納芯微發布首款1200V SiC MOSFET
納芯微推出1200V首款SiC MOSFET NPC060N120A系列產品，該產品RDSon為60mΩ，具有通孔式TO-247-4L與表面貼裝TO-263-7L兩種封裝形式，可提供車規與工規兩種等級。
納芯微的碳化硅MOSFET具有卓越的RDSon溫度穩定性、門極驅動電壓覆蓋度更寬、具備高可靠性，適用于電動汽車(EV) OBC/DCDC、熱管理系統、光伏和儲能系統(ESS)以及不間斷電源(UPS)等領域。
NPC060N120A產品特性
更寬的柵極驅動電壓范圍(-8~22V)
支持+15V，+18V驅動模式(可實現IGBT兼容：+18 V)
+18V模式對下，RDSon可降低20%
更好的RDSon溫度穩定性出色的閾值電壓一致性
Vth在25°C~175°C 的范圍保持在2.0V~2.8V之間
體二極管正向壓降非常低且穩健性高
100%的雪崩測試，從而提高整體的可靠性，抗沖擊能力強
此外，功率產品開發中可靠性驗證與質量控制是納芯微非常重視環節之一。為了提供給客戶更可靠的碳化硅MOSFET產品，在碳化硅芯片生產過程中施行嚴格的質量控制，所有碳化硅產品做到 100% 靜態電參數測試，100%抗雪崩能力測試。此外，會執行比AEC-Q101更加嚴格的測試條件來執行產品可靠性驗證，如下圖：
以執行較為嚴苛的HV-H3TRB為例，在可靠性1000小時測試后，該款產品仍具有比較優異的穩定性。
NPC060N120A產品選型表
納芯微SiC MOSFET命名規則
審核編輯 黃宇
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規問題，請聯系本站處理。
舉報投訴
-
MOSFET
+關注
關注
150文章
8502瀏覽量
219893 -
SiC
+關注
關注
31文章
3210瀏覽量
64931 -
納芯微
+關注
關注
2文章
320瀏覽量
15088
發布評論請先 登錄
相關推薦
熱點推薦
方寸之間構筑系統級可靠性，納芯微發布國產首款高性能 2 線制霍爾開關 MT72xx系列
納芯微發布國內首款2線制霍爾開關MT72xx系列，具有卓越EMC性能、豐富極性選擇和高集成設計，
基本股份B3M013C120Z（碳化硅SiC MOSFET）的產品力分析
從基本股份推出的B3M013C120Z(1200V/176A SiC MOSFET)的產品力分析，中國SiC碳化硅MOSFET產業已實現顯著
聞泰科技推出車規級1200V SiC MOSFET
，聞泰科技半導體業務近期推出領先行業的D2PAK-7封裝車規級1200V SiC MOSFET，為電動汽車行業注入強勁新動能。
納微半導體推出采用HV-T2Pak封裝的全新碳化硅MOSFET
納微半導體 (納斯達克股票代碼: NVTS) 今日推出一種全新的可靠性標準，以滿足最嚴苛汽車及工業應用的系統壽命要求。納微最新一代650V與
Nexperia推出采用X.PAK封裝的1200V SiC MOSFET
Nexperia（安世半導體）正式推出一系列性能高效、穩定可靠的工業級1200 V碳化硅(SiC) MOSFET。
三菱電機1200V級SiC MOSFET技術解析
1200V級SiC MOSFET是一種能充分發揮SiC優勢的器件，廣泛應用于工業、汽車等領域。目前，1200V級
瞻芯電子推出車規級1200V 60A SiC 肖特基二極管(SBD)產品，助力高效大功率應用
為了滿足高效、大功率變換系統應用需要，瞻芯電子開發了4款1200V 60A SiC肖特基二極管(SBD)產品，其中TO247-2封裝器件產品IV2D12060T2Z滿足車規級可靠性標準
瞻芯電子推出采用TC3Pak封裝的1200V SiC MOSFET
為了滿足高密度的功率變換的需求，瞻芯電子推出2款新型TC3Pak（Topside Cooling D3Pak）頂部散熱型、表面貼封裝1200V碳化硅（SiC）
東芝推出全新1200V SiC MOSFET
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）宣布，最新開發出一款用于車載牽引逆變器[1]的裸片[2]1200 V碳化硅（SiC）MOSFET“
用于Wolfspeed 1200V SiC平臺的UCC217xx和ISO5x5x半橋EVM用戶指南
電子發燒友網站提供《用于Wolfspeed 1200V SiC平臺的UCC217xx和ISO5x5x半橋EVM用戶指南.pdf》資料免費下載
發表于 11-09 14:15
?0次下載
納芯微發布低功耗高精度Δ-Σ型ADC
近日，納芯微推出了兩款多通道、低功耗、高精度的Δ-Σ型ADC產品——NSAD124x和NSAD114x系列。這兩款產品專為滿足工業級高精度測
納芯微推出全新CSP封裝MOSFET產品
近日，納芯微正式推出了CSP封裝12V共漏極雙N溝道MOSFET——NPM12023A系列產品。這款新品以其優異的短路過流能力與雪崩過壓能力
2.5nH超低電感的1200V SiC MOSFET三相全橋模塊
1200V三相全橋碳化硅功率模塊，雜散電感低至2.5nH，工作安全穩定。工作電源電壓可達900V-1000V，工作頻率可達30kHz，輸出功率可達300kW。LPD模塊具有耐久、安全的性能優勢，性價比超國外產品，適用于電動汽車、氫能源汽車、高速電機驅動、光伏風能發電等領域
1200V GaN又有新玩家入場，已進入量產
電子發燒友網報道（文/梁浩斌）最近，又有國內GaN廠商成功突破1200V GaN器件技術。7月26日，宇騰科技在社交平臺上宣布公司自主研發生產的藍寶石基GaN功率器件工作電壓達到1200V，已進入
工商網監
評論