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耗盡型MOSFET構(gòu)成電流源給IC供電的應(yīng)用電路

CHANBAEK ? 來源: ARK micro ? 作者: ARK(方舟微) ? 2023-11-07 14:39 ? 次閱讀
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01常見的應(yīng)用方式

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耗盡型MOSFET構(gòu)成電流源給IC供電的應(yīng)用電路

02電路原理及注意事項(xiàng)

當(dāng)電路工作時(shí),電阻R兩端的電壓會(huì)隨著流過的電流的增加而升高,但是由于耗盡型MOSFET的亞閾值特性,其最大電壓值不會(huì)超過對應(yīng)電流下的閾值電壓,即V R_MAX =|V TH |。因此在該條件下,上述應(yīng)用可以作為恒流源給IC供電。

由于MOSFET的功耗限制,該應(yīng)用不適合大功率供電場景,實(shí)際應(yīng)用時(shí)電流會(huì)隨著MOSFET結(jié)溫的變化而存在輕微波動(dòng)。

DMZ1520E

DMZ1520E系列產(chǎn)品在工業(yè)自動(dòng)化、汽車電子、新能源等應(yīng)用電路中,可用于LDO供電。如下圖所示,電路中只使用了一個(gè)DMZ1520E,它可以將高輸入電壓轉(zhuǎn)換為穩(wěn)定的低電壓為LDO供電,同時(shí)為LDO提供瞬態(tài)浪涌抑制。LDO的輸入輸出電壓滿足關(guān)系式: Vs=Vout +|VGS(OFF) |。該系列MOSFET響應(yīng)速度快,電路結(jié)構(gòu)簡單。

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DMZ1520E系列產(chǎn)品不僅能提供穩(wěn)定的電源,而且能在復(fù)雜的電子、磁環(huán)境中抵抗較大的瞬變電壓,特別適用于智能變送器IC的應(yīng)用,如AD421、SD2421A、JHM1101等,對標(biāo) BSS169、MMBF4393等。

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