消息稱美光HBM3E正接受主要客戶質(zhì)量評價
據(jù)消息人士12月24日透露，全球第三大DRAM制造商美光因其HBM3E多層Memory產(chǎn)品廣受好評而受到客戶關(guān)注。
據(jù)悉，HBM內(nèi)存因其精準(zhǔn)特性，結(jié)合多層次的DRAM技術(shù)，使得它能在AI服務(wù)器起到迅速提升數(shù)據(jù)處理能力和效率的作用。隨著市場領(lǐng)導(dǎo)者三星電子和SK海力士的持續(xù)投入，這一市場規(guī)模預(yù)計將于2026年達到近8萬億韓元。
美光已明確表示，預(yù)期明年將進占市場份額約5%，排名第三。為了縮小與各領(lǐng)軍者間的距離，他們決定在受到矚目的HBM3E上加大研發(fā)力度，且計劃于2023年最后階段為英偉達提供測試。
美光CEO薩吉還指出，美光將于2024年滿負(fù)荷生產(chǎn)HBM芯片，這意味著相關(guān)業(yè)務(wù)的收益必將得到巨大提升。他預(yù)計，在兩年下滑后，個人電腦和智能手機市場將于2024年稍有反彈，尤其是NOR閃存市場的復(fù)蘇趨勢更為明顯。對于產(chǎn)能問題，薩吉表示會視產(chǎn)品價格回升情況再做調(diào)整。
引領(lǐng)市場的競爭對手也在積極推陳出新，擴大領(lǐng)先優(yōu)勢。例如，三星電子和SK海力士正在努力研究的HBM4第六代產(chǎn)品中，混合鍵合技術(shù)將有助于減小體積，增大容量。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
DRAM
+關(guān)注
關(guān)注
40文章
2345瀏覽量
185421 -
美光
+關(guān)注
關(guān)注
5文章
725瀏覽量
52328 -
英偉達
+關(guān)注
關(guān)注
22文章
3937瀏覽量
93462 -
HBM3E
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
80瀏覽量
448
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
熱點推薦
風(fēng)景獨好？12層HBM3E量產(chǎn)，16層HBM3E在研，產(chǎn)業(yè)鏈涌動
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃晶晶）在早前的報道中，對于HBM產(chǎn)能是否即將過剩，業(yè)界有不同的聲音，但絲毫未影響存儲芯片廠商對HBM產(chǎn)品升級的步伐。 ? 三大廠商12 層HBM3E 進展 ? 9月26日SK
三星與英偉達高層會晤，商討HBM3E供應(yīng)
其高帶寬存儲器HBM3E產(chǎn)品中的初始缺陷問題，并就三星第五代HBM3E產(chǎn)品向英偉達供應(yīng)的相關(guān)事宜進行了深入討論。 此次高層會晤引發(fā)了外界的廣泛關(guān)注。據(jù)推測，三星8層HBM3E產(chǎn)品的質(zhì)量
三星電子將供應(yīng)改良版HBM3E芯片
三星電子在近期舉行的業(yè)績電話會議中，透露了其高帶寬內(nèi)存（HBM）的最新發(fā)展動態(tài)。據(jù)悉，該公司的第五代HBM3E產(chǎn)品已在2024年第三季度實現(xiàn)大規(guī)模生產(chǎn)和銷售，并在第四季度成功向多家GPU廠商及數(shù)據(jù)中心供貨。與上一代HBM3相比，
美光加入16-Hi HBM3E內(nèi)存競爭
近日，全球DRAM內(nèi)存巨頭之一的美光科技公司宣布，將正式進軍16-Hi(即16層堆疊)HBM3E內(nèi)存市場。目前，美光正在對最終設(shè)備進行評估，
美光發(fā)布HBM4與HBM4E項目新進展
