女人荫蒂被添全过程13种图片,亚洲+欧美+在线,欧洲精品无码一区二区三区 ,在厨房拨开内裤进入毛片

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

如何表達(dá)晶體取向?介紹一下晶體取向的圖形表示法

中材新材料研究院 ? 來(lái)源:中材新材料研究院 ? 2023-10-08 10:40 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

實(shí)際樣品中,并不能直接觀察到不同的晶體學(xué)方向或晶面,只能看到晶粒的形貌。這就要求確定晶體的不同方向與宏觀樣品可觀察到的特征方向間的關(guān)系,簡(jiǎn)言之,就是要確定晶體坐標(biāo)系與外界樣品坐標(biāo)系的關(guān)系,這就是取向的概念。

晶體取向的表示方法通常有數(shù)字表示方法(如密勒指數(shù)、矩陣等)和圖形表示法。

本篇推文主要給大家介紹一下晶體取向的圖形表示法。

01

取向用極圖表示

極圖是表示某一取向晶粒的某一選定晶面{hkl}在包含樣品坐標(biāo)系方向的極射赤面投影圖上的位置的圖形。例如,一個(gè)取向的{100}極圖是將該取向的晶胞的3個(gè){100}晶向的極射赤面投影位置表示出來(lái),見(jiàn)下圖:

d9583f3a-6117-11ee-939d-92fbcf53809c.jpg

其基本過(guò)程是:小單胞處在參考球中心,其任意的方位表示其對(duì)外界參考系(RD-ND-TD)的取向,這時(shí)其(hkl)面平行于軋面(RD-TD組成),其[uvw]平行于RD。

現(xiàn)在要用3個(gè){100}極點(diǎn)表示單胞相對(duì)于樣品坐標(biāo)系的取向,即看它的3個(gè){100}點(diǎn)在極圖上的位置。

由3個(gè){100}點(diǎn)的位置,應(yīng)可聯(lián)想其單胞的空間方位。當(dāng)然,這需要反復(fù)的練習(xí)。

當(dāng)用圖c中的極角α,β表示極軸r在樣品坐標(biāo)系下的坐標(biāo)時(shí)(α是極軸r與ND的夾角,β是極軸r在軋面上的投影線與RD的夾角),r可表達(dá)為:

d9672b6c-6117-11ee-939d-92fbcf53809c.png

S1,S2,S3是RD,TD,ND方向的單位矢量。

同時(shí)r又可在晶體坐標(biāo)系下表達(dá)為:

r=xc1+yc2+zc3。

c1,c2,c3是[100][010][001]方向的單位矢量,(x,y,z)經(jīng)過(guò)了歸一化處理。

這時(shí),極軸的極角r坐標(biāo)(α,β)、晶體坐標(biāo)(x,y,z)和取向矩陣gij的關(guān)系為:

d974ca60-6117-11ee-939d-92fbcf53809c.jpg

從上式可求出極軸(x,y,z)在極圖上的位置。

另外要注意的是,求出的極角(α,β)用吳氏(Wulff)網(wǎng)標(biāo)在極圖中就是極射赤面投影圖,也就是最常用的極圖。若用Schmid網(wǎng)標(biāo)在極圖中就是等面積投影圖。

02

反極圖

與極圖相反,反極圖是描述多晶體材料中平行于材料的某一外觀特征方向的晶向在晶體坐標(biāo)架的空間分布的圖形,參考坐標(biāo)架的3個(gè)軸一般取晶體的3個(gè)晶軸(或低指數(shù)的晶向)。

作反極圖時(shí)將設(shè)定的外觀特征方向(如ND)的晶向標(biāo)于其中,從而反映該外觀特征方向在晶體學(xué)空間的分布。

類似極圖中兩個(gè)坐標(biāo)系下取向矩陣與極角和極軸的關(guān)系,反極圖下也有下列關(guān)系:

d99c6c3c-6117-11ee-939d-92fbcf53809c.jpg

(x,y,z)是某一晶軸r在樣品坐標(biāo)系(RD,ND,TD)中的坐標(biāo)。(δ,γ)是r在晶體坐標(biāo)系[100]-[010]-[001]構(gòu)成的極圖中的極角坐標(biāo)。這里使用的是取向矩陣,而不是逆矩陣。

