三星電子在 EUV 曝光技術取得重大進展，韓媒 Business Korea 報導，三星電子 DS 部門研究員 Kang Young-seok 表示，三星使用的 EUV 光罩護膜（EUV pellicles）透光率（transmission rate）已達 90%，計劃再提高至 94-96%。

EUV 光罩護膜（Pellicle）是光罩上的薄膜，保護光罩免于微塵或揮發(fā)性氣體的污染，使 EUV 順利傳輸。光罩護膜也是 EUV 曝光時的關鍵零件，目的是增加芯片生產良率，減少光罩使用時的清潔和檢驗。

三星今年初聲稱已開發(fā)出透光率達 88% 的 EUV 光罩護膜，且這款產品已經可以量產，而 Kang 表示三星 EUV 護膜透光率再度增加，達到 90%。其中，透光率 90% 的意思是只有 90% 進入薄膜的光線能到達光罩，這可能會影響電路圖案的精度。這比更常見的氟化氬（ArF）制程中使用的薄膜透光率（99.3%）還低。

當 EUV 光罩護膜在 250 瓦光源下操作時，每平方公分會產生的 5 瓦熱量，導致溫度高達 680℃ 以上，因此除了降低光源衰退外，還必須解決光罩護膜在 EUV 過程中遇到的翹曲或斷裂等散熱問題。

據(jù)報導，三星已主要客戶的部分先進 EUV 代工生產在線導入 EUV 光罩護膜。雖然三星也在 DRAM 生產線中采用 EUV 制程，但考慮到生產率和成本，該公司認為即使沒有光罩護膜也可以進行內存量產。

EUV 光罩護膜目前有艾司摩爾（ASML）、三井化學（Mitsui Chemicals）、信越化學、S&S Tech、FST 等業(yè)者跨足，但據(jù) Kang 透露，三星并沒有使用韓國國內供貨商提供的 EUV 光罩護膜，而是與日本三井化學合作，為唯一供貨商。

雖然 FST 和 S&STech 等韓國公司正積極開發(fā) EUV 光罩護膜，但還沒實現(xiàn)量產。相比之下，臺積電早在 2019 年開始使用自行開發(fā)的光罩護膜，并已在 7 奈米以下制程的生產線使用。