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SK海力士聯(lián)手臺積電推出HBM4,引領(lǐng)下一代DRAM創(chuàng)新

微云疏影 ? 來源:綜合整理 ? 作者:綜合整理 ? 2024-04-19 09:28 ? 次閱讀
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據(jù)報(bào)道,韓國SK海力士公司今天宣布,已與全球知名芯片制造商臺灣積體電路股份有限公司達(dá)成共識,未來將緊密合作研發(fā)面向下一代人工智能應(yīng)用的高密度內(nèi)存HBM4,預(yù)計(jì)將于2026年正式投放市場。

SK海力士表示,憑借其在AI應(yīng)用領(lǐng)域存儲器發(fā)展的領(lǐng)先地位,以及與臺積電在全球頂尖邏輯代工領(lǐng)域的深厚合作基礎(chǔ),該公司有信心持續(xù)引領(lǐng)HBM技術(shù)創(chuàng)新。通過整合IC設(shè)計(jì)廠、晶圓代工廠及存儲器廠的技術(shù)資源,SK海力士將進(jìn)一步提升存儲器產(chǎn)品性能,實(shí)現(xiàn)新的突破。

此次合作的重點(diǎn)在于優(yōu)化HBM封裝內(nèi)最底層的基礎(chǔ)裸片性能。HBM由多個(gè)DRAM裸片堆疊在基礎(chǔ)裸片之上,再通過TSV技術(shù)進(jìn)行垂直連接。基礎(chǔ)裸片同時(shí)連接到GPU,負(fù)責(zé)對HBM進(jìn)行控制。

SK海力士過去的HBM產(chǎn)品如HBM3E均采用自家制程工藝制造基礎(chǔ)裸片,然而從HBM4起,公司計(jì)劃轉(zhuǎn)向使用臺積電的先進(jìn)邏輯工藝。超精細(xì)工藝的基礎(chǔ)裸片可帶來更多功能,從而使公司能夠生產(chǎn)出性能和效率更為出色的定制化HBM產(chǎn)品。

此外,雙方還將共同優(yōu)化SK海力士的HBM產(chǎn)品與臺積電的CoWoS技術(shù)相結(jié)合,以滿足HBM相關(guān)客戶的需求。

CoWoS是臺積電獨(dú)特的制程工藝,通過在特殊基板上搭載并連接GPU、xPU等邏輯芯片和HBM,形成2.5D封裝技術(shù)。

SK海力士AI Infra社長金柱善表示,與臺積電的深度合作不僅有助于推出性能卓越的HBM4,還將推動(dòng)與全球客戶的開放式合作。未來,公司將致力于提升客戶定制化存儲器平臺的競爭力,鞏固其在“面向AI的存儲器全方位供應(yīng)商”中的地位。

臺積電業(yè)務(wù)開發(fā)和海外營運(yùn)辦公室資深副總經(jīng)理暨副共同營運(yùn)長張曉強(qiáng)表示,臺積電與SK海力士長期以來保持著穩(wěn)定的合作伙伴關(guān)系。借助最新一代的邏輯工藝和HBM產(chǎn)品,兩家公司有望為市場提供領(lǐng)先的AI解決方案。展望未來,他們期待通過緊密合作,為共同客戶提供最佳整合產(chǎn)品,助力AI創(chuàng)新。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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