SiC SBD-P3D06002T2 650V SiC 肖特基二極管數據手冊
P3D06002T2 是一款耐壓 650V 的 SiC 肖特基二極管，采用 TO - 220 - 2 封裝，符合 AEC - Q101、RoHS標準，無鹵。具備超快速開關、零反向恢復電流、適用于高頻操作、正向電壓正溫度系數、高浪涌電流、100% UIS測試等特性，可提升系統(tǒng)效率，減少散熱需求，并聯(lián)使用時無熱失控風險，常用于消費類開關模式電源、PFC 或 DC/DC 階段的升壓二極管及 AC/DC轉換器。
碳化硅（SiC）屬于第三代半導體，派恩杰獨有的SiC 肖特基二極管結構相比于傳統(tǒng)Si肖特基二極管具有更高的耐壓等級和更低的漏電流，大大提升了系統(tǒng)效率，特別適合在高壓高頻條件下工作。同時解決了Si二極管的耐壓極限問題和反向恢復損耗較大的問題，碳化硅二極管成本相對較低，已經廣泛使用。派恩杰提供多種多樣封裝形式去適應不同應用場景。
*附件：SiC SBD-P3D06002T2 650V SiC 肖特基二極管數據手冊.pdf
特性
- 符合 AEC-Q101 標準
- 超快速開關
- 零反向恢復電流
- 高頻運行
- 正向電壓具有正溫度系數
- 高浪涌電流
- 100% 經過 UIS 測試
優(yōu)勢
- 優(yōu)異的性能
- 減小系統(tǒng)體積
- 提升整體效率
- 減小散熱面積
- 車規(guī)級器件
- 降低系統(tǒng)成本
- 降低電磁干擾
應用領域
典型性能
封裝
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