安建半導(dǎo)體(JSAB)隆重推出第二代30V SGT MOSFET產(chǎn)品平臺(tái)，融合國(guó)內(nèi)尖端技術(shù)與設(shè)計(jì)，開(kāi)創(chuàng)功率密度新高度，在開(kāi)關(guān)特性和導(dǎo)通電阻等關(guān)鍵參數(shù)方面達(dá)到行業(yè)巔峰，助力高效能源轉(zhuǎn)換和低能耗運(yùn)行。這一平臺(tái)不僅適用于高功率高要求領(lǐng)域，更能顯著提升常規(guī)應(yīng)用的整體效率，削減能源開(kāi)支并延長(zhǎng)系統(tǒng)壽命，憑借卓越性能贏得市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。平臺(tái)已于上年初量產(chǎn)，廣泛應(yīng)用于工業(yè)開(kāi)關(guān)模式電源(SMPS)、不間斷電源(UPS)、中小型低壓電機(jī)驅(qū)動(dòng)器(BLDC)和電池管理系統(tǒng)(BMS)。

1. 產(chǎn)品性能

1. 市場(chǎng)領(lǐng)先FOM (Figure of Merit)：極低導(dǎo)通及開(kāi)關(guān)損耗，適用于高載頻及高功率工況，提供高效的能量轉(zhuǎn)換和節(jié)能效果。

2. 高可靠性：卓越的可靠性與耐用性，嚴(yán)格通過(guò)一系列JEDEC國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試。

3. 出色沖擊能力：低熱阻，高雪崩能力，滿足高電流及瞬間關(guān)斷時(shí)的要求。

4. 優(yōu)異良好一致性：支持多管并聯(lián)應(yīng)用。

2.競(jìng)品對(duì)比(參數(shù))

FOM包括了MOSFET最關(guān)鍵的性能指標(biāo) : 導(dǎo)通電阻 ( RDS(on) ) 及閘極電荷 ( Qg )。較低的導(dǎo)通電阻代表MOSFET在導(dǎo)通狀態(tài)下具有更低的功耗和更高的效率。較低的閘極電荷代表MOSFET可以更快地在導(dǎo)通和截止之間切換，從而減少功耗和提高性能。JSAB 第二代30V與第一代30V相比，F(xiàn)OM及Ron數(shù)值大幅下降。彰顯JSAB產(chǎn)品的領(lǐng)先地位，具備成為出色替代或新開(kāi)發(fā)方案的強(qiáng)有力競(jìng)爭(zhēng)者的潛力。

3.競(jìng)品對(duì)比(應(yīng)用)

JSAB 第二代30V SGT MOSFET已在不同客戶中通過(guò)嚴(yán)苛的測(cè)試和檢驗(yàn)，成功在國(guó)內(nèi)外競(jìng)爭(zhēng)者中突圍而出。在工業(yè)用電源的溫升測(cè)試中，比國(guó)內(nèi)相近競(jìng)品低10°C以上，表現(xiàn)出優(yōu)秀的熱性能及提高整體系統(tǒng)可靠性; 在高功率不間斷電源(UPS)效能測(cè)試中，比國(guó)外頂尖品牌高近3%，實(shí)現(xiàn)極高效的能源轉(zhuǎn)換。該產(chǎn)品展現(xiàn)出優(yōu)秀性能，提高整體效率，降低能源成本并延長(zhǎng)系統(tǒng)的工作壽命。

4.技術(shù)特點(diǎn)

JSAB 第二代30V SGT MOSFET采用極小元胞尺寸及短溝道技術(shù)，全面優(yōu)化設(shè)計(jì)，達(dá)到極低的FOM (RDS(on) x Qg)，大幅降低開(kāi)關(guān)損耗及導(dǎo)通損耗，超越國(guó)外一流頂尖品牌規(guī)格。此外JSAB 第二代30V SGT MOSFET更推出了雙面散熱式封裝，可以有效地將器件發(fā)熱部分的熱量傳導(dǎo)到散熱片上，從而提高散熱效率。這種封裝適合高功率密度的應(yīng)用，能夠更好地控制溫度并提高器件的可靠性。

5.推薦型號(hào)

安建半導(dǎo)體致力于為客戶提供國(guó)際一流、國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的功率半導(dǎo)體器件，如需樣品，歡迎聯(lián)系sales@jsab-tech.com。