近日，據(jù)報道，全球知名半導(dǎo)體公司美光科技發(fā)布了其HBM4(High Bandwidth Memory 4，第四代高帶寬內(nèi)存)和HBM4E項目的最新研發(fā)進展。 據(jù)悉，
SK海力士推出48GB 16層HBM3E產(chǎn)品
近日在一次科技展覽上，SK海力士驚艷亮相，展出了全球首款48GB 16層HBM3E(High Bandwidth Memory 3E)產(chǎn)品。這一突破性產(chǎn)品不僅展示了SK海力士在高端存儲技術(shù)領(lǐng)域
三星電子HBM3E商業(yè)化遇阻，或重新設(shè)計1a DRAM電路
近日，業(yè)界傳出三星電子HBM3E商業(yè)化進程遲緩的消息，據(jù)稱這一狀況或與HBM核心芯片DRAM有關(guān)。具體而言，1a DRAM的性能問題成為了三星電子向英偉達提供HBM3E量產(chǎn)供應(yīng)的絆腳石。
美光12層堆疊HBM3E 36GB內(nèi)存啟動交付
美光科技近期宣布，其“生產(chǎn)可用”的12層堆疊HBM3E 36GB內(nèi)存已成功啟動交付，標(biāo)志著AI計算領(lǐng)域的一大飛躍。這款先進內(nèi)存正陸續(xù)送達主要
SK海力士9月底將量產(chǎn)12層HBM3E高性能內(nèi)存
自豪地宣布，SK 海力士當(dāng)前市場上的旗艦產(chǎn)品——8層HBM3E，已穩(wěn)坐行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)地位，而更進一步的是，公司即將在本月底邁入一個新的里程碑，正式啟動12層HBM3E的量產(chǎn)。這一舉措不僅鞏固了SK 海力士在
TrendForce:三星HBM3E內(nèi)存通過英偉達驗證,8Hi版本正式出貨
9月4日最新資訊，據(jù)TrendForce集邦咨詢的最新報告透露，三星電子已成功完成其HBM3E內(nèi)存產(chǎn)品的驗證流程，并正式啟動了HBM3E 8Hi（即24GB容量版本）的出貨，該產(chǎn)品主要面向英偉達H200系列應(yīng)用。同時，三星電子還
三星否認(rèn)HBM3E芯片通過英偉達測試
近日，有關(guān)三星的8層HBM3E芯片已通過英偉達測試的報道引起了廣泛關(guān)注。然而，三星電子迅速對此傳聞進行了回應(yīng)，明確表示該報道并不屬實。
三星HBM3e芯片量產(chǎn)在即，營收貢獻將飆升
三星電子公司近日宣布了一項重要計劃，即今年將全面啟動其第五代高帶寬存儲器（HBM）芯片HBM3e的量產(chǎn)工作，并預(yù)期這一先進產(chǎn)品將顯著提升公司的營收貢獻。據(jù)三星電子透露，隨著HBM3e芯片的逐步放量
今日看點丨蘋果 iPhone 16 Pro / Max 被曝支持 Wi-Fi 7；三星：HBM3e先進芯片今年量產(chǎn)
最先進的HBM3e芯片占總HBM的銷售額比例將從本季度略高于10%增長到今年最后一個季度的60%。三星存儲銷售和營銷負(fù)責(zé)人Kim Jaejune表示，該公司將為幾家客戶供貨，但未透露客戶
發(fā)表于 08-01 11:08
?1115次閱讀
三星否認(rèn)HBM3E通過英偉達測試傳聞
近期，有媒體報道稱三星電子已成功通過英偉達（NVIDIA）的HBM3E（高帶寬內(nèi)存）質(zhì)量測試，并預(yù)計很快將啟動量產(chǎn)流程，以滿足市場對高性能存儲解決方案的迫切需求。然而，這一消息迅速遭到了三星電子的官方否認(rèn)。
三星HBM3E質(zhì)量認(rèn)證進展：官方否認(rèn)，測試仍在進行
近日，韓國媒體的一則報道引發(fā)了業(yè)界廣泛關(guān)注，稱三星電子的新一代高帶寬內(nèi)存HBM3E已經(jīng)順利通過了GPU巨頭英偉達（NVIDIA）的質(zhì)量認(rèn)證，即Qualtest PRA（產(chǎn)品準(zhǔn)備批準(zhǔn)），并預(yù)示著該產(chǎn)品
工商網(wǎng)監(jiān)
評論