據(jù)國內(nèi)媒體報道稱，中國最大閃存芯片制造商長江存儲在美國起訴美光，后者侵犯了專利。

長江存儲在起訴書中提到，美光使用長江存儲的專利技術(shù)，以抵御來自長江存儲的競爭，并獲得和保護市場份額。

訴訟旨在解決以下問題的一個方面：美光試圖通過迫使長江存儲退出3D NAND Flash（閃存）市場來阻止競爭和創(chuàng)新。

據(jù)悉，長江存儲指控美光侵犯了美國專利號為“10,950,623”“11,501,822”“10,658,378”“10,937,806”“10,861,872”“11,468,957”“11,600,342”和“10,868,031”的專利。

美光被控侵權(quán)的產(chǎn)品包括96層、128層、176層和232層3D NAND產(chǎn)品。

去年11月，分析和跟蹤閃存市場的TechInsights公司得出結(jié)論：長江存儲是3D NAND閃存領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者，超過了美光。

有相關(guān)專家表示，如果按照上述這份起訴書來看，長江存儲專利幾乎可以讓他們贏下對美光的官司，只要法官沒有偏袒的意思，這也直接展示了，中國存儲巨大進步。