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復旦大學芯片院在高速低EMI功率集成電路設(shè)計領(lǐng)域取得重要進展

第三代半導體產(chǎn)業(yè) ? 來源:復旦大學芯片院 ? 2024-05-20 11:12 ? 次閱讀
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開關(guān)電源芯片被廣泛應(yīng)用于車載電子系統(tǒng)中,完成高效電能轉(zhuǎn)換。隨著智能駕駛技術(shù)的迅速發(fā)展,對開關(guān)電源芯片的電磁干擾(EMI)噪聲的要求也日益嚴苛。面對當今愈發(fā)復雜的車載應(yīng)用環(huán)境,傳統(tǒng)依靠在實驗室根據(jù)標準條件測試EMI噪聲的管理辦法已經(jīng)難以保證架駛安全性。為此,包括電氣電子工程師協(xié)會(IEEE)在內(nèi)的國際權(quán)威機構(gòu)開始建立基于風險檢測的EMI噪聲管理標準,以實現(xiàn)電子系統(tǒng)的全生命周期風險評估,這為實時EMI控制提出了極高的挑戰(zhàn)。

針對上述發(fā)展趨勢,復旦大學芯片與系統(tǒng)前沿技術(shù)研究院、集成芯片與系統(tǒng)全國重點實驗室劉明院士團隊提出了在線閉環(huán)EMI管理新策略,消除了傳統(tǒng)EMI控制過程中需要人為干預的需求,實現(xiàn)噪聲原位動態(tài)調(diào)控。在具體設(shè)計上,團隊基于壓縮感知原理,在芯片上設(shè)計集成了高帶寬原位EMI傳感器,根據(jù)在線分析得到的EMI頻譜,進一步完成了可自適應(yīng)調(diào)節(jié)開關(guān)頻率抖動范圍的全局過額頻譜調(diào)節(jié)。

上述技術(shù)集成在一款控制氮化鎵(GaN)功率晶體管的高速DC-DC功率轉(zhuǎn)換芯片(BIT)中(圖1),采用180nm BCD工藝流片,測試結(jié)果表明,原位EMI傳感器帶寬達500MHz,檢測誤差在3dB 以內(nèi),EMI頻譜調(diào)節(jié)分辨率達9kHz,滿足通用EMI標準的測試要求。

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圖1. 高速低EMI噪聲功率芯片(BIT)照片

相關(guān)研究成果以A Closed-Loop EMI Regulated GaN Power Converter with 500MHz-Sampling-Bandwidth In-Situ EMI Sensing and 9kHz-Resolution Global Excess-Spectrum Modulation為標題發(fā)表于2024年的IEEE定制集成電路會議(Custom Integrated Circuits Conference, CICC)上,論文第一作者、復旦大學芯片院青年研究員陳映平在大會上作口頭報告(圖2),并作展板介紹(Poster)。鑒于設(shè)計的新穎性與先進性,本項工作榮獲大會最佳研究論文獎(Best Regular Paper Award),最佳論文獲獎比例為5/144。

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圖2. 我院高速低EMI功率芯片在CICC 2024上作口頭報告

IEEE定制集成電路會議(CICC)是集成電路設(shè)計領(lǐng)域的旗艦會議之一,由IEEE固態(tài)電路協(xié)會(Solid-State Circuits Society)主辦,IEEE 電子器件協(xié)會(Electron Devices Society)協(xié)辦,每年吸引全球范圍內(nèi)大量學術(shù)界和工業(yè)界研發(fā)人員的關(guān)注和參與。本次CICC于2024年4月21日-24日在美國科羅拉多州首府丹佛舉行。

來源:復旦大學芯片與系統(tǒng)前沿技術(shù)研究院



審核編輯:劉清

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原文標題:復旦大學芯片院在高速低EMI功率集成電路設(shè)計領(lǐng)域取得重要進展

文章出處:【微信號:第三代半導體產(chǎn)業(yè),微信公眾號:第三代半導體產(chǎn)業(yè)】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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