全球半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)軍者瑞薩電子近日宣布，已成功完成對氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體全球供應(yīng)商Transphorm, Inc.的收購，此舉標志著瑞薩電子在寬禁帶（WBG）半導(dǎo)體領(lǐng)域的戰(zhàn)略布局邁出了堅實的一步。

此次收購于2024年6月20日正式完成，瑞薩電子將立即整合Transphorm的先進技術(shù)和市場資源，開始提供基于GaN的功率產(chǎn)品及相關(guān)參考設(shè)計。這一舉措旨在滿足全球范圍內(nèi)對高性能、高效率功率半導(dǎo)體產(chǎn)品日益增長的需求，特別是在電動汽車、變頻器、數(shù)據(jù)中心服務(wù)器、人工智能、可再生能源、工業(yè)電源轉(zhuǎn)換和消費應(yīng)用等領(lǐng)域。

與傳統(tǒng)的硅基器件相比，GaN和碳化硅（SiC）等寬禁帶材料具有顯著的優(yōu)勢。它們不僅具有出色的功率效率，而且擁有更高的開關(guān)頻率和更小的占用空間，這使得它們成為下一代功率半導(dǎo)體的關(guān)鍵技術(shù)。隨著電動汽車、可再生能源等產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，對高性能、高效率的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品的需求也在不斷增長。

瑞薩電子此次收購Transphorm，正是看中了其在GaN功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)先地位和強大實力。Transphorm作為全球領(lǐng)先的GaN功率半導(dǎo)體供應(yīng)商，一直致力于研發(fā)和生產(chǎn)高性能、高效率的GaN功率半導(dǎo)體產(chǎn)品，并在市場上取得了顯著的成果。通過此次收購，瑞薩電子將能夠充分利用Transphorm的技術(shù)和市場資源，加速自身在GaN功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的發(fā)展。

此次收購?fù)瓿珊螅鹚_電子將開始提供基于GaN的功率產(chǎn)品和相關(guān)參考設(shè)計。這些產(chǎn)品將采用先進的GaN技術(shù)和創(chuàng)新的設(shè)計理念，具有更高的功率密度、更低的功耗和更長的使用壽命。同時，瑞薩電子還將提供全面的技術(shù)支持和參考設(shè)計服務(wù)，幫助客戶更快速地實現(xiàn)產(chǎn)品的開發(fā)和應(yīng)用。

展望未來，瑞薩電子將繼續(xù)加大對寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域的投入和研發(fā)力度，推動GaN和SiC等高性能功率半導(dǎo)體產(chǎn)品的不斷發(fā)展和應(yīng)用。同時，瑞薩電子也將積極尋求與其他行業(yè)的合作機會，共同推動全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的進步和發(fā)展。