昨天，“行家說三代半”報道了三安在重慶的2個碳化硅項目進展（.點這里.），今天，三安又公布了最新的項目消息：

今年8月，碳化硅襯底工廠點亮投產(chǎn)；

今年11月，碳化硅芯片廠點亮投產(chǎn)；

達產(chǎn)以后 ，8吋碳化硅MOSFET芯片會達到每周一萬片。

重慶公布SiC重大項目

三安2個工廠即將點亮投產(chǎn)

2月1日，重慶市發(fā)展改革委發(fā)布了《成渝地區(qū)雙城經(jīng)濟圈2024年重大項目實施有關(guān)工作》的通知，披露了安意法半導(dǎo)體、欣暉材料等碳化硅相關(guān)項目。

●重慶高新區(qū)安意法半導(dǎo)體8英寸碳化硅外延、芯片項目：

該項目位于重慶高新區(qū)西永微電子產(chǎn)業(yè)園，總投資約為230億元，由湖南三安和意法半導(dǎo)體合資建設(shè)，其中湖南三安持股比例為51%，意法半導(dǎo)體持股比例為49%。

產(chǎn)能建設(shè)方面，該項目主要布設(shè)外延、芯片生產(chǎn)線，并分2期建設(shè)，各期年產(chǎn)能均為26萬片的車規(guī)級MOSFET芯片，全廠建成后，可年產(chǎn)車規(guī)級MOSFET芯片52萬片。

據(jù)“ 重科城微報”2月20日最新消息，意法半導(dǎo)體項目在春節(jié)期間不停工，建設(shè)取得快速進展，預(yù)計年內(nèi)亮燈通線，比原計劃提前2個月。

安意法半導(dǎo)體有限公司總經(jīng)理張潔博士表示：“樂觀地預(yù)計，在今年的8月和11月，我們能夠分別進行襯底廠和芯片廠的點亮投產(chǎn)。達產(chǎn)以后 ，會達到每周一萬片8吋碳化硅MOSFET芯片的產(chǎn)出水平，主要是應(yīng)用在新能源汽車主驅(qū)逆變、充電樁和車載充電器上。”

● 兩江欣暉硅及碳化硅部件項目：

項目建設(shè)方為重慶欣暉材料技術(shù)有限公司，坐落于重慶兩江新區(qū)魚復(fù)工業(yè)園區(qū)，項目總投資25億元，占地面積135畝，建設(shè)硅及碳化硅部件生產(chǎn)廠房及廠務(wù)配套、生活區(qū)等設(shè)施約10萬平方米。項目建成后將實現(xiàn)硅部件產(chǎn)能17萬件/年，碳化硅部件產(chǎn)能8萬片/年。

除了重慶發(fā)布碳化硅重大項目外，前不久，江蘇、浙江、河南三省共有13個SiC項目入選2024年重大項目清單（.點這里.）；最近，山西、福建、上海及廣州等多地也開始陸續(xù)公布新一年的重大項目清單，合計披露6個碳化硅相關(guān)項目，涉及企業(yè)包括天岳先進、積塔半導(dǎo)體、爍科等。

根據(jù)官方信息及此前報道，“行家說三代半”梳理了這批項目的最新進展：

上海：積塔、天岳先進、邦芯半導(dǎo)體等

2月5日，臨港新片區(qū)管委會披露，2024年臨港新片區(qū)重大項目計劃安排正式項目148項，其中包括積塔半導(dǎo)體、天岳先進等在建碳化硅相關(guān)項目。

●積塔半導(dǎo)體特色工藝生產(chǎn)線建設(shè)項目：

該項目屬在建項目，目前，積塔半導(dǎo)體在臨港新片區(qū)和徐匯區(qū)建有兩個廠區(qū)，已建和在建產(chǎn)能共計28萬片/月（折合8吋計算），其中碳化硅3萬片/月。

據(jù)悉，2018年8月，積塔特色工藝生產(chǎn)線項目在上海開工，一期規(guī)劃建設(shè) 6 英寸SiC生產(chǎn)線；2020年6月30日，該項目正式投產(chǎn)。

●天岳先進碳化硅半導(dǎo)體材料項目（一期、二期一階段）：

該項目建設(shè)方為天岳先進——2021年，天岳先進開啟IPO進程，并且擬募資20億元、總投資25億元，在上海臨港建碳化硅半導(dǎo)體材料項目，擴產(chǎn)產(chǎn)能（規(guī)劃SiC襯底產(chǎn)能約30萬片/年）。2022年3月，該項目已成功封頂。

