為了成功紫外曝光并且根據(jù)所需要的分辨率，光刻膠掩模必須盡可能的靠近SU-8光刻膠放置，不要有任何干擾。如要這樣做，可檢查如下幾件事。
首先，光掩模和晶圓之間的灰塵或任何其他元素的存在都會導致不完美的接觸。在曝光的過程中，通過清潔光掩模和仔細的操作可以很容易的避免這個問題。
但是還有另一個不可避免的現(xiàn)象，那就是在SU-8光刻膠曝光的過程中，可能會有一個巨大的后果。事實上，如果SU-8光刻膠通過旋涂技術來涂覆，那么在晶圓的周圍會有一個喇叭圖形。喇叭圖形的出現(xiàn)是由光刻膠的表面張力引起的。在曝光的過程中，光掩模首先與喇叭圖形接觸，并且不會粘在整個晶圓的表面上。這種現(xiàn)象不可避免的導致了分辨率的損失。
喇叭圖形的大小并不是固定的，但主要取決于SU-8光刻膠的粘度和SU-8光刻膠的種類。例如，對于100μm的SU-8光刻膠層，可以測量大約幾個微米。這是無法避免的，但是可以通過一個被稱為“切割”的步驟來予以抑制。切割在于通過一層薄薄的丙酮射流（例如使用注射器）來移除晶圓邊緣上的樹脂（通常有半個厘米）。
通常，光掩模和晶圓之間良好接觸的指標是界面處的干涉條紋的顯現(xiàn)。如果您手動進行接觸，那么請按壓知道Moire圖案出現(xiàn)。
水分
光刻膠根據(jù)其交聯(lián)過程可以分為兩類：陽離子型或自由基型。對于我們的應用和SU-8光刻膠的使用，反應是陽離子的。光引發(fā)劑是一些對濕度敏感的酸。
不建議在相對濕度超過70%的情況下曝光SU-8光刻膠，相反，較弱的濕度會導致更快的交聯(lián)。
SU-8光刻膠烘烤
烘烤步驟影響加工過程的結果，但也影響其他步驟包括曝光步驟。事實上，第一次SU-8光刻膠烘烤太短會使其變得柔軟和粘稠，并且在曝光的過程中，掩膜有可能會被卡住。此外，如果軟烘的時間太長，太多的溶劑將會被蒸發(fā)掉而且最優(yōu)的曝光時間也將會有所不同。
SU-8曝光之前和之后的時間
一旦SU-8樹脂第一次烘烤（軟烘烤）完成后，SU-8光刻膠可以長時間（至少一個月）的保存在盒子里和黑暗條件下，并且可以始終曝光，烘烤和顯影。所以，曝光前的時間不是一個關鍵的參數(shù)。
相反，曝光之后，在進行第二次SU-8烘烤（the Post Exposure Bake，曝光后烘烤）之前，必須檢查時間。事實上，在SU-8曝光期間，光引發(fā)劑被激活但是需要額外的能量輸入才能繼續(xù)交聯(lián)反應。
SU-8紫外曝光之前的掩膜對齊
一些工藝在掩膜和晶圓之間需要有對齊功能，但是，實際上，只有很少的UV燈可以提供這個功能，如果你必須使用它，請確保您的設備能夠進行這樣的操作。為了對齊，您需要一些對齊線來確認晶圓的位置以及何時對齊。
曝光波長
曝光的波長是非常重要的，因為它需要匹配于每種光刻膠。為了曝光SU-8光刻膠，必須使用波長為365nm的紫外光。曝光波長的變化可以改變光刻膠層發(fā)生交聯(lián)所需要的能量，有時候，也可以通過調整曝光時間來改變光刻膠層交聯(lián)反應所需要的能量。
曝光時間
最重要的參數(shù)之一顯然是曝光時間。SU-8的曝光時間是光刻膠被UV照亮的時間。曝光時間也與UV線的功率有關，并且它們一起確定了照射到光刻膠的能量。曝光時間太短或太長將會導致光刻膠曝光不足或曝光過度，從而導致分辨率下降。更確切的說，膠層壁的設計寬度和外觀可以通過改變曝光時間來顯著的進行調節(jié)。如果曝光時間太短，那么光刻膠可能不會在整個深度上發(fā)生交聯(lián)反應，因此，光刻膠層在顯影的步驟中將會發(fā)生剝離。如果曝光時間太長，通道的寬度將會增加。
如何檢查您的SU-8光刻是否成功？
PEB期間，SU-8圖案的出現(xiàn)
PEB過程中，SU-8圖案在膠層的表面上將會更加清晰可見。
顯影時間和沒有SU-8白色標志
從PEB的最后，未曝光的樹脂被顯影，然后用異丙醇沖洗晶圓。在干燥的過程中，白色標志的出現(xiàn)表明了SU-8未完全顯影，因此，晶圓需要更長時間的顯影。如果顯影時間看起來真的比工藝表中標明的時間還要長或者更短，那么這意味著在SU-8旋涂或曝光的過程中，出現(xiàn)了一些問題，此時，可能需要檢查SU-8旋涂或者曝光的工藝過程。
控制SU-8圖案的形狀和尺寸
顯影后，在顯微鏡下觀察允許您：
知道SU-8光刻膠是否顯影良好
對圖案形狀給出第一個指示
知道圖案的寬度
測量SU-8圖案的厚度
為了檢查旋涂的合格性，最后一個測試時測量膠層的厚度。有幾種方法是可以被采用的。通常，厚度是通過光學或者機械輪廓儀來測量的。

審核編輯 黃宇