半導(dǎo)體資料丨氧化鋅、晶體硅/鈣鈦礦、表面化學(xué)蝕刻的 MOCVD GaN

蝕刻時(shí)間和過氧化氫濃度對(duì)ZnO玻璃基板的影響

本研究的目的是確定蝕刻ZnO薄膜的最佳技術(shù)。使用射頻濺射設(shè)備在玻璃基板上沉積ZnO。為了蝕刻ZnO薄膜，使用10%、20%和30%的過氧化氫（H2O2）濃度，蝕刻時(shí)間為30秒和60秒。經(jīng)過一定量的蝕刻后，光學(xué)帶隙降低，這表明薄膜的結(jié)晶度質(zhì)量有所提高。利用OPAL 2模擬器研究了不同ZnO厚度對(duì)樣品光學(xué)性能的影響。與其他不同厚度的ZnO層相比，OPAL 2模擬表明，400nm的ZnO層在UV波長范圍內(nèi)具有最低的透射率。

晶體硅/黑硅/鈣鈦礦串聯(lián)結(jié)構(gòu)的光學(xué)模擬與實(shí)驗(yàn)研究

在這項(xiàng)工作中，使用轉(zhuǎn)移矩陣方法對(duì)這些結(jié)構(gòu)的光學(xué)性質(zhì)進(jìn)行了建模，其中b-Si夾層的錐形納米針陣列近似為均勻光學(xué)介質(zhì)，其有效復(fù)折射率是Si和鈣鈦礦的加權(quán)平均值。得到了串聯(lián)結(jié)構(gòu)反射、透射和吸收的解析方程。將該結(jié)構(gòu)的模擬反射光譜與沒有b-Si層的結(jié)構(gòu)的反射光譜以及實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)進(jìn)行了比較。數(shù)值計(jì)算和實(shí)驗(yàn)證實(shí)，納米織構(gòu)顯著改善了串聯(lián)結(jié)構(gòu)的光學(xué)性能。

表面化學(xué)蝕刻的 MOCVD GaN 結(jié)構(gòu)的發(fā)光特性

本工作旨在通過濕蝕刻方法改善MOCVD GaN的閃爍特性。發(fā)現(xiàn)了一個(gè)額外的藍(lán)色光致發(fā)光（B-PL）帶，峰值在2.7–2.9 eV，并與位錯(cuò)有關(guān)。該B-PL帶強(qiáng)度似乎取決于濕法蝕刻暴露。當(dāng)在相當(dāng)?shù)偷臏囟认掠涗洉r(shí)，B-PL的強(qiáng)度顯著增強(qiáng)。這一發(fā)現(xiàn)類似于B-PL中心的PL熱猝滅。通過協(xié)調(diào)互補(bǔ)光電離和PL光譜技術(shù)，研究了閃爍強(qiáng)度和光譜變化的機(jī)制。

關(guān)鍵詞：氮化鎵、濕式蝕刻、光致發(fā)光、脈沖光電離光譜學(xué)、過氧化氫、濕式蝕刻、氧化鋅薄膜、射頻濺射、玻璃基板、晶體硅、黑硅、鈣鈦礦

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