2023年5月，臨港新片區(qū)管理委員會對外公示了《關(guān)于“天岳半導(dǎo)體碳化硅半導(dǎo)體材料項目（調(diào)整）”》的環(huán)評審批意見，根據(jù)公告，天岳先進將進行產(chǎn)能調(diào)整，6英寸碳化硅晶片生產(chǎn)規(guī)模擴大至96萬片/年，產(chǎn)能將增加220%。

●半導(dǎo)體先進工藝裝備研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化項目：

該項目建設(shè)方為上海邦芯半導(dǎo)體——2023年8月，邦芯半導(dǎo)體硅基及化合物半導(dǎo)體核心裝備產(chǎn)研項目簽約入駐臨港藍灣，將進一步推動等離子刻蝕、等離子體去膠和薄膜沉積等關(guān)鍵技術(shù)的深化。

此外，邦芯半導(dǎo)體旗下全資子公司——諳邦半導(dǎo)體也已落戶臨港新片區(qū)，致力于化合物半導(dǎo)體刻蝕設(shè)備、化合物芯片介質(zhì)刻蝕設(shè)備等產(chǎn)品的研發(fā)和生產(chǎn)，實現(xiàn)國產(chǎn)化替代。核心自研產(chǎn)品已應(yīng)用于中芯國際、積塔半導(dǎo)體等SiC企業(yè)。

山西：爍科碳化硅二期項目

2月6日，山西省人民政府辦公廳公布了《關(guān)于印發(fā)2024年省級重點工程項目名單的通知》 ，其中包含山西爍科碳化硅項目。

中國電科(山西)碳化硅材料產(chǎn)業(yè)基地二期項目位于太原市山西轉(zhuǎn)型綜改示范區(qū)，是山西爍科晶體有限公司瞄準(zhǔn)“成為國內(nèi)卓越、世界一流的碳化硅材料供應(yīng)商”這一目標(biāo)打造的一張關(guān)鍵“拼圖”。

該項目投資5億元，主要建設(shè)包括單晶生產(chǎn)車間、動力配套等在內(nèi)的總面積1.6萬平方米的綜合性廠房，投產(chǎn)后產(chǎn)值可達30萬片。項目于2023年9月份開始建設(shè)，10月份進入主體鋼結(jié)構(gòu)施工，11月主體完成封頂。目前，該項目已具備設(shè)備進廠條件，預(yù)計2024年3月可投入試生產(chǎn)。

福建：士蘭明鎵SiC項目

2月5日，福建發(fā)改委公布了《2024年度省重點項目名單》，披露了士蘭微旗下士蘭明鎵SiC功率器件生產(chǎn)線建設(shè)項目。

士蘭明鎵SiC功率器件生產(chǎn)線建設(shè)項目起初由士蘭微與廈門半導(dǎo)體投資集團有限公司共同出資建立，后引入大基金二期、廈門海創(chuàng)發(fā)展基金合伙企業(yè)（有限合伙）等增資，以加快推進生產(chǎn)線建設(shè)。

據(jù)士蘭微2月1日公告披露，士蘭明鎵已具備月產(chǎn) 3000 片 6 寸 SiC MOSFET 芯片的生產(chǎn)能力，現(xiàn)有產(chǎn)能已滿載。士蘭明鎵正在加快項目設(shè)備的購置和安裝調(diào)試，預(yù)計 2024 年年底將具備月產(chǎn) 1.2萬片 6 寸 SiC 芯片的產(chǎn)能。

廣州：芯粵能一期項目已竣工

1月31日，廣州市發(fā)展和改革委員會公布了《廣州市2024年重點建設(shè)項目計劃》，其中提及到芯粵能SiC項目。

芯粵能共投資35億元在廣州南沙區(qū)建設(shè)碳化硅芯片項目，其中一期建設(shè)年產(chǎn)24萬片6英寸碳化硅晶圓的生產(chǎn)線。目前，該項目月產(chǎn)能已達到1萬片碳化硅晶圓；車規(guī)級和工控級芯片成功流片并送樣，芯片性能參數(shù)表現(xiàn)優(yōu)異。

審核編輯：劉清