女人荫蒂被添全过程13种图片,亚洲+欧美+在线,欧洲精品无码一区二区三区 ,在厨房拨开内裤进入毛片

0
  • 聊天消息
  • 系統消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發帖/加入社區
會員中心
創作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

至信微發布1200V/7mΩ、750V/5mΩ SiC芯片

CHANBAEK ? 來源:網絡整理 ? 2024-01-16 15:45 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

深圳市至信微電子有限公司(簡稱:至信微)在深圳威尼斯英迪格酒店成功舉辦了2024新品發布暨代理商大會。此次大會上,至信微發布了一系列行業領先的SiC芯片,其中包括1200V/7mΩ和750V/5mΩ兩款產品。

至信微的SiC芯片以其卓越的性能和領先的指標,再次證明了公司在半導體領域的領先地位。尤其是1200V/7mΩ這款產品,其強大的性能指標和極具競爭力的成本優勢,使得其在市場中獨樹一幟。

至信微副總經理王仁震在會上表示,SiC芯片的高良率是實現這一優勢的關鍵因素。得益于公司先進的制程技術和嚴格的質量控制,至信微的晶圓裸片具有超高良率,從而確保了產品的可靠性和穩定性。

此次新品發布不僅展示了至信微在半導體領域的強大實力,也表明公司致力于創新和研發的決心。至信微將繼續秉承科技創新、品質卓越的理念,為廣大客戶提供更優質、更可靠的產品和服務。

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
  • 芯片
    +關注

    關注

    459

    文章

    52452

    瀏覽量

    439951
  • 半導體
    +關注

    關注

    335

    文章

    28856

    瀏覽量

    236819
  • SiC
    SiC
    +關注

    關注

    31

    文章

    3221

    瀏覽量

    65031
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    英飛凌新一代750V SiC MOSFET產品亮點

    英飛凌750V CoolSiC 碳化硅MOSFET分立器件具有業界領先的抗寄生導通能力和成熟的柵極氧化層技術,可在Totem Pole、ANPC、Vienna整流器和FCC等硬開關拓撲中實現卓越性能。
    的頭像 發表于 06-20 14:44 ?423次閱讀

    基本股份B3M013C120Z(碳化硅SiC MOSFET)的產品力分析

    從基本股份推出的B3M013C120Z(1200V/176A SiC MOSFET)的產品力分析,中國SiC碳化硅MOSFET產業已實現顯著進步,具體體現在以下核心維度。
    的頭像 發表于 06-19 17:02 ?187次閱讀
    基本股份B3<b class='flag-5'>M</b>013C120Z(碳化硅<b class='flag-5'>SiC</b> MOSFET)的產品力分析

    新品 | 英飛凌EconoDUAL? 3 CoolSiC? SiC MOSFET 1200V模塊

    新品英飛凌EconoDUAL3CoolSiCSiCMOSFET1200V模塊英飛凌EconoDUAL31200V/1.4mΩCoolSiCSiCMOSFET半橋模塊,增強型1代M1H
    的頭像 發表于 06-10 17:06 ?600次閱讀
    新品 | 英飛凌EconoDUAL? 3 CoolSiC? <b class='flag-5'>SiC</b> MOSFET <b class='flag-5'>1200V</b>模塊

    聞泰科技推出車規級1200V SiC MOSFET

    在全球新能源汽車加速普及的今天,續航短、充電慢成為行業發展瓶頸。為突破這兩大痛點,高功率電壓系統對1200V耐壓功率芯片的需求愈發迫切,1200V SiC功率器件成為行業競相攻堅的焦點
    的頭像 發表于 05-14 17:55 ?510次閱讀

    安森美M3S與M2 SiC MOSFET的性能比較

    安森美 (onsemi)的1200V 分立器件和模塊中的 M3S 技術已經發布M3S MOSFET 的導通電阻和開關損耗均較低,提供 650 V
    的頭像 發表于 02-21 11:24 ?1053次閱讀
    安森美<b class='flag-5'>M</b>3S與<b class='flag-5'>M</b>2 <b class='flag-5'>SiC</b> MOSFET的性能比較

    新品 | QDPAK TSC頂部散熱封裝工業和汽車級CoolSiC? MOSFET G1 8-140mΩ 750V

    新品QDPAKTSC頂部散熱封裝工業和汽車級CoolSiCMOSFETG18-140mΩ750V新推出的CoolSiCMOSFET750VG1是一個高度可靠的SiCMOSFET系列,具有最佳的系統性
    的頭像 發表于 01-17 17:03 ?730次閱讀
    新品 | QDPAK TSC頂部散熱封裝工業和汽車級CoolSiC? MOSFET G1 8-140<b class='flag-5'>m</b>Ω <b class='flag-5'>750V</b>

