關(guān)于半導(dǎo)體相關(guān)測試

半導(dǎo)體是一種常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體與絕緣體之間的材料，它在集成電路、消費(fèi)電子、通信系統(tǒng)、光伏發(fā)電等眾多領(lǐng)域中都有應(yīng)用，作為大部分電子產(chǎn)品核心單元需用到的材料，它的質(zhì)量直接影響著整個(gè)系統(tǒng)運(yùn)行。

功率放大器作為半導(dǎo)體測試系統(tǒng)中的重要組成部分，在半導(dǎo)體測試領(lǐng)域研究中起著至關(guān)重要的作用。本次Aigtek安泰電子將過往部分半導(dǎo)體測試方向的實(shí)驗(yàn)案例編輯為合集，希望能對廣大半導(dǎo)體領(lǐng)域的各位朋友有所幫助。

實(shí)驗(yàn)案例展示

▼功率放大器在電容器內(nèi)LED的高壓與無線驅(qū)動(dòng)應(yīng)用

本實(shí)驗(yàn)中，研究人員在摩擦納米發(fā)電機(jī)TENG的啟發(fā)下，提出了一種電容器內(nèi)LED器件，采用信號發(fā)生器經(jīng)過功率放大器提供的信號測試，并將其與摩擦納米發(fā)電機(jī)輸出進(jìn)行對比，詳細(xì)解釋了TENG驅(qū)動(dòng)LED的工作機(jī)理，并提出一種電容器內(nèi)LED結(jié)構(gòu)，促進(jìn)TENG與交流LED的發(fā)展。

▼功率放大器在非導(dǎo)體接觸式μLED器件光電特性研究中的應(yīng)用

本實(shí)驗(yàn)依據(jù)GaN基微發(fā)光二極管(μLEDs)在超高分辨率顯示、微顯示、可見光通信、固態(tài)照明等方面有突出的優(yōu)勢，建立了非導(dǎo)體接觸式μLED模型，制備出相應(yīng)的器件。針對這種新型結(jié)構(gòu)的μLED，研究其在交流信號驅(qū)動(dòng)下的頻率-電壓、電流-電壓，發(fā)光強(qiáng)度等光電特性及其工作機(jī)理，為改善μLED器件結(jié)構(gòu)、優(yōu)化工作模式提供理論指導(dǎo)。

▼高壓功率放大器在核磁共振振蕩器中的應(yīng)用

本實(shí)驗(yàn)提出了測量橫向弛豫時(shí)間τ2的方法，通過施加x軸方向的掃頻磁場，然后測量磁力儀在x軸方向的幅頻響應(yīng)曲線，最后由幅頻響應(yīng)曲線的3dB帶寬來得到τ2。實(shí)驗(yàn)給出了基于微擾-迭代方法的詳細(xì)和嚴(yán)格的理論推導(dǎo)來論證此測量方法的合理性。然后，進(jìn)行了仿真實(shí)驗(yàn)和實(shí)際實(shí)驗(yàn)，結(jié)果可以驗(yàn)證此測量方法的有效性和高準(zhǔn)確性。

▼功率放大器在大功率脈沖電能源研究中的應(yīng)用

本實(shí)驗(yàn)為了在傳統(tǒng)的測量精度校準(zhǔn)方法的基礎(chǔ)上，進(jìn)一步提升校準(zhǔn)精度，針對大功率脈沖電流測量傳感器測量精度的問題，提出一種高精度的校準(zhǔn)方法。搭建大功率脈沖電流測量系統(tǒng)的實(shí)驗(yàn)平臺(tái)，通過實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證大功率脈沖電流測量傳感器的性能，主要對大功率脈沖電流測量傳感器的精度、穩(wěn)定性、響應(yīng)時(shí)間和電流幅值測量范圍進(jìn)行驗(yàn)證。

▼高壓放大器在多波長干涉相位同步解調(diào)方法研究中的應(yīng)用

本實(shí)驗(yàn)研究了基于激光相位分立調(diào)制的多波長干涉相位同步解調(diào)方法，對FDM雙波長干涉相位同步解調(diào)方法，進(jìn)行了仿真分析及實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證。搭建了所提出的FDM雙波長干涉測量光路，進(jìn)行了系統(tǒng)穩(wěn)定性實(shí)驗(yàn)、納米級位移測量實(shí)驗(yàn)、納米級步進(jìn)非線性誤差實(shí)驗(yàn)、兩位位移解調(diào)同步性實(shí)驗(yàn)、動(dòng)態(tài)相位解調(diào)實(shí)驗(yàn)。