嚴(yán)格來(lái)講,反極圖也應(yīng)用大圓表示,但通常用以<100>-<110>-<111>組成的取向三角形表示。這是將取向?qū)ΨQ化處理的結(jié)果。否則[-100]方向是用[001]-[101]-[111]取向三角形表示不出來(lái)的。

d9a9e588-6117-11ee-939d-92fbcf53809c.jpg

銅型取向(112)[11-1]。要用兩個(gè)反極圖表示,見(jiàn)上圖a,b。這里RD=[11-1]是等效表示。因?yàn)橐粋€(gè)反極圖中只能標(biāo)出一個(gè)方向。圖c為熱壓縮剛等距離測(cè)出的400個(gè)取向的反極圖表達(dá),只標(biāo)出每個(gè)取向中ND方向的分布。多數(shù)晶粒已轉(zhuǎn)到<001>和<111>取向。

03

歐拉取向空間的表示

歐拉角表示3個(gè)轉(zhuǎn)動(dòng),范圍是(0~2π)、(0~2π)、(0~2π),顯然具有周期性,即:g=f(ψ1,Φ,ψ2)=f(ψ1+2π,Φ+2π,ψ2+2π)。但還存在關(guān)系:f(ψ1,Φ,ψ2)==f(ψ1+π,2π-Φ,ψ2+π),即在Φ等于π時(shí)存在一個(gè)鏡面對(duì)稱性。因此,歐拉空間范圍是(0~2π)、(0~π)、(0~2π)。晶體對(duì)稱性和樣品對(duì)稱性會(huì)進(jìn)一步減小歐拉空間范圍。

對(duì)立方晶系中的銅取向(90,35,45),如下圖所示:雖然簡(jiǎn)單,但不如二維圖形表達(dá)得直觀易懂。

d9ce5d82-6117-11ee-939d-92fbcf53809c.jpg

歐拉取向空間的表示

04

羅德里格斯矢量

羅德里格斯矢量或角軸對(duì)都是三維矢量,也可以用圖形表示。對(duì)單個(gè)角軸對(duì),軸的位置可用類似反極圖的取向三角形表示,角度只是一個(gè)數(shù)字,不需要用圖形表示。而R矢量要表示在羅德里格斯空間中。這兩種取向表示方法更適合描述晶粒間的取向差分布。

d9f5aae0-6117-11ee-939d-92fbcf53809c.jpg

立方結(jié)構(gòu)晶體的R空間(a)及簡(jiǎn)化空間(b)

最小單元體是原立方體的1/48 (c)






審核編輯:劉清

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 處理器
    +關(guān)注

    關(guān)注

    68

    文章

    19882

    瀏覽量

    234931
  • 晶體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    2

    文章

    1390

    瀏覽量

    36314

原文標(biāo)題:基礎(chǔ)知識(shí)31——如何表達(dá)晶體取向?

文章出處:【微信號(hào):中材新材料研究院,微信公眾號(hào):中材新材料研究院】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    EBSD在織構(gòu)分析中的作用

    的組織結(jié)構(gòu)對(duì)于材料的設(shè)計(jì)、加工和應(yīng)用至關(guān)重要。晶體取向晶體取向是組織結(jié)構(gòu)研究中的個(gè)核心概念。晶體
    的頭像 發(fā)表于 07-09 15:14 ?100次閱讀
    EBSD在織構(gòu)分析中的作用

    電子背散射衍射(EBSD)分析入門:晶粒取向的探索

    晶體的定義與特性晶體種在自然界中廣泛存在的物質(zhì)形態(tài),它由原子、分子或離子按照定的規(guī)律在三維空間中周期性重復(fù)排列形成。這種有序的排列方式賦予了
    的頭像 發(fā)表于 06-17 15:40 ?232次閱讀
    電子背散射衍射(EBSD)分析入門:晶粒<b class='flag-5'>取向</b>的探索

