1、碳化硅場效應(yīng)管SiC-MOSFET

在碳化硅電力電子器件的研究中，SiC-MOSFET是最受關(guān)注的器件。在Si材料接近理論性能極限的今天，SiC功率器件由于具有耐壓高、損耗低、效率高等特點，一直被視為理想器件而備受期待。不過，與以往的Si材料器件相比，SiC功率器件在性能和成本之間的平衡以及其對高技術(shù)的要求，將成為SiC功率器件能否真正普及的關(guān)鍵。

2、碳化硅MOS的結(jié)構(gòu)

碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)的N+源區(qū)和P阱摻雜均采用離子注入摻雜，并在1700°C的溫度下進行退火和激活。另一個關(guān)鍵工藝是碳化硅MOS柵氧化層的形成。由于碳化硅材料中同時含有Si和C原子，因此需要一種非常特殊的柵介質(zhì)生長方法。SiC-MOSFET采用溝槽結(jié)構(gòu)，以最大限度地發(fā)揮SiC的特性。

3、碳化硅MOS的優(yōu)點

硅IGBT通常只能工作在20kHz以下的頻率。由于材料的限制，高壓和高頻硅器件無法實現(xiàn)。碳化硅MOSFET不僅適用于600V至10kV的寬電壓范圍，而且具有單極器件的優(yōu)良開關(guān)性能。與硅IGBT相比，當(dāng)開關(guān)電路中沒有電流拖尾時，碳化硅MOSFET具有更低的開關(guān)損耗和更高的工作頻率。

一個20kHz的碳化硅MOSFET模塊的損耗可以比一個3kHz的硅IGBT模塊低一半，一個50A的碳化硅模塊可以取代一個150A的硅模塊。顯示了碳化硅MOSFET在工作頻率和效率方面的巨大優(yōu)勢。

碳化硅MOSFET寄生體二極管具有極小的反向恢復(fù)時間trr和反向恢復(fù)電荷Qrr。對于相同額定電流為900V的器件，碳化硅MOSFET寄生二極管的反向電荷僅為相同電壓規(guī)格的硅基MOSFET的5%。對于橋式電路(尤其是當(dāng)LLC轉(zhuǎn)換器工作在諧振頻率以上時)，這個指標(biāo)是非常關(guān)鍵的。可以減小體二極管的死區(qū)時間和反向恢復(fù)帶來的損耗和噪聲，便于改進。開關(guān)工作頻率。

4、碳化硅MOS管的應(yīng)用

碳化硅MOSFET組件在光伏、風(fēng)電、電動汽車、軌道交通等中、大功率電力系統(tǒng)應(yīng)用中具有巨大優(yōu)勢。碳化硅器件的高電壓、高頻率、高效率的優(yōu)勢，可以突破現(xiàn)有電動汽車電機設(shè)計中器件性能的限制。這是目前國內(nèi)外電動車電機領(lǐng)域的研發(fā)重點。例如，電裝和豐田聯(lián)合開發(fā)的混合動力汽車(HEV)和純電動汽車(EV)中的功率控制單元(PCU)采用碳化硅MOSFET模塊，體積比降低到1/5。三菱公司開發(fā)的電動汽車電機驅(qū)動系統(tǒng)使用SiC MOSFET模塊。功率驅(qū)動模塊集成到電機中，實現(xiàn)了集成化、小型化的目標(biāo)。以預(yù)計，碳化硅MOSFET模塊在近幾年內(nèi)將在國內(nèi)外電動汽車上得到廣泛應(yīng)用。

5、SIC碳化硅MOS管的研制

我國碳化硅MOS管的使用率還很低，處于叫好不叫座的尷尬局面。原因主要有以下幾點。

價格偏高

許多工程師也認(rèn)為，碳化硅MOS的價格是硅MOS的幾倍。以100A/1200V(17毫歐內(nèi)阻)為例，國外各大品牌在2023年初的單價普遍在300元以上。

發(fā)貨周期太長

目前國外品牌的貨源普遍非常緊張，部分品牌的訂單周期甚至達到4—12個月。

驅(qū)動電路難以選擇

驅(qū)動碳化硅MOS管時，由于需要負電壓關(guān)斷，驅(qū)動電流比較大，需要一個匹配的驅(qū)動電路工作。不過，目前市面上的驅(qū)動電路很少，單價也比較高。

如今，隨著技術(shù)的不斷發(fā)展，上述問題已一一得到解決。

高單價的問題：

目前，國內(nèi)品牌已開始批量生產(chǎn)碳化硅MOS管產(chǎn)品，打破了國外品牌壟斷。據(jù)估計，隨著制造的國產(chǎn)化，碳化硅MOS將大大低于同等電流水平下的硅MOS和IGBT器件。SiC MOSFET價格將繼續(xù)下跌。

供應(yīng)周期問題：

國外碳化硅MOS管供應(yīng)商基本上是接到訂單后才安排生產(chǎn)的。此外，近年來電動汽車制造商的訂單激增，導(dǎo)致其供貨周期普遍較長。

然而，國內(nèi)廠商進入碳化硅MOS管領(lǐng)域后，就徹底打破了這一模式。基本上，我是提前估計需求，自己準(zhǔn)備大量的商品。一般情況下，客戶一下訂單，普通型號就可以提貨。

驅(qū)動電路：

目前，國內(nèi)許多客戶使用分立元件構(gòu)建驅(qū)動電路。大家都發(fā)現(xiàn)，這種電路不僅性能優(yōu)良，而且元器件容易采購，成本也很低。

此外，使用KeepTops碳化硅MOS管還可以幫助您解決以下問題：

1、顯著提高效率，降低系統(tǒng)溫升。

典型應(yīng)用：電動車控制器、風(fēng)能、太陽能逆變電源等。

2、縮小電源的體積。

典型應(yīng)用：手機快速充電，工業(yè)電源。

SiC MOSFET的發(fā)展現(xiàn)狀指出，解決方案的主要商業(yè)障礙，包括價格，可靠性，耐用性和供應(yīng)商的多樣性。盡管價格高于硅IGBT，SiC MOSFET已經(jīng)成功，由于成本抵消系統(tǒng)級的好處。著材料成本的下降，這一技術(shù)的市場份額在未來幾年將顯著增加。在過去的兩年中，SiC MOSFET似乎終于準(zhǔn)備好了廣泛的商業(yè)成功，并在綠色能源運動中發(fā)揮重要作用。

審核編輯：湯梓紅