuō)法確實(shí)沒錯(cuò)，但是上下限放的過(guò)大，客戶也會(huì)對(duì)產(chǎn)品的精確度產(chǎn)生懷疑，會(huì)影響此產(chǎn)品的應(yīng)用，所以需要根據(jù)實(shí)際情況選擇一個(gè)最合適的參數(shù)。）

在新產(chǎn)品推出時(shí)和產(chǎn)品變更時(shí)，都要執(zhí)行CHAR的流程來(lái)重新定義規(guī)格書。

E5 - ED 電性能分配

ED檢測(cè)內(nèi)容中，還統(tǒng)計(jì)了多批產(chǎn)品檢測(cè)結(jié)果中Cpk的數(shù)值，規(guī)定為Cpk應(yīng)在1.67以上。但ED項(xiàng)目一定要使用規(guī)格書參數(shù)作為基準(zhǔn)，并經(jīng)過(guò)對(duì)測(cè)試設(shè)備偏差校正才能得到結(jié)果，因此ED項(xiàng)目一定是CHAR以后才可以實(shí)施，沒有規(guī)格書參數(shù)ED項(xiàng)目就不能實(shí)施。

CHAR針對(duì)產(chǎn)品生產(chǎn)的實(shí)際狀況設(shè)定規(guī)格書參數(shù)；ED在對(duì)擬定的規(guī)格書參數(shù)進(jìn)行校驗(yàn)之后，剩余批次生產(chǎn)過(guò)程的穩(wěn)定性能否滿足規(guī)格書參數(shù)。

F1 - PAT 過(guò)程平均測(cè)試

PAT內(nèi)容，就是要按照實(shí)際生產(chǎn)過(guò)程不斷地修改規(guī)格書所界定的上限與下限，從而保證所生產(chǎn)產(chǎn)品的質(zhì)量可靠一致，這里需要了解一下幾種上限與下限之間的差異，LSL/USL為規(guī)格書定義的上限，LTL/UTL為測(cè)試程序定義的上限，PAT為根據(jù)Robust均值與Robust標(biāo)準(zhǔn)差所定義的上限。從理論上講，LSL/USL的范圍>LTL/UTL的范圍>PAT Limit的范圍，而AEC文件中定義的部分測(cè)試內(nèi)容必須使用PAT的極限作為L(zhǎng)TL和UTL，所以說(shuō)PAT就是將測(cè)試的要求變得更加嚴(yán)格。

PAT實(shí)踐，其實(shí)是避免了前面講到CHAR工藝中為保證Cpk一味放大上下限而忽視了提高生產(chǎn)工藝穩(wěn)定性。

看了這篇文章你就會(huì)明白車規(guī)芯片認(rèn)證有多么嚴(yán)格了，在實(shí)際的生產(chǎn)過(guò)程當(dāng)中，我并不肯定會(huì)有多少公司能做這件事，但這的確是流程要求必須要落實(shí)的。

F2 - SBA 統(tǒng)計(jì)良率/分bin分析

相對(duì)于上述幾個(gè)互相糾纏的概念，SBA的理解就容易很多，SBA實(shí)際上包含兩個(gè)內(nèi)容，一是SYA Statistical Yield Analysis，二是SBA Statistical Bin Analysis。內(nèi)容是要根據(jù)生產(chǎn)過(guò)程中至少6個(gè)批次的良率和分bin統(tǒng)計(jì)，對(duì)任何低于SYL1或超過(guò)SBL1的晶圓或批次都應(yīng)標(biāo)記以供工程評(píng)審。此外，對(duì)任何低于SYL2或超過(guò)SBL2的批次都要求被隔離并給出改善措施。

注意的是，SBA內(nèi)容要求使用PAT的上下限進(jìn)行統(tǒng)計(jì)，這也加大了對(duì)生產(chǎn)工藝穩(wěn)定性的要求。

上面是對(duì)5項(xiàng)內(nèi)容進(jìn)行了總結(jié)，簡(jiǎn)單歸納總結(jié)一下：

首先必須根據(jù)FG要求定義測(cè)試覆蓋率；

然后要根據(jù)CHAR要求定規(guī)格書參數(shù)；

定了規(guī)格書參數(shù)后要做ED確定產(chǎn)品是否都可以達(dá)到Cpk>1.67的標(biāo)準(zhǔn)；

樣品就算ED Cpk通過(guò)，還要對(duì)長(zhǎng)期生產(chǎn)進(jìn)行更嚴(yán)格的PAT測(cè)試限值修正；

基于PAT的測(cè)試限值，要對(duì)批次進(jìn)行SBA/SYA統(tǒng)計(jì)監(jiān)控。

這就是AEC Q100中FG、CHAR、PAT、SBA、ED，這5項(xiàng)內(nèi)容的關(guān)系和區(qū)別，您了解了嗎？