    干貨分享 | 零基礎(chǔ)上手!TSMaster圖形信號(hào)表達(dá)式實(shí)操指南

    TSMaster軟件支持在圖形里面的信號(hào)表達(dá)式功能,主要用于多信號(hào)表達(dá)式運(yùn)算和顯示的場(chǎng)景。本文將以A2L中的標(biāo)定變量為例,介紹如何使用圖形
    的頭像 發(fā)表于 06-06 20:03 ?245次閱讀
    干貨分享 | 零基礎(chǔ)上手!TSMaster<b class='flag-5'>圖形</b>信號(hào)<b class='flag-5'>表達(dá)</b>式實(shí)操指南

    實(shí)用電子電路設(shè)計(jì)(全6本)——晶體管電路設(shè)計(jì)

    、功率放大器、電壓/電流反饋放大電路、晶體管/FET開(kāi)關(guān)電路、模擬開(kāi)關(guān)電路、開(kāi)關(guān)電源、振蕩電路等。上冊(cè)則主要介紹放大電路的工作、增強(qiáng)輸出的電路、功率放大器的設(shè)計(jì)與制作、拓寬頻率特性等。 純分享貼,有需要可以直接下載附件獲取完整資料! (如果內(nèi)容有幫助可以關(guān)注、點(diǎn)贊、
    發(fā)表于 05-15 14:24

    晶體管電路設(shè)計(jì)() [日 鈴木雅臣]

    本書(shū)主要介紹晶體管,F(xiàn)ET和Ic,F(xiàn)ET放大電路的工作原理,源極接地放大電路的設(shè)計(jì),源極跟隨電路的設(shè)計(jì),F(xiàn)ET低頻功率放大器的設(shè)計(jì)和制作,柵極接地放大電路的設(shè)計(jì),電流反饋行型op放大器的設(shè)計(jì)與制作
    發(fā)表于 03-07 13:55

    VirtualLab Fusion應(yīng)用:雙軸晶體中的錐形折射

    摘要 當(dāng)圓偏振光沿著雙軸晶體個(gè)光軸傳播時(shí),透射光場(chǎng)形成個(gè)錐體,這種現(xiàn)象被稱為錐形折射?;谶@種效應(yīng)已經(jīng)發(fā)展了些應(yīng)用,如產(chǎn)生貝塞爾光束和光鑷。利用VirtualLab Fusio
    發(fā)表于 02-27 09:50

    什么是EBSD(織構(gòu))?

    ,深入理解材料的組織結(jié)構(gòu)對(duì)于材料的設(shè)計(jì)、加工和應(yīng)用至關(guān)重要。晶體取向晶體取向是組織結(jié)構(gòu)研究中的個(gè)核心概念。
    的頭像 發(fā)表于 01-21 17:01 ?723次閱讀
    什么是EBSD(織構(gòu))?

    文帶你讀懂EBSD

    電子背散射衍射(ElectronBackscatterDiffraction,簡(jiǎn)稱EBSD)技術(shù)是種基于掃描電子顯微鏡(SEM)的顯微分析技術(shù),它能夠提供材料微觀結(jié)構(gòu)的詳細(xì)信息,包括晶體取向
    的頭像 發(fā)表于 01-14 12:00 ?1300次閱讀
    <b class='flag-5'>一</b>文帶你讀懂EBSD

    電子背散射衍射(EBSD)技術(shù)與其它衍射分析方法的對(duì)比

    電子背散射衍射(EBSD)技術(shù)概述電子背散射衍射(EBSD)技術(shù)是種在材料科學(xué)領(lǐng)域中用于表征晶體結(jié)構(gòu)的重要方法。它通過(guò)分析從樣品表面反射回來(lái)的電子的衍射模式,能夠精確地測(cè)量晶體取向
    的頭像 發(fā)表于 01-13 11:19 ?530次閱讀
    電子背散射衍射(EBSD)技術(shù)與其它衍射分析方法的對(duì)比

