似乎遇到了一些問題 。
另一家韓媒《DealSite》當(dāng)?shù)貢r間17日報道稱,自 1z nm 時期開始出現(xiàn)的電容漏電問題正對三星 1c nm DRAM 的開發(fā)量產(chǎn)造成明顯影響。三星試圖通
發(fā)表于 04-18 10:52
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道,在國際固態(tài)電路會議(ISSCC)上三星推出最新LPDDR5規(guī)范,將數(shù)據(jù)傳輸速率提高到12700MT/s (12.7GT/s)。 ? 三星稱其為LPDDR5
發(fā)表于 02-28 00:07
?2395次閱讀
據(jù)韓國媒體報道,三星電子正面臨其第六代1cnm DRAM的良品率挑戰(zhàn),為確保HBM4內(nèi)存的順利量產(chǎn),公司決定對設(shè)計(jì)進(jìn)行重大調(diào)整。
發(fā)表于 02-13 16:42
?674次閱讀
據(jù)DigiTimes報道,三星電子對重新設(shè)計(jì)其第五代10nm級DRAM(1b DRAM)的報道予以否認(rèn)。 此前,ETNews曾有報道稱,三星電子內(nèi)部為解決12nm級
發(fā)表于 01-23 10:04
?952次閱讀
(High Bandwidth Memory 4)內(nèi)存規(guī)劃方面產(chǎn)生影響。 原本,三星電子計(jì)劃在2024年12月前將1c nm制程DRAM的良率提升至70%,這是結(jié)束開發(fā)工作并進(jìn)入量產(chǎn)階段所必需的水平
發(fā)表于 01-22 14:27
?598次閱讀
在CES 2025開幕前夕,三星半導(dǎo)體憑借其在存儲技術(shù)領(lǐng)域的卓越創(chuàng)新與突破,以業(yè)界首創(chuàng)的LPDDR5X DRAM技術(shù),獲得了CES 2025在移動設(shè)備、配件及應(yīng)用程序領(lǐng)域的創(chuàng)新獎。
發(fā)表于 12-31 15:15
?729次閱讀
近日,業(yè)界傳出三星電子HBM3E商業(yè)化進(jìn)程遲緩的消息,據(jù)稱這一狀況或與HBM核心芯片DRAM有關(guān)。具體而言,1a DRAM的性能問題成為了三星
發(fā)表于 10-23 17:15
?899次閱讀
三星電子在半導(dǎo)體技術(shù)的創(chuàng)新之路上再邁堅(jiān)實(shí)一步,據(jù)業(yè)界消息透露,該公司計(jì)劃于今年年底正式啟動第6代高帶寬存儲器(HBM4)的流片工作。這一舉措標(biāo)志著三星電子正緊鑼密鼓地為明年年底實(shí)現(xiàn)12層HBM4產(chǎn)品的
發(fā)表于 08-22 17:19
?1039次閱讀
據(jù)韓國媒體最新報道,三星電子已正式確認(rèn)在平澤P4工廠投資建設(shè)先進(jìn)的1c nm DRAM內(nèi)存產(chǎn)線,并預(yù)計(jì)該產(chǎn)線將于明年6月正式投入運(yùn)營。這一舉措標(biāo)志著
發(fā)表于 08-13 14:29
?847次閱讀
人工智能半導(dǎo)體領(lǐng)域的創(chuàng)新者DeepX宣布,其第一代AI芯片DX-M1即將進(jìn)入量產(chǎn)階段。這一里程碑式的進(jìn)展得益于與三星電子代工設(shè)計(jì)公司Gaonchips的緊密合作。雙方已正式簽署量產(chǎn)合同
發(fā)表于 08-10 16:50
?1521次閱讀
三星電子今日正式宣告,其業(yè)界領(lǐng)先的超薄LPDDR5X內(nèi)存封裝技術(shù)已進(jìn)入量產(chǎn)階段,再次引領(lǐng)內(nèi)存技術(shù)潮流。此次推出的LPDDR5X內(nèi)存封裝,以驚人的0.65mm封裝高度,實(shí)現(xiàn)了對上一代產(chǎn)品
發(fā)表于 08-07 11:21
?1381次閱讀
三星電子于6日正式宣布,其已成功實(shí)現(xiàn)業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的12納米級低功耗雙倍數(shù)據(jù)速率動態(tài)隨機(jī)存儲器(LPDDR5X DRAM)的量產(chǎn),這款存儲器以驚人的0.65毫米封裝厚度引領(lǐng)行業(yè),同時提供12
發(fā)表于 08-06 15:30
?912次閱讀
深圳2024年8月6日?/美通社/ -- 2024年8月6日,三星電子今日宣布其業(yè)內(nèi)最薄的12納米(nm)級LPDDR5X DRAM(內(nèi)存)開始量產(chǎn),支持12GB和16GB容量。這將
發(fā)表于 08-06 08:32
?640次閱讀
7月16日,三星電子宣布了一項(xiàng)重大技術(shù)突破,其最新研發(fā)的10.7千兆比特每秒(Gbps)LPDDR5X DRAM已成功在聯(lián)發(fā)科技即將推出的下一代天璣旗艦移動平臺上完成兼容性驗(yàn)證。此次合作中,三
發(fā)表于 07-16 16:15
?838次閱讀
三星今日宣布,已成功在聯(lián)發(fā)科技的下一代天璣旗艦移動平臺完成其最快的10.7千兆比特/秒(Gbps)LPDDR5X DRAM驗(yàn)證。 此次10.7Gbps運(yùn)行速度的驗(yàn)證,使用三星的16G
發(fā)表于 07-16 15:55
?1020次閱讀
評論