1 簡介

存儲(chǔ)器體可以分為RAM和ROM，其主要的區(qū)別如下：

• RAM存儲(chǔ)器： 存儲(chǔ)器掉電數(shù)據(jù)丟失，重新上電后數(shù)據(jù)無法回復(fù)。
• ROM存儲(chǔ)器： 存儲(chǔ)掉電數(shù)據(jù)不丟失，重新上電后能依然存在。

電路設(shè)計(jì)中常見的DDR屬于SDRAM，中文名稱是同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。其中同步和動(dòng)態(tài)的意義分別如下：

• 動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器（Dynamic RAM，DRAM） ：存儲(chǔ)器需每隔一段時(shí)間，要刷新沖一次電，否則會(huì)丟失內(nèi)部的數(shù)據(jù)。
• 靜態(tài)存儲(chǔ)器（Static RAM，SRAM） :不需要刷新電路，內(nèi)部數(shù)據(jù)不會(huì)丟失。
• 同步（Synchronous） ：工作需要同步時(shí)鐘，它是內(nèi)部數(shù)據(jù)和指令的發(fā)送與接收的基準(zhǔn)。
• 隨機(jī)存儲(chǔ)器 ：數(shù)據(jù)不是線性存儲(chǔ)，而是通過指定地址來進(jìn)行數(shù)據(jù)的讀寫。

2 DDR的發(fā)展歷程

• 版本迭代

DDR的發(fā)展經(jīng)歷了SDRAM、DDR2、DDR3、DDR4、DDR5五個(gè)階段，隨著時(shí)間的推移，存儲(chǔ)的速率越來越高，核電越來越低。

• 最高傳輸速率

目前DDR5所能到達(dá)的最高的速率為6400T/s。

這里順帶說一下T/S和bps的換算關(guān)系：

• T/S的含義

T/s表示每秒****傳輸次數(shù)（Transfer per second） ，有效帶寬要結(jié)合傳輸協(xié)議來計(jì)算。

• bps的含義

bps表示每秒傳輸二級(jí)制位數(shù)（bit per second）。

案例 ：PCI-e2.0 協(xié)議支持 5.0 GT/s, 即每一條Lane 上支持每秒鐘內(nèi)傳輸 5G次，因?yàn)镻CIe 2.0 的物理層協(xié)議中使用的是 8b/10b的編碼機(jī)制，即每傳輸8個(gè)bit，需要發(fā)送10個(gè)bit；這多出的2個(gè)bit并不是對(duì)上層有意義的信息。PCIe 2.0協(xié)議的每一條Lane支持 5 * 8/10=4Gbps的速率。 以一個(gè)PCIe 2.0 x8的通道為例，x8的可用帶寬為 4 * 8=32Gbps。（后面PCIe文章還會(huì)更加詳細(xì)講解）

3 DDR的封裝

DDR3和DDR4的封裝主要有兩種：78-Ball FBGA – x4, x8 和96-Ball FBGA – x16。

• 78-Ball FBGA – x4, x8 (Top View)

這種封裝類型有78個(gè)PIN腳，僅支持4數(shù)據(jù)位寬和8數(shù)據(jù)帶寬。

• 96-Ball FBGA – x16 (Top View)

這種封裝類型有96個(gè)PIN腳，僅支持最高支持16數(shù)據(jù)帶寬。

4 DDR的容量計(jì)算

由圖可以歸納出：

1. bank有8個(gè)，對(duì)應(yīng)BA[2:0]；
2. 行地址有15bit，列地址有10bit（其中低3bit不會(huì)用于列尋址）；
3. 內(nèi)存顆粒的容量 = 2^15 * 2^10 * 8*16bit=4096Mbit；
4. 根據(jù)DDR數(shù)據(jù)信號(hào)線位寬，描述上圖產(chǎn)品的規(guī)格，即256 * 16bit。

說明：15為行地址數(shù)目；7為列地址數(shù)目；8為Bank數(shù)目；16為數(shù)據(jù)位寬。

以下是案例：

5 DDR的基本原理

DDR里面主要使用了Double Data Rate 和 Prefetch兩項(xiàng)技術(shù)。實(shí)際上，無論是SDR還是DDR3，內(nèi)存芯片內(nèi)部的核心時(shí)鐘基本上是保持一致的，都是 100MHz 到 200MHz（某些廠商生產(chǎn)的超頻內(nèi)存除外）。DDR即 Double Data Rate 技術(shù)使數(shù)據(jù)傳輸速度較 SDR 提升了一倍。如下圖所示，SDR 僅在時(shí)鐘的上升沿傳輸數(shù)據(jù)，而 DDR 在時(shí)鐘信號(hào)上、下沿同時(shí)傳輸數(shù)據(jù)。例如同為133MHz 時(shí)鐘，DDR卻可以達(dá)到266Mb/s的傳輸速度。

