SK海力士在鞏固其面向AI的存儲器領(lǐng)域領(lǐng)導(dǎo)地位方面,HBM1無疑發(fā)揮了決定性作用。無論是率先開發(fā)出全球首款最高性能的HBM,還是確立并保持其在面向AI的存儲器市場的領(lǐng)先地位,這些成就的背后皆源于SK
發(fā)表于 06-18 15:31
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SK 海力士近日正式公布了截至2024年12月31日的2024財年及第四季度財務(wù)報告,數(shù)據(jù)顯示,該公司在過去一年中取得了令人矚目的業(yè)績。 2024年全年,SK 海力士營收達(dá)到了6619
發(fā)表于 02-08 16:22
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挑戰(zhàn)傳統(tǒng),打破限制,勇攀高峰,打破常規(guī)者們在尋求開創(chuàng)性解決方案的過程中重塑規(guī)則。繼SK海力士品牌短片《誰是打破常規(guī)者》播出后,將推出一系列文章,展示公司在重塑技術(shù)、重新定義行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)方面采取的各種“打破常規(guī)”的創(chuàng)新舉措。本系列第七
發(fā)表于 01-24 10:25
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單面拋光吸附墊是拋光技術(shù)領(lǐng)域中的一種重要配件,主要用于晶圓等半導(dǎo)體材料的單面拋光過程中。以下是對單面拋光
發(fā)表于 12-13 11:04
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與優(yōu)化。 在新的組織架構(gòu)下,SK海力士的業(yè)務(wù)部門被精細(xì)劃分為五大板塊,分別是負(fù)責(zé)AI基礎(chǔ)設(shè)施的CMO(首席營銷官)部門、專注于研發(fā)領(lǐng)域的CTO(首席技術(shù)官)部門、承擔(dān)開發(fā)重任的CDO(
發(fā)表于 12-06 13:46
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在近日舉行的SK AI峰會上,韓國存儲巨頭SK海力士向全球展示了其創(chuàng)新成果——全球首款48GB 16層HBM3E產(chǎn)品。這一產(chǎn)品的推出,標(biāo)志著SK海力
發(fā)表于 11-13 14:35
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限的產(chǎn)能轉(zhuǎn)向更高端的產(chǎn)品線,如人工智能用存儲器及先進(jìn)DRAM產(chǎn)品。 SK海力士的這一決策可能與其重點發(fā)展高端存儲技術(shù)研發(fā)和生產(chǎn)有關(guān)。近日,該公司對外展示了全球首款48GB 16層HBM
發(fā)表于 11-07 11:37
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和卓越的研發(fā)能力,已經(jīng)提前開發(fā)出48GB 16層HBM3E產(chǎn)品。這一舉措不僅展現(xiàn)了SK海力士的技術(shù)實力,更凸顯了其對市場趨
發(fā)表于 11-05 15:01
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SK海力士宣布,公司已正式踏入人工智能芯片生產(chǎn)的新階段,批量生產(chǎn)業(yè)界領(lǐng)先的12層HBM3E芯片。這款芯片不僅代表了SK海力士在內(nèi)存技術(shù)上的重
發(fā)表于 09-26 14:24
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韓國首爾,2024年9月23日訊 —— SK海力士今日宣布了一項重大技術(shù)突破,其自主研發(fā)的異構(gòu)存儲器軟件開發(fā)套件(Heterogeneous Memory S/W Developme
發(fā)表于 09-23 14:23
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在最近的FMS 2024峰會上,SK 海力士憑借其創(chuàng)新實力,率先向業(yè)界展示了尚未正式發(fā)布規(guī)范的UFS 4.1通用閃存新品,再次引領(lǐng)存儲技術(shù)的前沿。此次展示不僅彰顯了SK
發(fā)表于 08-10 16:52
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全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造商SK 海力士近日宣布了一項重大突破,正式推出了全球性能巔峰的新一代顯存產(chǎn)品——GDDR7。這款專為圖形處理優(yōu)化設(shè)計的顯存,憑借其前所未有的高速與卓越性能,再次彰顯了SK
發(fā)表于 08-07 11:20
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韓國半導(dǎo)體巨頭SK海力士正加速推進(jìn)NAND閃存技術(shù)的革新,據(jù)韓媒最新報道,該公司計劃于2025年末全面完成400+層堆疊NAND閃存的量產(chǎn)準(zhǔn)備工作,并預(yù)計于次年第二季度正式開啟大規(guī)模生產(chǎn)。這一舉措標(biāo)志著
發(fā)表于 08-02 16:56
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據(jù)最新消息,SK海力士正醞釀一項重要財務(wù)戰(zhàn)略,考慮推動其NAND與SSD業(yè)務(wù)子公司Solidigm在美國進(jìn)行首次公開募股(IPO)。Solidigm作為SK海力士在2021年底通過收購
發(fā)表于 07-30 17:35
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在半導(dǎo)體技術(shù)日新月異的今天,SK海力士再次站在了行業(yè)創(chuàng)新的前沿。據(jù)最新消息,該公司計劃于2026年在其高性能內(nèi)存(High Bandwidth Memory, HBM)的生產(chǎn)過程中引入混合鍵合
發(fā)表于 07-17 09:58
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