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存儲(chǔ)芯片巨頭美光在中國臺(tái)灣的工廠發(fā)生火警，存儲(chǔ)芯片是否又有新一波的價(jià)格在醞釀中。

6月20日下午，美光位于中國臺(tái)灣的內(nèi)存后里廠發(fā)生火警。

據(jù)消防隊(duì)員到場(chǎng)發(fā)現(xiàn)，現(xiàn)場(chǎng)是氣體供應(yīng)室存放的高壓氣體鋼瓶有燒損及泄漏情形，消防局人員到場(chǎng)時(shí)已無燃燒情形，現(xiàn)場(chǎng)無人員受傷，火勢(shì)系由自動(dòng)灑水設(shè)備動(dòng)作，以室內(nèi)消防栓撲滅，燃燒面積2平方公尺，起火原因由火調(diào)人員調(diào)查中。

業(yè)界人士觀察，此次美光火警地點(diǎn)應(yīng)為舊廠區(qū)，且立即撲滅，預(yù)期實(shí)際影響有限。

據(jù)了解，起火區(qū)域廠區(qū)位于臺(tái)中市后里區(qū)三豐路四段，應(yīng)是美光臺(tái)中三廠。

而美光臺(tái)中廠區(qū)最先進(jìn)的廠房是臺(tái)中四廠， 該廠是2023年啟用。當(dāng)時(shí)美光說明，臺(tái)中四廠將推動(dòng)中國臺(tái)灣先進(jìn) DRAM注制程技術(shù)的開發(fā)和量產(chǎn)，并整合先進(jìn)探測(cè)與封裝測(cè)試功能，以量產(chǎn)HBM3E及其他產(chǎn)品。

隨美光在深夜發(fā)出聲明，提到臺(tái)中廠火警人員無憂，廠區(qū)營運(yùn)未受任何影響。

中國臺(tái)灣美光20日深夜聲明全文如下：

針對(duì)6月20日美光臺(tái)中廠火警一事，經(jīng)查證中國臺(tái)灣美光所有員工與承包商均安全無虞，且廠區(qū)營運(yùn)未受任何影響。

美光是國際三大DRAM廠商，市占約19.2％，美光高達(dá)65％的DRAM產(chǎn)品在中國臺(tái)灣生產(chǎn)，也開始量產(chǎn)1-beta制程，以EUV制程導(dǎo)入的1-gamma技術(shù)持續(xù)研發(fā)，對(duì)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)重要性可見一斑。

存儲(chǔ)業(yè)內(nèi)人士高度關(guān)注火災(zāi)事件的影響情況，并表示火災(zāi)原因未明，最近DRAM價(jià)格較平穩(wěn)，市場(chǎng)還有三星等其他品牌供應(yīng)，影響有待觀察。

存儲(chǔ)芯片巨頭的各種火警總能讓人聯(lián)想到芯片漲價(jià)。其中，三星旗下業(yè)務(wù)此前也曾多次發(fā)生火災(zāi)，其中就包括芯片業(yè)務(wù)。

2020年3月，三星電子位于華城的半導(dǎo)體工廠發(fā)生火災(zāi)，起火點(diǎn)是工廠的廢水處理設(shè)施，但對(duì)晶圓生產(chǎn)沒有造成影響，也無人員傷亡。彼時(shí)，三星剛經(jīng)歷2019年的存儲(chǔ)器價(jià)格下降，2020年存儲(chǔ)器價(jià)格開始有漲價(jià)趨勢(shì)。三星華城工廠主要用于生產(chǎn)DRAM顆粒和NAND存儲(chǔ)芯片。

火災(zāi)之外，三星工廠也多次發(fā)生停電事故。

2018年，三星平澤芯片工廠發(fā)生半小時(shí)停電，預(yù)計(jì)導(dǎo)致?lián)p失大約 500 億韓元。2020年，三星電子位于韓國的華城芯片廠發(fā)生約一分鐘的停電，導(dǎo)致部分半導(dǎo)體生產(chǎn)暫停，有報(bào)道稱由于一區(qū)域電纜發(fā)生問題導(dǎo)致停電，三星電子部分DRAM和NAND芯片生產(chǎn)線中止，預(yù)計(jì)要兩三天左右才能完全恢復(fù)，且有報(bào)道引述分析師的分析，稱該事件可能有助抑制三星電子龐大晶片庫存的增加。2021年，由于冬季風(fēng)暴，美國德克薩斯州出現(xiàn)電力短缺，三星電子彼時(shí)暫停了當(dāng)?shù)氐陌雽?dǎo)體工廠運(yùn)營。

美光的目標(biāo)是在2025年前將HBM領(lǐng)域的市場(chǎng)份額提升至約20%，這一比例與其在動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）行業(yè)的整體營收份額相當(dāng)。目前，根據(jù)分析機(jī)構(gòu)TrendForce集邦咨詢的數(shù)據(jù)，美光在HBM內(nèi)存市場(chǎng)的產(chǎn)能占比僅為約3%，表明該公司還有很大的提升空間。

為實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)，美光正在全球范圍內(nèi)擴(kuò)建或計(jì)劃擴(kuò)建HBM內(nèi)存產(chǎn)線。目前，美光在臺(tái)灣地區(qū)臺(tái)中市設(shè)有最大的HBM內(nèi)存生產(chǎn)基地，并計(jì)劃增加該廠區(qū)的產(chǎn)能。此外，美光還在其位于美國愛達(dá)荷州博伊西的總部擴(kuò)建與HBM相關(guān)的研發(fā)生產(chǎn)設(shè)施，包括技術(shù)驗(yàn)證產(chǎn)線和量產(chǎn)線。

值得注意的是，美光還考慮在馬來西亞建設(shè)HBM生產(chǎn)能力，這是該公司首次在該地區(qū)布局HBM產(chǎn)能。目前，美光在馬來西亞設(shè)有芯片測(cè)試和組裝設(shè)施，預(yù)計(jì)新的HBM產(chǎn)能建設(shè)將集中在后端工藝部分。

在HBM內(nèi)存市場(chǎng)，AI計(jì)算芯片巨頭英偉達(dá)是美光的重要客戶之一。摩根士丹利的數(shù)據(jù)顯示，英偉達(dá)今年將購入全球HBM產(chǎn)能的約48%，這一數(shù)據(jù)凸顯了AI市場(chǎng)對(duì)高性能內(nèi)存的巨大需求。今年2月，美光宣布其8Hi 24GB HBM3E內(nèi)存進(jìn)入量產(chǎn)階段，并向英偉達(dá)H200芯片供貨。美光宣稱這款內(nèi)存功耗相對(duì)競(jìng)品降低了30%，有助于降低數(shù)據(jù)中心運(yùn)營成本。

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審核編輯 黃宇