據(jù)日經(jīng)XTECH消息，來自名古屋大學的初創(chuàng)企業(yè)U-MAP開發(fā)了一種打破常識的新型散熱材料——纖維狀氮化鋁基板及墊片，基板用于功率半導體和激光器等的封裝，墊片用于CPU等的散熱。

基于現(xiàn)階段電子芯片的綜合性能越來越高、整體尺寸越來越小的發(fā)展情況，電子芯片工作過程中所呈現(xiàn)出的熱流密度同樣大幅提升。對于電子器件而言，通常溫度每升高10℃，器件有效壽命就降低30%~50%。因此，提高器件散熱能力至關重要。

然而，提高器件散熱能力離不開高導熱的封裝材料。陶瓷材料本身具有熱導率高、耐熱性好、高絕緣、高強度、與芯片材料熱匹配等性能，非常適合作為電子器件散熱材料。目前常用電子封裝散熱材料主要有氧化鋁、碳化硅、氮化鋁、氮化硅、氧化鈹?shù)取?/p>

但氧化鋁、碳化硅、氧化鈹?shù)炔牧献鳛閷岵牧闲阅芤话悖瑵摿Σ淮蟆Ｄ壳白钍懿毮康纳岵牧袭攲俚X和氮化硅。氮化硅陶瓷性能較為全面，在現(xiàn)有可作為基板材料使用的陶瓷材料中，其抗彎強度高(大于800MPa)，耐磨性好，被稱為綜合機械性能最好的陶瓷材料。氮化鋁陶瓷理論熱導率可達320W/（m·K），其商用產(chǎn)品熱導率一般為180W/（m·K）~260W/（m·K），但是其機械強度相比氮化硅陶瓷略遜一籌。

對此，日本初創(chuàng)企業(yè)U-MAP將纖維狀的AlN單晶體“Thermalnite”填充制成基板，在保持高導熱率的情況下提高了機械強度。通過這種方法，使其“斷裂韌性”達到5.5MPa·m1/2，是普通AlN基板的約兩倍，與Si3N4接近，導熱率達到200W/m·K以上。

此外，將該纖維狀氮化鋁材料添加到普通的TIM（熱界面材料） 墊片中可使其機械強度增加到接近原來2倍，因此可對墊片實現(xiàn)減薄，普通TIM墊片的厚度為0.5mm左右，而開發(fā)品的厚度只有0.2mm，這可在原有高導熱特性基礎上實現(xiàn)進一步的提高導熱性。

據(jù)悉，U-MAP將于2024年量產(chǎn)AlN基板，生產(chǎn)將由合作伙伴岡本硝子進行。TIM墊片的產(chǎn)品化也正不斷推進，計劃2023年內(nèi)供貨樣品。據(jù)說最快2024年下半年實現(xiàn)量產(chǎn)。

審核編輯：劉清