芯片內(nèi)部數(shù)據(jù)數(shù)據(jù)傳輸速度的提升則是通過Prefetch 技術(shù)實(shí)現(xiàn)的。 所謂 Prefetch 簡單的說就是在一個(gè)內(nèi)核時(shí)鐘周期同時(shí)尋址多個(gè)存儲(chǔ)單元并將這些數(shù)據(jù)以并行的方式統(tǒng)一傳輸?shù)絀O Buffer中，之后以更高的外傳速度將IO Buffer 中的數(shù)據(jù)傳輸出去 。這個(gè)更高的速度在DDR上就是通過Double Data Rate 實(shí)現(xiàn)的，也正因?yàn)槿绱耍珼DR外部 Clock 管腳的頻率與芯片內(nèi)部的核心頻率是保持一致的。如下圖所示為 DDR的Prefetch 過程中，在16位的內(nèi)存芯片中一次將2 個(gè)16bit數(shù)據(jù)從內(nèi)核傳輸?shù)酵獠縈UX單元，之后分別在Clock信號(hào)的上、下沿分兩次將這 2 x 16bit 數(shù)據(jù)傳輸給北橋或其他內(nèi)存控制器，整個(gè)過程經(jīng)歷的時(shí)間恰好為一個(gè)內(nèi)核時(shí)鐘周期。

發(fā)展到 DDR2，芯片內(nèi)核每次Prefetch 4倍的數(shù)據(jù)至IO Buffer中，為了進(jìn)一步提高外傳速度，芯片的內(nèi)核時(shí)鐘與外部接口時(shí)鐘（即我們平時(shí)接觸到的Clock 管腳時(shí)鐘）不再是同一時(shí)鐘，外 Clock時(shí)鐘頻率變?yōu)閮?nèi)核時(shí)鐘的2倍。同理， DDR3 每次Prefetch 8倍的數(shù)據(jù)，其芯片Clock頻率為內(nèi)核頻率的4倍， 即 JEDEC標(biāo)準(zhǔn)（JESD79-3）規(guī)定的400MHz至800MHz，再加上在 Clock 信號(hào)上、下跳變沿同時(shí)傳輸數(shù)據(jù)，DDR3的數(shù)據(jù)傳輸速率便達(dá)到了800MT/s到1600MT/s。具體到內(nèi)存條速度，我們以PC3-12800為例，其采用的DDR3-1600芯片核心頻率為 200MHz，經(jīng)過Prefetch后Clock信號(hào)頻率到達(dá) 800MHz，再經(jīng)過Double Data Rate 后芯片數(shù)據(jù)傳輸速率為1600 MT/s，內(nèi)存條每次傳輸64 bits或者說8 bytes數(shù)據(jù)，1600*8 便得到12800MB/s的峰值比特率。

6 引腳描述

今天主要簡單介紹一些關(guān)鍵信號(hào)，后續(xù)會(huì)詳細(xì)說明這些信號(hào)在設(shè)計(jì)中應(yīng)該注意的事項(xiàng) 。

7 硬件電路實(shí)戰(zhàn)

今天主要是放一些參考電路，下一篇文章會(huì)詳細(xì)講解DDR設(shè)計(jì)的整個(gè)過程，包括DDR的級(jí)聯(lián)以及Layout中應(yīng)該注意的事項(xiàng)。

• SDRAM電路設(shè)計(jì)案例

SDRAM廣泛應(yīng)用于LCD屏幕中，通常搭配NAND Flash或者NOR Flash使用。

NAND Flash的存儲(chǔ)電路見下圖：

NOR Flash的電路設(shè)計(jì)見下：

NOR Flash和SRAM的數(shù)據(jù)線和地址線通常是復(fù)用的，具體需要見手冊(cè)，以下截取STM32手冊(cè)部分內(nèi)容：

• DDR4電路設(shè)計(jì)案例

DDR4應(yīng)用最為廣泛，原因有兩個(gè)：

• DDR4的存儲(chǔ)速率能滿足大部分工程師的需求；
• DDR5的走線對(duì)設(shè)計(jì)者的要求比較高。

NOR Flash/NAND Flash和SRAM的數(shù)據(jù)線和地址線通常是復(fù)用的