PN8611集成超低待機功耗原邊控制器、FB下偏電阻和電容、VDD供電二極管、CS電阻及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外圍元器件超精簡的充電器、適配器和內(nèi)置電源。PN8611為原邊反饋工作模式，可省略光耦和TL431。內(nèi)置高壓啟動電路，可實現(xiàn)芯片空載損耗（230VAC）小于50mW。

PN8611是一款全電壓實現(xiàn)12V1A輸出的電源適配器芯片，PCBA尺寸：50.0mm*38.0mm*16.0mm，12W功率輸出，待機功耗<75mW，平均效率：>83.26%，可滿足CoC V5 Tier 2，全電壓可實現(xiàn)±3%的CC/CV輸出精度，具有市電異常保護，輸出短路、VDD過壓、FB上電阻異常、肖特基短路、過溫等保護功能。

12v1a適配器方案亮點：

■高集成度，僅2顆外圍，1顆供電電容和1顆調(diào)節(jié)輸出電壓的反饋電阻；

■高恒壓恒流精度，利用CP trim和FT trim技術，實現(xiàn)CC/CV 3%精度；

■高可靠性，精準實現(xiàn)市電異常保護；

■高轉(zhuǎn)換效率，多工作模式輕松滿足CoC V5 Tier 2能效標；

■卓越EMC性能，無Y無共模，EMC余量大于6dB

基于PN8611的12V1A適配器方案，在BOM精簡至21顆元器件的情況下，方案依然可滿足CoC V5 Tier 2能效要求且安規(guī)、EMC余量充足，實乃應對12V1A適配器激烈競爭中的一把利刃。

審核編輯：黃飛