前面，對于使用n-path作基帶解調(diào)信號，我說：

關(guān)于npath電路（以fig19為例），從開關(guān)上方取電壓，是帶通濾波電路（若低通更換高通即可換為帶阻濾波電路），但是如果從電容上取電壓，則看作mixer下變頻電路。

兩者區(qū)別在于，上一種情況，rf信號沒經(jīng)過開關(guān)的“處理”就直接輸出了，而mixer的精髓在于“開關(guān)”的乘法過程，電容上的信號是流經(jīng)過開關(guān)的，這里面的開關(guān)過程才是真正的mixer混頻過程。

這是錯誤的，混頻過程是雙向的。從開關(guān)上面取電壓，一樣存在混頻過程，電容上面的基帶信號被上變頻到RF上面輸出了。具體解釋如下：

先給出電路方便敘述：

fig1. npath從開關(guān)上取輸出(A點)與從電容上取輸出(B點)

RF信號經(jīng)過開關(guān)后被變頻（同時上變頻與下變頻），流到電容后，高頻分量被濾除（抑制），因此，只留下低頻信號在電容上（B點）。

至于A點上面，并不是我前面說的“rf信號沒經(jīng)過開關(guān)的‘處理’就直接輸出了”，因為如果是那樣的話，A的信號應(yīng)該和rf信號完全一樣才對，而不應(yīng)該表現(xiàn)出任何的頻率特性。

實際上，A點的信號可以看作兩個部分組成，一部分是電容上面原有的電荷造成的電壓，這一部分電壓是低頻信號（前面說過了），經(jīng)過開關(guān)的作用又上變頻到高頻處（表現(xiàn)為帶通特性）。

另一部分是因為RF信號對電容充放電造成的電壓變化（由于A點與rf信號通過電阻直連，這部分應(yīng)該是全通特性）。

這樣一看，從開關(guān)上（A點）取電壓，既有帶通特性，又有全通特性，那怎么辦？怎么解釋npath是帶通特性的？思考如下：

1 A點既有“帶通信號”又有“全通信號”，因此npath的帶通特性可能只是帶通特性為主，全通特性被壓制了，并非是絕對的帶通特性，甚至這兩種特性是可以轉(zhuǎn)換的。

2 為什么全通特性被壓制，肯定和電路結(jié)構(gòu)或者參數(shù)有關(guān)。回憶到：npath的要求就是RC常數(shù)遠(yuǎn)大于Ton，這一點是關(guān)鍵。

3 RC常數(shù)很大，那么充電需要很久，每個電容都需要經(jīng)過很多個導(dǎo)通過程之后才能達(dá)到穩(wěn)定的采樣電壓。反過來說，每個導(dǎo)通時間內(nèi)，電容上因為rf信號造成的電壓變化是很緩慢、不明顯的。也就是說，A點的電壓主要是由電容貢獻(xiàn)，rf信號貢獻(xiàn)很少。也就是說，帶通特性的信號貢獻(xiàn)很大，全通特性的信號貢獻(xiàn)很少。所以此時，A點上呈現(xiàn)出很強(qiáng)的帶通特性。

4 反向思考如下：如果RC常數(shù)很小，那么充電很快，那么每個電容上很快就充滿電了。多塊呢？快到RF信號一變，“瞬間”電容就充滿電了，因此，電容電壓是和RF信號幾乎一模一樣的。也就是說，A點上面的電壓主要是由RF信號貢獻(xiàn)的，電容原有信號貢獻(xiàn)很少。也就是說，全通特性的信號貢獻(xiàn)很大，帶通特性的信號貢獻(xiàn)很少。所以此時，A點上面應(yīng)該呈現(xiàn)出全通特性。

驗證如下：

1 rc常數(shù)很大（不能過大，不然要跑tran跑很久電壓才穩(wěn)定下來），B點的電壓如下：

fig2. B點電壓（全過程，大RC）

如前面分析，需要很多個充電過程（每個“小曲線”就是一個充電過程）才會達(dá)到“穩(wěn)定”（大致不變）。

fig3. B點電壓（“穩(wěn)定段”，大RC）

穩(wěn)定段，電壓波動很小，和前面分析一致。這些小波動就是rf信號直接造成的“全通特性”的信號。

2 RC常數(shù)很小，B點的電壓（取一個電容上面的電壓為例）如下：

fig4. B點電壓（小RC）

和分析的一樣，此時電容電壓緊緊跟隨rf信號變化，而不會有“穩(wěn)定”段，一直在高頻地變化著。下面的fig5給出了與之前分析類似的情況，藍(lán)線為B點電壓，在導(dǎo)通的時候緊隨A點電壓（紅線）變化。凸起的豎線與開關(guān)突然導(dǎo)通有關(guān)。

fig5. A/B點電壓（放大）

3 頻域仿真S11，先仿真大RC情況，如下圖，與分析一致，主要是帶通特性為主。

fig6. 大RC下頻域仿真

接下來是小RC下的仿真，應(yīng)該是一根直線，因為是“全通特性”為主。出來是下面這樣的，我第一時間就懵逼了，然后想了很久，又想起了傳輸線的頻率特性好像也是這樣的正弦曲線。暫停想一想，哪里出錯了？

fig7. 小RC下頻域仿真

答案如下：

fig8. 大小RC的電容設(shè)置（僅改變c）

fig9. 大小RC下的頻域響應(yīng)

答案：注意fig7中的單位大小。我還是太急了，沒注意到這個細(xì)節(jié)。

問：今天的勘霧是否就是”對的“？

答：不一定，很可能又是錯的，但是應(yīng)該比之前更”對“。但是不合理的地方確實還是存在的，比如我用散射參數(shù)仿真，出來的更多是衡量功率情況，濾波器應(yīng)該用交流參數(shù)仿真，那樣是衡量電壓/電流情況，但是不影響總體道理（應(yīng)該不影響吧？）。

實際上，小RC情況就是經(jīng)典的采樣過程，因為這樣才可以保證電容電壓是“準(zhǔn)確采樣”導(dǎo)通瞬間被采樣信號的電壓情況。只要時鐘夠快，采樣出來的階梯電壓形狀很接近原信號情況。

npath（大RC情況）的“采樣過程”則是通過多路開關(guān)輪流導(dǎo)通，輪流采樣多個電容上的“穩(wěn)定”電壓來完成的，因此采樣出來的必然是一段一段（N路就有N段）的階梯電壓，含有很多諧波量（npath缺點之一），很明顯，N越大近似性就越好。