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三星試產(chǎn)第二代3納米工藝SF3,2024年下半年大規(guī)模量產(chǎn)

牛牛牛 ? 來源:網(wǎng)絡整理 ? 作者:網(wǎng)絡整理 ? 2024-01-24 15:21 ? 次閱讀
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三星半導體近日宣布,已經(jīng)開始試產(chǎn)第二代3納米工藝SF3。這一里程碑式的事件,突顯了三星與臺積電在先進工藝節(jié)點上的激烈競爭。

SF3工藝的獨特之處在于其實現(xiàn)了在同一單元內(nèi)調(diào)整不同環(huán)柵(GAA)晶體管納米片溝道寬度。這一創(chuàng)新為芯片設計提供了更大的自由度,從而降低功耗、提升性能,并優(yōu)化晶體管密度。

三星計劃在未來六個月內(nèi)將SF3工藝的良率提升至60%以上。目前,該公司正在對使用此工藝制造的芯片進行性能和可靠性測試。首款采用SF3工藝的芯片將是一款專為可穿戴設備設計的應用處理器,預計將在今年晚些時候發(fā)布的Galaxy Watch 7等產(chǎn)品中亮相。

三星表示,他們計劃從2024年下半年開始大規(guī)模量產(chǎn)SF3芯片。在2023年至2024年期間,三星將以3納米工藝為主,包括SF3(3GAP)和改進版本SF3P(3GAP+)。此外,該公司還計劃在2025年至2026年推出2納米工藝節(jié)點。

三星在晶圓代工領域的突破為全球芯片產(chǎn)業(yè)帶來了新的技術革新和競爭格局。這一進展無疑將進一步推動半導體技術的進步,并有望為未來的電子產(chǎn)品帶來更強大的性能和更低的功耗。

審核編輯:黃飛

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