2公厘的神圣領(lǐng)域

觀察矽晶圓的外緣，可以發(fā)現(xiàn)有如圖4-6-1所示的邊緣磨邊加工。此種針對外緣進(jìn)行磨邊的加工，一般稱為“導(dǎo)角（beve-ling）。

導(dǎo)角加工，目的在于將矽晶圓收納于搬運(yùn)盤中進(jìn)行運(yùn)輸時(shí)，降低因?yàn)槭┘佑谖A外緣的微小機(jī)械應(yīng)力，所導(dǎo)致的細(xì)小微塵生成。因此，導(dǎo)角部分除了形狀，亦需要形成與晶圓表面一致光滑潔亮。

然而，當(dāng)在矽晶圓上制作大量半導(dǎo)體晶片時(shí)，考量此導(dǎo)角部分的存在以及其他因素，如圖4-6-2所示，從外緣位置去除導(dǎo)角部分后，會再去除2公厘左右的區(qū)域，才在內(nèi)側(cè)開始進(jìn)行晶片配置。將晶圓周圍去除一部分的領(lǐng)域，此領(lǐng)域稱為“除外（exclusion）”。

將此領(lǐng)域去除的理由，主要是考慮光蝕刻制程中，將光阻涂布于晶圓上時(shí)，因晶圓周邊的導(dǎo)角構(gòu)造的存在而易使光阻發(fā)生涂布不均、厚度均一性較差的問題，而導(dǎo)致高精密的圖樣加工難以進(jìn)行。再者，將涂有光阻的晶圓進(jìn)行運(yùn)送或操作時(shí)，因加諸于晶圓邊緣上的機(jī)械外力使光阻發(fā)生剝離，而導(dǎo)致細(xì)微粒子的產(chǎn)生，抑或?qū)ζ毓鈾C(jī)的晶圓基座或運(yùn)送用的載具造成污染的情形發(fā)生。另外，在各段成膜制程中，成長于晶圓邊緣的薄膜，經(jīng)常于后續(xù)的晶圓操作過程中剝離，形成細(xì)微粒子或污染原因。

對良率的貢獻(xiàn)

晶圓邊緣的除外區(qū)域有幾種不同的制作方法；如圖4-6-3所示，于晶圓上完成光阻涂布后，將晶圓旋轉(zhuǎn)并于周邊區(qū)域滴下稀釋劑，是為一種常見的方法。

對于細(xì)微粒子亦或微量不純物極度排斥的半導(dǎo)體，像是這類細(xì)部的研究成果，對良率及可靠性的改善，具有極大的貢獻(xiàn)。

審核編輯：劉清