    中恒發布Mini Z3功率模塊:750V新技術車規級芯片引領新能源變革

    ,以新一代750V車規級芯片為核心,再次刷新了車用IGBT模塊的性能標準。 Mini Z3功率模塊不僅繼承了中恒半導體在IGBT技術領域的深厚積累,更在性能上實現了顯著的提升。其采用的750
    的頭像 發表于 12-26 13:56 ?649次閱讀

    新品 | 750V 8mΩ CoolSiC? MOSFET

    750V8mΩCoolSiCMOSFET采用TO-247-4封裝的新型CoolSiCMOSFET750VG1是高度堅固的SiCMOSFET,具有最佳的系統性能和可靠性
    的頭像 發表于 12-20 17:04 ?650次閱讀
    新品 | <b class='flag-5'>750V</b> 8<b class='flag-5'>m</b>Ω CoolSiC? MOSFET

    三菱電機1200VSiC MOSFET技術解析

    1200VSiC MOSFET是一種能充分發揮SiC優勢的器件,廣泛應用于工業、汽車等領域。目前,1200VSiC MOSFET被多家器
    的頭像 發表于 12-04 10:50 ?1797次閱讀
    三菱電機<b class='flag-5'>1200V</b>級<b class='flag-5'>SiC</b> MOSFET技術解析

    瞻芯電子推出采用TC3Pak封裝的1200V SiC MOSFET

    為了滿足高密度的功率變換的需求,瞻芯電子推出2款新型TC3Pak(Topside Cooling D3Pak)頂部散熱型、表面貼封裝1200V碳化硅(SiC)MOSFET產品,具有低損耗、散熱性強等特點,讓系統設計更緊湊、更高效,組裝時能自動化生產。
    的頭像 發表于 11-27 14:58 ?972次閱讀
    瞻芯電子推出采用TC3Pak封裝的<b class='flag-5'>1200V</b> <b class='flag-5'>SiC</b> MOSFET

    東芝推出全新1200V SiC MOSFET

    東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)宣布,最新開發出一款用于車載牽引逆變器[1]的裸片[2]1200 V碳化硅(SiC)MOSFET“X5M007E120”,其創新的結構可實現低
    的頭像 發表于 11-21 18:10 ?959次閱讀
    東芝推出全新<b class='flag-5'>1200V</b> <b class='flag-5'>SiC</b> MOSFET

    用于Wolfspeed 1200V SiC平臺的UCC217xx和ISO5x5x半橋EVM用戶指南

    電子發燒友網站提供《用于Wolfspeed 1200V SiC平臺的UCC217xx和ISO5x5x半橋EVM用戶指南.pdf》資料免費下載
    發表于 11-09 14:15 ?0次下載
    用于Wolfspeed <b class='flag-5'>1200V</b> <b class='flag-5'>SiC</b>平臺的UCC217xx和ISO<b class='flag-5'>5x5</b>x半橋EVM用戶指南

    納芯發布首款1200V SiC MOSFET,為高效、可靠能源變換再添助力!

    納芯推出1200V首款SiC MOSFET NPC060N120A系列產品,該產品RDSon為60mΩ,具有通孔式TO-247-4L與表面貼裝TO-263-
    的頭像 發表于 10-29 13:54 ?662次閱讀
    納芯<b class='flag-5'>微</b><b class='flag-5'>發布</b>首款<b class='flag-5'>1200V</b> <b class='flag-5'>SiC</b> MOSFET,為高效、可靠能源變換再添助力!

    2.5nH超低電感的1200V SiC MOSFET三相全橋模塊

    1200V三相全橋碳化硅功率模塊,雜散電感低2.5nH,工作安全穩定。工作電源電壓可達900V-1000V,工作頻率可達30kHz,輸出功率可達300kW。LPD模塊具有耐久、安全的性能優勢,性價比超國外產品,適用于電動汽車、
    的頭像 發表于 09-18 17:18 ?929次閱讀
    2.5nH超低電感的<b class='flag-5'>1200V</b> <b class='flag-5'>SiC</b> MOSFET三相全橋模塊

    1200V GaN又有新玩家入場,已進入量產

    電子發燒友網報道(文/梁浩斌)最近,又有國內GaN廠商成功突破1200V GaN器件技術。7月26日,宇騰科技在社交平臺上宣布公司自主研發生產的藍寶石基GaN功率器件工作電壓達到1200V,已進入
    的頭像 發表于 07-31 01:06 ?4417次閱讀
    主站蜘蛛池模板: 沾益县| 大洼县| 铅山县| 灯塔市| 富锦市| 西宁市| 阿坝| 建瓯市| 万宁市| 鄱阳县| 东山县| 滨州市| 马尔康县| 海晏县| 陇南市| 高邮市| 新泰市| 桂东县| 娄烦县| 靖宇县| 镇康县| 泗水县| 吉木萨尔县| 庄浪县| 合川市| 闽侯县| 虎林市| 五峰| 贡嘎县| 乐昌市| 双城市| 五大连池市| 兰溪市| 长兴县| 明星| 巩留县| 玛纳斯县| 库尔勒市| 马尔康县| 南安市| 崇信县|