    電子背散射衍射晶體學(xué)織構(gòu)分析與數(shù)據(jù)處理

    晶體取向,即晶體坐標(biāo)系(CCS)相對(duì)于樣品坐標(biāo)系(SCS)的定位,對(duì)于理解材料的物理和化學(xué)性質(zhì)具有決定性的作用。晶體取向不僅影響材料的力學(xué)
    的頭像 發(fā)表于 01-07 11:17 ?713次閱讀
    電子背散射衍射<b class='flag-5'>晶體</b>學(xué)織構(gòu)分析與數(shù)據(jù)處理

    EBSD技術(shù)在氬離子截面切割制樣中的應(yīng)用

    電子背散射衍射技術(shù)電子背散射衍射技術(shù)(ElectronBackscatterDiffraction,簡(jiǎn)稱EBSD)是種將顯微組織與晶體學(xué)分析相結(jié)合的先進(jìn)圖像分析技術(shù)。起源于20世紀(jì)80年代末,經(jīng)過(guò)
    的頭像 發(fā)表于 01-06 12:29 ?411次閱讀
    EBSD技術(shù)在氬離子截面切割制樣中的應(yīng)用

    EBSD在材料科學(xué)中的優(yōu)勢(shì)分析

    在材料科學(xué)中,對(duì)晶體結(jié)構(gòu)和晶粒取向的深入研究對(duì)于揭示材料性能具有決定性作用。傳統(tǒng)技術(shù),如X光衍射和中子衍射,雖然能夠提供宏觀層面的晶體結(jié)構(gòu)和取向信息,但它們無(wú)法將這些信息與微觀結(jié)構(gòu)直接
    的頭像 發(fā)表于 12-26 14:46 ?591次閱讀
    EBSD在材料科學(xué)中的優(yōu)勢(shì)分析

    電子背散射衍射(EBSD):揭示材料晶體學(xué)信息的窗口

    的關(guān)鍵信息1.物相鑒定:EBSD能夠?qū)γ總€(gè)分析點(diǎn)進(jìn)行物相的識(shí)別和確認(rèn),這過(guò)程基于晶體學(xué)的差異,并可結(jié)合化學(xué)信息(如能譜儀EDS提供的數(shù)據(jù))。2.晶體取向:EBSD
    的頭像 發(fā)表于 11-18 17:52 ?1354次閱讀
    電子背散射衍射(EBSD):揭示材料<b class='flag-5'>晶體</b>學(xué)信息的窗口

    晶體取向反極圖實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)的采集方法

    晶體取向可以用極圖和反極圖來(lái)表征。正極圖的數(shù)據(jù)采集方法被廣泛應(yīng)用,就是通過(guò)織構(gòu)附件獲得某晶面的衍射強(qiáng)度在樣品中的空間分布,推知某晶面在樣品中的空間分布,由此獲得
    的頭像 發(fā)表于 11-05 11:35 ?1277次閱讀
    <b class='flag-5'>晶體</b><b class='flag-5'>取向</b>反極圖實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)的采集方法

    石英晶體切割類型與頻率的關(guān)系

    今天這節(jié)課,讓我們來(lái)了解一下石英晶體切割類型與頻率的關(guān)系,所謂晶體切割類型,就是對(duì)晶體坐標(biāo)軸某種取向的切割。石英晶片的切割類型有很多種,不同
    的頭像 發(fā)表于 07-22 17:19 ?1080次閱讀
    石英<b class='flag-5'>晶體</b>切割類型與頻率的關(guān)系
    主站蜘蛛池模板: 水城县| 山东| 思南县| 桂东县| 西青区| 龙江县| 门头沟区| 唐海县| 兰溪市| 朝阳市| 余姚市| 定襄县| 四川省| 西贡区| 隆化县| 松原市| 靖边县| 重庆市| 景东| 任丘市| 涿鹿县| 宜宾市| 郴州市| 长乐市| 青河县| 南部县| 高淳县| 略阳县| 二连浩特市| 丰原市| 德惠市| 苍梧县| 泰宁县| 乌海市| 杭锦后旗| 托里县| 阆中市| 牡丹江市| 松潘县| 高青县| 大新县|